ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Рекомбинационное взаимодействие между центрами свечения различных типов из "Введение в физическую химию кристаллофосфоров" Рассмотрим теперь влияние интенсивности возбуждения. При данной температуре скорость освобождения дырок, захваченных центрами свечения А, пропорциональна концентрации Л а Центров, захвативших дырки, а скорость их рекомбинации с электронами пропорциональна произведению Ма на концентрацию п электронов в зоне проводимости. Поскольку с увеличением интенсивности возбуждающего света произведение МаП растет быстрее, чем Ма, то отношение числа актов рекомбинации на центрах А к числу актов освобождения дырок, захваченных этими центрами, будет расти. Следовательно, повышение интенсивности возбуждения должно вызвать перераспределение энергии в спектре излучения в пользу коротковолновой полосы. Это легко наблюдать на уже упоминавшемся 2п5-1 10 Си-фосфоре с синей и зеленой полосами излучения. По мере приближения его к источнику ультрафиолетовых луч й цвет свечения изменяется, вследствие увеличения доли голубой полосы в спектре излучения за счет зеленой (см. рис. 8, б). Описанное явление служит иллюстрацией того, что закономерности стационарной (не меняющейся во времени) люминесценции также в большой мере определяются кинетическими факторами. [c.28] На стадии затухания произведение МаП мало (тем более, что электроны преимущественно находятся на уровнях захвата), и потому вероятность перехода дырки с возбужденного центра А на возбужденный центр В резко возрастает, увеличиваясь по мере затухания. В результате даже при очень малой концентрации зеленых центров в 2п5-фосфорах в затухании преобладает зеленая полоса. Это дает возможность обнаруживать по цвету послесвечения незначительные следы примесей, например около г Си-г 2п5, что часто используется для люминесцентной проверки чистоты исходных материалов, применяемых при синтезе люминофоров. [c.28] Вернуться к основной статье