ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Взаимодействие между дефектами. Частные решетки из "Физическая химия полупроводников" Предполагается, что в случае любого соединения можно определить предельные конфигурации (ковалентную и ионную) и распределение электронов в подобных формулах. Случай чистой ионной связи никаких трудностей не представляет, так как распределение определено правилом октета и необходимость приведения электронной формулы атома Цинтля к формуле следующего за ним в периодической таблице инертного газа дает формулы такие, как Ga +As , ZnHS -, Pb +S , Na l и т. д. Случай ковалентной связи менее прост. Мы видели (см. гл. II, 3), что для внедрения в систему ковалентных связей атом примеси должен был полностью принять электронную формулу своего хозяина. Именно так Шокли 37] и затем Риз [29] описали атом мыщьяка AS+, внедренный в систему связей гибридными орбитами sp3 кристалла германия или кремния. Полинг [11], с другой стороны, рассматривал возможность обозначать химическими символами формальные заряды, соответствующие полученному размещению, поделив электроны общих пар поровну между связанными атомами, и 0 бозначал таким образом окись триметил-амина РзК+0 . [c.50] коэффициент Я представляет собой долю блуждающего электрона, связанного с X, т. е. что в случае тетраэдрической связи атом X будет содержать количество валентных электронов, равное 4Х блуждающих -Ь -i- 4 постоянных. [c.53] Большая величина константы Маделунга для флюо-ритной структуры дает возможность предвидеть, что, не взирая на нулевое значение Яо, для соединений семейства Mg2Sn значение Я будет больше. [c.55] В одном семействе бинарных соединений (например, ZnS, ZnSe и dTe) благодаря варьированию значений А, между всеми составляющими элементами могут появиться разности электроотрицательностей так же, как и поляризация атома X. [c.55] Гудмэн [45] первый указал на недостаточность термина ионный характер , который был введен Полингом и основан лишь на понятии электроотрицательности. [c.56] Подытоживая все сказанное, в основном имея в виду явление примесной полупроводимости и предвидение этого явления в новых химических соединениях, рассмотрим одни лишь ковалентные формулы (особенно когда придется проводить границу между сплавами и полупроводниками внутри области интерметаллидов [гл. IV]. И, наоборот, при рассмотрении полупроводимости вследствие отклонения от стехиометрии будем разбирать только ионные формулы, в особенности когда надо будет выяснить поведение полупроводниковых окислов (гл. V). [c.56] наконец, желая эмпирическим путем подсчитать электрические характеристики соединений, примем во внимание оба вида формул и последовательно подсчитаем их долю. [c.56] ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖДУ ДЕФЕКТАМИ. [c.57] Вернуться к основной статье