ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Объемная диаграмма состояния из "Курс физической химии Том 1 Издание 2 (копия)" Простейшая диаграмма состояния трехкомпонентной системы, основанием которой служит треугольник Гиббса, а на перпендикулярах, восстановленных из каждой точки треугольника, откладываются температуры фазовых превращений, изображена на рис. XV, 2. [c.401] Эта диаграмма описывает процесс кристаллизации в том случае, когда из расплава выделяются только чистые кристаллические компоненты системы. Боковые поверхности объемной диаграммы представляют собой три диаграммы состояния бинарных систем с одной эвтектикой, аналогичные диаграмме, показанной на рис. ХП1,2 (стр. 355). Температуры затвердевания этих трех эвтектик различны. [c.401] отвечающие началу выделения кристаллов каждого из компонентов А, В и С из тройных расплавов различного состава, образуют соответственно три кривые поверхности Агор, Bpoq и qor. Если спроектировать границы ор, oq и or между этими поверхностями на основание диаграммы, то их проекции о р, o q и о г разбивают треугольник Гиббса на три области. Из систем, составы которых отвечают области А р о г, в первую очередь выделяются кристаллы компонента А, из систем, составы которых отвечают другим областям, выделяются соответственно компоненты В и С. [c.401] В обычной работе пользуются проекциями объемных диаграмм на их основание. Подобные проекции представляют собой отображение на плоскость изотермических кривых на поверхности начала кристаллизации и пограничных кривых, например ро, го и т. д. Проекции получают совершенно так же, как это делают при вычерчивании географических карт на картах нанесены горизонтали, отвечающие определенным высотам над уровнем- моря, проекции же объемных диаграмм состояния представляют собой совокупность горизонталей, отвечающих определенным температурам. Пример подобного построения дан на рис. XV, 2. [c.403] Рассекая объемную диаграмму горизонтальными плоскостями Т, Т2, Тз, Т и т. д., получаем на поверхностях начала кристаллизации кривые, отвечающие этим температурам. Проекции этих кривых на основание диаграммы образуют сеть горизонталей, позволяющую судить о рельефе поверхности и предсказывать последовательность выделения различных фаз при кристаллизации расплавов не хуже, чем с помощью объемной диаграммы. Так, мы видим, что фигуративная точка расплава 5 лежит на горизонтали Тз в области выделения кристаллов А. При дальнейшем охлаждении по мере выделения вещества А состав расплава смещается по прямой s s , продолжение которой проходит через вершину А, так как отношение между количествами компонентов В и С при этом остается постоянным. В точке начинается одновременное выделение компонентов А и В, а фйгуративная точка расплава смещается от вдоль пограничной кривой р о к точке о, где состав расплава отвечает эвтектике. [c.403] Если нанести на треугольник Гиббса зотермы, относящиеся только к одной температуре, то получается сечение объемной диаграммы, по которому можно определить состав и количество фаз, образующихся при данной температуре из тройной смеси произвольного состава. [c.403] Расплав состава к может находиться в равновесии одновремеН но с твердыми компонентами А и В. Благодаря этому любая точка внутри треугольника АВк отвечает равновесию трех фаз двух твердых А и В и расплава состава к. [c.405] Количество расплава и твердых компонентов, находящихся в равновесии, можно определить по правилу рычага. Найдем, например, соотношение между количествами фаз в системе, которой отвечает точка V. Так как система распадается на жидкость и кристаллы, то прежде всего найдем соотношение между количествами жидкости и кристаллов. [c.405] Из Тройных систем очень часто кристаллизуются не только ин- дивидуальные компоненты, но и их химические соединения. Рас-смотрим, например, тройную систему А—В—С, в которой два ком, понента (А и В) образуют химическое соединение А В . В этом случае боковая сторона АВ объемной треугольной диаграммы состояния представляет собой диаграмму двухкомпонентной системы подобную изображенной на рис. ХП1, 7 (стр. 363). [c.405] Каждый из этих треугольников описывает кристаллизацию соответствующей тройной системы, и к нему приложимо все,, чта было сказано при разборе рис. XV, 2, XV, 3 и XV 4. [c.405] Вернуться к основной статье