ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Радикалолюминесценция с точки зрения электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках из "Люминесценция и адсорбция" Выяснение физико-химической природы радикалолюминесценции и основных ее особенностей, естественно, ставит вопрос о механизме передачи энергии, выделяющейся при рекомбинации атомов и радикалов в молекулу на поверхности кристаллофосфора-катализатора, центрам свечения, т. е. механизме возбуждения радикалолюминесценции. Энергетически несомненно,— писал С. И. Вавилов [153],— что возбуждение молекул или атомов, сопровождающееся хемилюминесценцией, получается за счет освобождающейся химической энергии, однако ни в одном случае достоверно неизвестен самый механизм возбуждения при хемилюминесценции . [c.90] В частном случае радикалолюминесценции решение вопроса о механизме возбуждения оказалось возможным на основе зонной модели кристаллофосфора и электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках, развиваемой Ф. Ф. Волькенштейном [5—8, 154—161]. При этом мы предполагаем, что электронно-дырочные процессы, происходящие в ка-тализаторе-кристаллофосфоре в результате процессов адсорбции, рекомбинации радикалов и десорбции образовавшихся молекул, могут привести к возбуждению центров свечения и, как результат, вызвать люминесценцию. [c.90] Рассмотрим процессы, происходящие при рекомбинации свободных радикалов в молекулу на поверхности кристаллофосфора. Поверхность в этом случае играет роль третьего партнера в реакции рекомбинации, которому передается энергия рекомбинации [161, 162]. [c.90] Заметим кстати, что роль фосфора не ограничивается отводом избыточной энергии здесь он выступает как катализатор реакции рекомбинации. [c.90] Реакция рекомбинации свободных радикалов в молекулу на поверхности фосфора, как и всякая гетерогенная реакция, оказывается состоящей из целого ряда стадий (адсорбция радикала, взаимодействие радикалов, их рекомбинация и десорбция молекул). При этом следует иметь в виду, что адсорбция радикалов, являющаяся начальной стадией процесса рекомбинации, происходит на некоторых активных центрах, называемых центрами адсорбции. Центрами адсорбции могут служить как регулярные атомы плоской поверхности, так и геометрические неоднородности (пики, вершины, ребра) кристаллов, различные микродефекты поверхности, примеси, носители тока (свободные электроны и дырки) на поверхности полупроводника и т. п. [154, 155]. [c.91] Вернуться к основной статье