ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Микродефекты решетки и кристаллические зерна из "Физикохимия неорганических полимерных и композиционных материалов" Материаловедение рассматривает различные виды нарушений в структуре твердого тела, определяющие его физические и соответственно эксплуатационные свойства. Как известно [1, 15, 36, 46—50], нарушения начинаются на атомном уровне. Это так называемые дефекты кристаллической решетки (КР). [c.33] В кристаллографии в первую очередь рассматриваются точечные (нульмерные) дефекты. Это вакансии, атомы внедрения, замещения или изоморфные примеси (ИП). [c.33] Многообразие таких дефектов иллюстрирует обобщенная схема (рис. 2.6) [36, 42]. Применительно к ионным и полярным кристаллам (рис. 2.6, д, е) часто рассматриваются дефекты типа Шоттки (образование двух вакансий противоположного знака) и типа Френкеля (образование вакансии и соответствующего межузельного иона). В этих случаях подразумевается сохранение электронейтральности кристалла. Вхождение двух меж-узельных понов противоположного знака характеризуется как антипод дефекта Шоттки. Вакансия одного заряженного компонента (рис. 2.6, е) свидетельствует об образовании двойного электрического слоя с адсорбированными ионами на границе кристалл — кристалл (газ, жидкость). [c.33] Линейные (одномерные) и поверхностные (двумерные) дефекты— это дислокации (линейная, краевая, винтовая и др.), границы блоков, зерен, двойников, доменов. Они являются определяющими в процессах кристаллизации, пластической деформации, зародышеобразования и диффузии. [c.33] Вернуться к основной статье