ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние прочих факторов из "Основы техники кристаллизации расплавов" При прочих равных условиях образованию зародышей благоприятствует, как правило, увеличение массы или объема расплава [47]. Это, видимо, объясняется большей вероятностью загрязнения расплава посторонними примесями с ростом его объема. [c.61] Влияние давления на процесс кристаллообразования обусловливается изменениями температуры фазового превращения, энергии активации и поверхностной межфазной энергии. При этом рост энергии активации с давлением связан с сопутствующим увелвгаением вязкости. С другой стороны, при повышенных давлениях наблюдается уменьшение поверхностного натяжения [76], обусловленное, видимо, уплотнением жидкости и приближением ее к стрз туре кристалла. Однако само повышение вязкости с ростом давления действует подобно понижению температуры. Иными словами, давление должно сдвигать кривую зависимости скорости зарождения кристаллов в сторону более высоких температур. Высказанные положения подтверждаются экспериментальными данными [76, 87]. [c.61] На процесс образования зародышей, их размеры и структуру влияет действие ионизирующей радиации. В переохлажденном расплаве ион, окруженный нейтральными молекулами, является элементарным образованием, вокруг которого может начаться рост кристалла. Таким образом, возникновение ионов в переохлажденном расплаве может способствовать процессу зарождения кристаллов, существенно влияя на его кинетику. При этом, если молекулы симметричны относительно положительных и отрицательных зарядов, то кристаллы будут зарождаться с одинаковой вероятностью как около положительных, так и около отрицательных ионов. Если же строение асимметрично, то происходит преимущественное образование зародышей вокруг ионов одного знака [1]. [c.61] установлено [88], что при действии излучения радия происходит увеличение скорости зарождения кристаллов серы. При этом а-лучи обычно поглощаются стенкой аппарата и не влияют на процесс зарождения. Рентгеновские и -лучи существенного влияния не оказывают наибольшее влияние оказывают р-лучи [1, 88]. [c.61] При изучении влияния радиации на кристаллизацию пиперина и салола было установлено [90], что зародыши при облзп1ении распределены по объему жидкости неравномерно, они появляются главным образом в ближайшей к источнику радиации области переохлажденного расплава. [c.61] Несмотря на работы многочисленных исследователей, до сих пор отсутствует единая теория роста кристаллов. Мы остановимся ниже на некоторых предложенных теориях, в какой-то мере объясняющих механизм роста кристаллов. [c.62] Гиббс [23], исходя из термодинамических соображений, впервые высказал положение, что кристалл, находящийся в равновесии с жидкой фазой, должен иметь форму, отвечающую минимуму его суммарной поверхностной энергии при постоянном объеме. Независимо от Гиббса к такому же заключению пришел Кюри [47, 94]. Оба автора, однако, не установили количественной связи между минимумом поверхностной энергии и геометрической формой растущего кристалла. [c.62] Вернуться к основной статье