ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Определение параметров центров по данным исследования кинетики люминесценции и фотопроводимости кристаллов из "Введение в физическую химию кристаллофосфоров" Кроме того, следует учесть, что, помимо центров свечения, в кристаллической решетке люминофора может быть небольшое число дефектов, которые даже после захвата дырки обладают весьма малым сечением захвата электрона, вследствие чего рекомбинация электронов с локализованными на этих центрах дырками происходит медленно. [c.63] Вообще центрами рекомбинации называются дефекты, на которых после захвата носителя заряда рекомбинация более вероятна, чем тепловое освобождение носителя. В случае центров захвата, которые называют также центрами прилипания, имеет место обратное. Очевидно, что при понижении температуры центр захвата может превратиться в центр рекомбинации. [c.63] Установлено, что дефекты, являющиеся тушителями люминесценции, уменьшают также фоточувствительность кристаллов. Это можно объяснить тем, что они обладают как большим сечением захвата, так и большим сечением последующей рекомбинации. Поэтому в физике полупроводников их называют центрами быстрой рекомбинации. [c.63] В настоящее время разработан целый комплекс методов, позволяющих путем параллельного исследования люминесценции и фотопроводимости определять многие параметры центров свечения и захвата, необходимые для физико-химических расчетов. С этими методами можно познакомиться по работам М. К. Шейнкмана и соавторов (см. например, [51, 61, 62]). Но уже из того, что было изложено, видна суть дела измерения фотопроводимости, позволяющие определить абсолютную величину концентрации одного из участников процесса — свободных носителей заряда, дают возможность по кинетическим уравнениям найти другие входящие в эти уравнения параметры. Таким путем было показано, в частности, что в соединениях группы АИВ , как правило, реализуется схема Риля — Шена — Класенса, а не Лэмба — Клика. [c.64] Вернуться к основной статье