ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Диффузия дефектов и примесей из "Физическая химия полупроводников" В табл. 7 даны некоторые величины констант диффузии для кристаллов германия и кремния. [c.57] При одновременной диффузии двух примесей обычно возможно использование какой-либо из вышеуказанных формул. При этом пренебрегаем внутренним взаимодействием носителей (в следующем разделе мы убедимся в том, что это лишь приближение). [c.60] Представим себе, что для р-области мы хотели бы получить очень тонкий слой Х2—л ь благоприятный для действия повышенных частот транзистора п-р-п, например 2х 10 см (величина, достигнутая вышеприведенными авторами) находим, что диффузия (если она происходила при 1200° С) должна была продолжаться немного более двух минут. Это дает возможность применить более низкую температуру, благодаря чему лучше отрегулировать продолжительность действия соответствующего температурного интервала. [c.61] Приведенные выше формулы непригодны для изучения электролитической проводимости в зависимости от влияния внешнего поля, которое при повышенных температурах так характерно для этих кристаллов. [c.61] Идет ли речь об ионных или ковалентных кристаллах, поверхностные эффекты имеют большое значение. Действительно, первый закон Фика показывает, что диффузионный поток невозможен без градиента концентрации. Если имеется диффузия из газообразной фазы в твердую, то на поверхности кристалла возникает градиент от осаждения моноатомной пленки атомов газовой среды. Это явление, названное хемосорбцией, может быть определено как активная адсорбция или адсорбция с установлением химических связей. Иначе говоря, чужеродное тело фиксируется таким образом, что как бы составляет продолжение кристаллической решетки хозяина. [c.61] Если для сравнения взять температуру плавления Гу хозяина (в абсолютной шкале), то грубо приближенно определяем как 0,3 Tf точку, в которой начинается хемосорбция, и как 0,5 Г/ (температура Таммана) точку, в которой начинается диффузия внутри самого кристалла. [c.61] Вернуться к основной статье