ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Оптическое освобождение захваченных электронов и дырок из "Введение в физическую химию кристаллофосфоров" Оптическое освобождение захваченных электронов и дырок. Подобно тому как дырки переходят под действием тепла с мелких дырочных ловушек на более глубокие, электроны имеют тенденции) к накоплению в глубоких электронных ловушках, обусловливающих длительное послесвечение, продолжающееся иногда часами. Это имеет место, например, в случае 2п5-Си, Со-фосфора, глубокие ловушки которого образованы кобальтом. [c.32] Как захваченные электроны, так и захваченные дырки могут быть освобождены (или подняты на возбужденные уровни центра захвата, см. гл. I, 2) не только теплом, но и светом. Поскольку такой вызывающий электронные переходы свет поглощается фосфором, то в спектре поглощения появляется дополнительная полоса, которая оказывается в ряде случаев достаточно интенсивной, чтобы ее можно было обнаружить. Это явление называют иногда возбужденным поглощением. Если под действием света происходит освобождение электронов, накопившихся в глубоких ловушках, то вследствие рекомбинации их с ионизованными центрами свечения (которые также должны быть достаточно глубокими, чтобы удержать захваченные дырки) происходит вспышка люминесценции. Если же свет освобождает дырки из центров свечения, то этим вызывается тушение люминесценции. Часто оба процесса сопутствуют друг другу 50]. Первое из них называется оптической стимуляцией, а второе — оптическим туш.ением. Обычно они вызываются действием инфракрасного света, но следует упомянуть и о том, что освобождение захваченных носителей заряда может производиться возбуждающим излучением непосредственно в процессе возбуждения (так называемое высвечивающее действие возбуждающего света 2]). Оптическая стимуляция и оптическое тушение находят важные технические применения, например, для обнаружения инфракрасного излучения [23]. [c.32] Вернуться к основной статье