ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Система германий—селен из "Химия стеклообразных полупроводников" Стабилизация проводимости селена наблюдается и при введении в него германия [1П]. При взаимодействии германия с селеном при 900° С с последующим медленным охлаждением могут быть получены стеклообразные сплавы всех составов — от GeSea до элементарного селена. Применяя жесткую закалку в ледяную воду, можно получить в стеклообразном состоянии и сплав состава,GeSei,5. [c.61] Стекло состава GeSes находится близко к границе стеклообразования. Поэтому его свойства наиболее сильно зависят от термической обработки. Так, стекло, полученное в режиме очень медленного охлаждения, имеет электропроводность на 1,5 порядка выше, чем у стекла, полученного в режиме быстрого охлаждения. При просмотре шлифованной поверхности этого стекла в МИМ-7 и МИК-1 отчетливо видны отдельные кристаллические включения в стекле. Определение границы пропускания для этого образца исключалось. У стекол GeSe на прямой зависимости электропроводности от температуры (рис. 41) имеет место излом, соответствующий примерно 50° С. При низких температурах наблюдается значительный разброс данных, полученных на параллельных образцах. Повышенная проводимость при низких температурах, возможно, обусловлена частичной кристаллизацией стекла, следствием чего является установление примесной проводимости. [c.62] При наличии значительного избытка селена у стекол GeSeg и GeSeig при 50—75° С наблюдаются изломы у прямых температурной зависимости электропроводности (рис. 40). Анализ значений величин е, и Igp (табл. 18) свидетельствует о переходе в области перегиба кривых низкотемпературной электропроводности с движением носителей тока вдоль незначительного числа сквозных цепочек селена (lgP=—6 s =1,6) к высокотемпературной электропроводности с активированным перемещением носителей от одних циклических образований селена к другим [1]. [c.62] Граница нропускания света у стекол системы германий—селен соответствует 0,70 мк. Соответственно энергия ионизации связей у селенидов германия составляет - 1,8 эв. [c.62] Измерение температурной зависимости электропроводности стеклообразных сплавов GeSe при повышенных температурах проведено в работе [112]. У исследованных авторами селенидов германия наблюдалась сквозная проводимость. Энергия электропроводности для всех составов составляла 2,2 0,2 эв. [c.62] Первоначальное снижение парамагнитной составляющей при введении германия до 5 ат. % обусловлено снижением концентрации неспаренных электронов на концах цепей селена вследствие замыкания последних на атомы германия. Максимальное значение парамагнетизма Ван-Флека получено для стекол, содержащих 6 ат. % германия, характеризующихся статистическим распределением структурных единиц ОеЗе4/2 в, селене. Область экстремальных значений парамагнетизма в системе Ое—5е смещена в сторону меньщего содержания германия по сравнению с концентрацией мыщьяка в системе Аз—5е. Это смещение экстремума пропорционально числу валентных связей во вновь возникающих структурных единицах. [c.65] Резкое падение парамагнетизма при увеличении содержания германия от 6 до 8 ат. % связано, по-видимому, с ассоциацией структурных единиц ОеЗе4/2, обусловливающей микронеодно-родное строение стекол. [c.65] Вернуться к основной статье