ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Галогениды щелочных металлов из "Строение молекул и химическая связь Том 3" Рентгеновские эмиссионные спектры галогенидов щелочных металлов изучены в работах [416—420], а рентгеноэлектронные и фотоэлектронные — в работах [421—424]. В этих же работах имеются ссылки на более ранние исследования и расчеты. Хотя многие характеристики этих соединений, включая энергию валентных уровней, можно рассчитать, исходя из модели чисто ионной связи А+В , анализ электронных уровней обнаруживает много признаков наличия ковалентной составляющей химической связи. Уменьшение степени ионности связи, как и следовало ожидать из общих соображений, наблюдается прежде всего в соединениях Ы и Л. Отметим некоторые случаи. [c.135] Отступление от чисто ионной картины химической связи особенно сильно проявляется для пр-нолос анионов. Для кристаллической решетки Na l трехкратно вырожденный уровень свободного аниона пр может разделиться (без учета спин-орбитального расщепления) на две подполосы Vi ( з, Х5 ) и более глубокую Vi (L/, X/) (см., например, [425] в скобках указаны особые точки зоны Бриллюэна, характеризующие полосу). Такое расщепление С1 Зр-полосы действительно обнаружено в Li l (см. табл. 76 [423]) и F 2р-полосы в LiF [422]. Более того, для полосы С1 Зр и F 2р наблюдается постоянное увеличение их полуширины А (1/2) и полных ширин по основанию АЕ по мере перехода от галогенида s к менее ионному галогениду Li (табл. 76 [423, 422]). [c.136] Для решетки типа СзС1 уровень Рз/г галогена может также расщепиться на два подуровня и (М7-, Л б ) (см., например, [427]). Такое расщепление действительно обнаружено в СзЛ [427, 428]. [c.136] Вернуться к основной статье