ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние адсорбции газов на фотолюминесценцию из "Люминесценция и адсорбция" О2) расположены на расстояниях в несколько постоянных решетки, вероятность указанных переходов практически будет равна нулю. [c.27] Более вероятным представляется нам захват адсорбированными атомами или молекулами кислорода свободных носителей тока (в частности, электронов, так как кислород является акцептором электронов) при упрочнении связи хемосорбированной частицы с решеткой. Это приведет к уменьшению концентрации свободных электронов и уменьшению интенсивности люминесценции. [c.27] Кроме того, изменение положения уровня Ферми в результате заряжения поверхности определенным образом повлияет на вероятность безызлучательных переходов. Заметим кстати, что исследования велись при кратковременном освещении с целью недопущения фотодесорбции, которая, как показали различными методами Е. К- Пуцейко [35], И. А. Мясников [36] и Ю. П. Солоницын [37], имеет место (рис. 5). [c.27] Непрерывное освещение приводит к фотодесорбции, которая в соответствии с электронной теорией хемосорбции в случае акцепторных молекул связана с делокализацией захваченных ранее электронов и увеличением их концентрации. Последнее в свою очередь приводит к увеличению интенсивности люминесценции. [c.27] Шехтер, И. А. Мясников и С. Я- Пшежец-кий [34] исследовали влияние кислорода ка люминесценцию самоактивированных пленок 2пО, обладающих зеленой и оранжевой люминесценцией. Авторами показано, что кислород тушит зеленую полосу люминесценции и не тушит оранжевую (рис. 6). Люминесценция восстановленных образцов также тушится преимущественно в коротковолновой части спектра. Объяснение тушащего действия кислорода сводится к выключению при адсорбции центра, ответственного за зеленую люминесценцию. [c.28] уменьшением числа хемосорбированных молекул. [c.30] Интересные результаты получены В. И. Бороденко и Б. М. Гугелем [39, 40], исследовавшими влияние адсорбции паров щелочных металлов на фотолюминесценцию сульфида цинка, активированного серебром и медью. При этом было установлено, что в начальный момент адсорбции паров наблюдается рост интенсивности фотолюминесценции фосфоров, а затем ее спад (рис. 9). [c.31] Лашкаревым и Ю. И. Карханиным [41] показано, что инфракрасная люминесценция закиси меди происходит при аннигиляции экситонов на незаполненных акцепторных уровнях, обусловленных вакансиями меди. В связи с этим очевидно, что изменение поверхностного изгиба зон ведет к изменению числа незаряженных акцепторов на поверхности и в приповерхностной области. Последнее должно привести к изменению интенсивности люминесценции. [c.31] Загиб зон может быть изменен при адсорбции газовых молекул [42], при контакте поверхности с электролитами [43—48], а также под влиянием электрического поля, приложенного к поверхности полупроводника [49—57]. [c.32] В работе [42] Г. П. Пека исследовала влияние сухого и влажного воздуха на фотолюминесценцию закиси меди. Оказалось, что адсорбция воздуха ведет к значительному обратимому уменьшению люминесценции. При этом влажный воздух в отношении гасящего действия оказывается более эффективным. Гашение инфракрасной люминесценции закиси меди при контакте с водой и некоторыми электролитами, наблюдавшееся в работе [43], связывается с адсорбцией ионов водорода, которые выступают в этом случае в роли акцепторов электронов. [c.32] Появление фотолюминесценции у прокаленного не-люминесцирующего силикагеля после смачивания его водой наблюдала также Н. Е. Веденеева [46]. Интенсивность и вид спектра сильно зависели от температуры. Автор связывает наблюдаемую люминесценцию с поверхностными группами ОН. Появление дополнительной полосы отмечалось также в работе Ф. И. Вергунас и Г. А. Коновалова [47], наблюдавших в случае мелкодисперсной окиси цинка появление дополнительной полосы у 414—430 нм. В некоторых с случаях наблюдалась дополнительная полоса у 480 нм [48]. Ниже будет описано появление новых полос в спектрах радикалолюминесценции (по сравнению со спектрами фотолюминесценции). [c.33] Вернуться к основной статье