ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние готовой кристаллической поверхности из "Кристаллизация из растворов в химической промышленности" Это явление было отмечено Т. Е. Ловицем [85], указавшим еще в 1798 г., что внесение в пересыщенный раствор кристаллика того же вещества приводит к немедленной кристаллизации, в то время как кристаллы других веществ такого влияния не оказывают. Позднее было доказано аналогичное влияние изоморфных веществ. [c.77] Особенно сильное воздействие на пересыщенные растворы оказывают кристаллы при своем движении. Так, при выращивании монокристаллов методом вращения затравочного кристалла в пересыщенном растворе наблюдают [48], что увеличение скорости вращения свыше определенного предела вызывает образование большого числа новых зародышей ( паразитических кристаллов), которые возникают в непосредственной близости от поверхности растущего кристалла, и в дальнейшем их образование протекает лавинообразно, захватывая весь объем раствора. Хорошо известен факт [86, 87], когда падающий в пересыщенном растворе одиночный кристалл оставляет за собой след в виде мельчайших кристалликов, напоминая при этом движение кометы. [c.77] Такое воздействие кристаллов нельзя объяснить только механическим движением раствора (см. предыдущий раздел). [c.77] Интересные опыты были проведены Пауэрсом [88] с растворами сахарозы, способными к сильному пересыщению. Вращая кристалл сахарозы с большой скоростью, автору удалось вызвать образование кристаллических зародышей практически в насыщенном растворе при вращении же модели кристалла из стекла тот же эффект был получен им лишь при степени пересыщения раствора, равном 1,2. Аналогичные результаты были получены позднее другими авторами [89] при выращивании монокристаллов (МН4)Н2Р04 и К4ре(СМ)е-ЗНгО, т. е. при замене вращающегося кристалла его моделью из плексигласа для образования паразитических кристаллов требуется значительно большая степень пересыщения раствора. [c.78] наличие в пересыщенном растворе готовой кристаллической поверхности является самостоятельным фактором, который способствует увеличению скорости образования зародышей в тем большей степени, чем интенсивней движение раствора относительно поверхности кристалла. Именно этим, очевидно, объясняется тот факт, что введение затравки в раствор с целью увеличения размера кристаллов, получаемых в процессе массовой кристаллизации, не всегда дает необходимый эффект и даже часто, видимо при усложненном составе солей [89, приводит к обратным результатам — образованию мелкокристаллического продукта. [c.78] Переходя к объяснению механизма воздействия кристаллической поверхности на скорость образования зародышей в пересыщенных растворах, укажем, что и в этом вопросе до настоящего времени нет единой точки зрения. Из многочисленных объяснений остановимся только на двух. Некоторые авторы [19, 90] относят кристаллизацию растворов к каталитическим процессам, полагая, что скорость выделения соли лимитируется процессом дегидратации растворенного вещества. Поэтому введение готовой кристаллической поверхности, являющейся в данном случае катализатором, ускоряет этот процесс, способствуя образованию зародышей и их дальнейшему росту. [c.78] Предположения Дьюлаи получили достаточные подтверждения. Так, опытным путем было доказано, что возле Поверхности растущего кристалла существует раствор с более высокой концентрацией вещества, чем в основной его массе [94]. Это подтверждается также блоковым ростом кристаллов [31, 67] в результате присоединения кристаллических образований — блоков большего или меньшего размера (более подробно см. стр. 93, 94). Образование паразитических зародышей возле быстро вращаемого кристалла [89] также говорит в пользу гипотезы Дьюлаи. [c.79] Вернуться к основной статье