ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Финкельштейн, В. Г. Зырянов, С. А. Немнонов Рентгеновские эмиссионные полосы силицидов хрома и марганца из "Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов" О локализации валентных электронов в переходных металлах. Кушниренко А. Н. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 5-17. [c.271] Сделана попытка обобщения — -обменной модели переходного металла, основанная на предположении, что в переходном металле система валентных электронов делится на коллективизированные и локализованные электроны. Дано обоснование этого предположения. Построена статистика системы коллективизированных и локализованных электронов и дано объяснение переходов Мотта, Получен вывод оператора обменного взаимодействия из общего оператора энергии многоэлектронной теории твердого тела. Этот оператор энергии использован для исследования ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Исследованы плазменные колебания и природа носителей электрического тока в переходных металлах, Полученные теоретические результаты сравниваются с экспериментальными. [c.271] О полярности химической связи в бинарных полупроводниках с тетраэдрическими связями. Баженов В. К., Преснов В. А., Соболева Т. П., Фойгель М. Г. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 18—25. [c.271] Та X=S, Se). Беляев Б. В., Попов Н. Е., Р о м-б а X В. П., Саксон Л. М, Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 31—34. [c.272] Теоретико-групповы.м методом проведена классификация волновых функций в симметричных точках зоны Бриллюэна, рассмотрены возможные энергетические зоны в приближении свободных электронов и произведен расчет потенциала вдоль одного кристаллографического направления с учетом влияния узлов решеткн четвертой координационной сферы. Указывается, что при замене ванадия на более тяжелые ниобий и тантал ширина запрещенной зоны должна возрастать. [c.272] Игнатьев Н, А М а р щ а к о в а Т. А., Угай Я. А. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 35—44. [c.272] Таблиц 2. Рис. 4. Библиографий 16. [c.273] Использование метода молекулярных орбиталей для интерпретации тонкой структуры рентгеновских спектров некоторых полупроводников. Цветков В. П., Савченко Н. Д., Калениченко А. В. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 45—55. [c.273] Предпринята попытка построения схемы молекулярных орбиталей для КС1, 31, ЗЮг и полупроводниковых соединений СиО, СигО и СоО. По положе1П1ю пиков эмиссии и поглощения определяется положение связующих и разрыхляющих орбиталей. Пики эмиссии — связующие орбитали, пики поглощения— разрыхляющие. Для объясяения устойчивости кристалла из заполненных состояний исключаются все разрыхляющие орбитали. Принцип устойчивой связи — на связующих орбиталях находится 8 электронов. В Зй-переходных металлах и их соединениях З -электроны являются донорами для заполнения связующих орбиталей. [c.273] Влияние плотности дислокаций германия на степень поляризации, интегральную интенсивность и полуширину кривой брегговского отражения рентгеновских лучей. [c.273] Установлено, что кристаллы германия в широкой област значений плотности дислокаций (.Уд) поляризуют отраженное рентгеновское Си Л -излучение (рефлекс 111) меньше, чем совершенный кристалл. Минимальное значение степени поляризации (Р) наблюдается при. д, равным около 10 с.и -, которое почти в два раза меньше, чем Рв. Обсуждаются результаты зависимости интегральной интенсивности и полуширины кривой отражения от Л д. [c.273] Таблиц 1. Рис. 6. Библиографий 12. [c.273] Описываются методы экспериментального определения поляризационпого фактора рассеяния монохроматического рентгеновского излучения в случае установки кристалл-монохроматора на прямом или дифрагированном пучках. Методы основаны на измерении 1) интегральной интенсивности отражения от кристалл-анализатора при экваториальной и азимутальной съемках 2) интенсивности аномально прошедшего пучка через совершенный кристалл (эффект Боррмана) в двух взаимно перпендикулярных положениях 3) интегральных интенсивностей рефлексов 111 и 333 от совершенного кристалла германия. Последний метод в экспериментальном отношении наиболее простой. [c.274] Экспериментальное определение отражательной способности рентгеновских лучей монокристаллов фосфида галлия. Шелег А. У. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 72—79. [c.274] Яд-монохроматическом излучении измерена отражательная способность рентгеновских лучей от полярных плоскостей (111) и (111) фосфида галлия. Измерения показали, что отражательные способности плоскостей (111) и (111) для трех порядков отражения (111, 222, 333) одинаковые, что подтверждается теоретическими подсчетами. Проведены подсчеты отражательной способности идеально совершенного по-глощаюшего и идеально мозаичного кристаллов. Показано, что экспериментальные значения отражательной способности реального кристалла фосфида галлия лежат между теоретическими величинами, подсчитанными для этих двух крайних случаев. [c.274] Таблиц 2. Рис. 4. Библиографий 21. [c.274] Электронографическое исследование фтористого натрия при низких температурах. Марголина А. П. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 80—84. [c.274] Вернуться к основной статье