ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Охлаждение бинарных расплавов из "Основы техники кристаллизации расплавов" Как уже указывалось выше, кристаллизация бинарных расплавов происходит в некотором интервале температур. Перед фронтом кристаллизации имеется переходная зона толщиной бп, где температура вещества изменяется от точки ликвидуса до точки солидуса t oл (рис. 111-13). При температуре ниже tл в переходной зоне происходит зарождение кристаллов, растущих по мере охлаждения расплава, а цри температуре солидуса весь расплав переходит в твердое состояние. [c.114] Точных решений задачи затрердевания бинарного расплава не существует имеются лишь отдельные попытки приближенного решения [133, 182, 183]. Трудность точного решения задачи заключается в том, что в переходной области непрерывно изменяются теплофизические характеристики вещества (удельная теплота кристаллизации, удельная теплоемкость, коэффициент теплопроводности, плотность и др.), соотношение между фазами и их состав. [c.114] Величина для эквивалентного образца складывается из удельной теплоты кристаллизации бинарного расплава и удельной аккумулированной теплоты, выделяющейся в процессе охлаждения расплава от температуры ликвидуса до температуры солидуса. [c.115] используя значения и / р, расчет процесса отверждения производят, как и для расплава, кристаллизующегося при постоянной температуре. [c.116] Как видно из выражения (111,103), с увеличением интервала между температурами ликвидуса и солидуса переходная зона возрастает. При этом, чем больше толщина б, тем шире переходная зона. [c.116] Большое влияние на ширину переходной области оказывают интенсивность внешнего охлаждения и температура охлаждающей среды Рассмотрим подробнее влияние этих двух факторов. [c.116] Вернуться к основной статье