ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электрокристаллизация на катоде и дисперсная фаза из "Физикохимия неорганических полимерных и композиционных материалов" Классическая гальваностегия длительное время преимущественно относилась к электроосаждению металлов (одного, двух, трех и более) из ионного состояния [126, 131, 132, 143, 209, 211]. С 1960 г. началось интенсивное изучение [1, 13] процесса электрокристаллизации из электролитов-суспензий (ЭС) с целью получения гетерофазных слоев за счет заращивания попадающих на электрод с металлом частиц ( =0,01—5 мкм или более). В результате были получены КГП (композиционные гальванические покрытия), в частности СКЭП (самосмазываемые) и др. Получение КЭП рассмотрено в ряде работ [1, 13, 210]. В библиографии последних лет приведены новые данные исследования этих систем [207]. [c.192] В работе [12] рассмотрены прочностные характеристики КЭП, в основном с матрицей из железа, и частично — хрома. В работе [3] содержится подробное описание алмазсодержащих КЭП и области их применения. Процессы перемещения ДФ в объеме ЭС и приэлектродном слое роль природы ДФ и электролита, распределения ДФ в слое покрытия динамика процессов, сопутствующих образованию КЭП, и способы нанесения подробно обсуждены в работе [4]. Помимо свойств электроосаждаемых металлов, ДФ и КЭП рассмотрены [11] вопросы экономики и стандартизации соответствующих процессов. [c.192] Вместе с тем в перечисленных работах мало внимания уделено рассмотрению химии и физико-химического поведения ДФ в электролите и на поверхности катода. [c.192] При рассмотрении процессов образования КЭП необходимо учитывать специфику закономерностей процессов электрокристаллизации, которая, как известно, характеризуется последовательным протеканием элементарных актов переноса заряда, зарождения кристаллов на чужеродной поверхности и их роста [130—132, 211, 212]. В покрытиях возникают структурные дефекты, классифицируемые как наследственные, ростовые или деформационные. Последние два вида могут быть обусловлены адсорбированными на поверхности ультрадисперсными частицами. [c.192] Повышение микротвердости покрытий N1—В (й=0,5—5 мкм), выделенных из сульфатного электролита, объясняют [213] развитием дислокационной структуры вблизи включений и возникновением эффективных барьеров ( стопоров ) консервативному перемещению дислокаций. Дисперсная фаза бора закрепляется на границах зерен никеля в начале роста покрытия, а при больших его толщинах — и на местах соприкосновения с другими включениями. [c.193] Повышенная твердость КЭП по сравнению с контрольными покрытиями объясняется также более высоким содержанием водорода, скапливающимся на границах раздела N1—В. Адсорбированный водород, а также гидрид К1Но.7 обусловливают уменьшение подвижности дислокаций. При образовании КЭП с матрицей из никеля степень наводороживания обычно ниже [1]. [c.193] При электрокристаллизации цинка из сульфатного электролита захват и заращивание частиц ТЮг происходит интенсивней на грани (1010), характеризующейся большей поверхностной энергией, чем грань (0001). В этом случае ДФ, возможно, является инициатором зародышеобразования [214]. [c.193] При использовании постоянного тока размеры частиц СгВг, включающихся в слои никеля, находились в линейной зависимости от ширины углублений в диапазоне 0,5—50 мкм. При использовании нестационарных режимов число внедренных частиц можно увеличить в 5 раз. [c.194] Аналогичные данные по избирательному заращиванию частиц определенной дисперсности получены и при соосаждении частиц AI2O3 с цинком [216]. [c.194] Вернуться к основной статье