ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Зависимость электронного строения соединений АпВеп от ионного характера связи из "Строение молекул и химическая связь Том 3" Увеличение ионности связи А—В приводит, очевидно, также к уменьшению числа валентных электронов, принадлежа-щих атому А. Это наглядно проявляется в уменьшении относительной интенсивности /Срг-линии (переход Is — 4р) элемента А в ряду Ge, GaAs, ZnSe и uBr (рис. 67) [400]. На рис. 67 интенсивность линии / z нормирована по интенсивности 7( р1-линии (переход Is—Зр). Хотя при этом не учтена зависимость переходов (Is —4p)/(ls — Зр) от порядкового номера элемента, можно с уверенностью утверждать, чта наблюдаемое уменьшение интенсивности /СРг-линии связано с уменьшением числа 4р-электронов, принадлежащих изучаемому атому. [c.140] Сравнение энергий особых точек, эв. В скобках—орбитальные энергии состояний, определякщих соответствующую полосу. [c.140] Рассмотрим, наконец, ряд ВР- -А1Р- GaP- InP, т. е. влияние атома А на электронные свойства соединений. В этом ряду (табл. 72) закономерно уменьшается энергия точки Х5 (по данным для спектров атома А) относительно вершины зоны. Однако расстояние от вершины зоны до точки характеризующей ns-орбитали атома А, составляет в этом ряду соответственно 8,95, 6,8, 7,05 5,97 эв, т. е. для GaP наблюдается отклонение от общего хода этих величин, что также коррелирует с ns-орбитальными энергиями этих атомов (табл. 18). Отметим, однако, что в случае 1пР такого отклонения не наблюдается, хотя оно в принципе возможно. Как следует из табл. 72, отсутствие аномалии для 1пР связано с уменьшением расстояния Г15 — 5, а расстояния Х5 — Lj действительно близки у А1Р и InP. [c.141] Вернуться к основной статье