ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Решетки частные и решетки компенсированные из "Физическая химия полупроводников" Г существуют ионно-ковалентные связи. [c.77] Соединения LiAs и NaSb, наконец, можно написать [As] Li+ и (Sb]-Na+ их элементарные частные решетки имеют цепную структуру, аналогичную структуре А8 селена и теллура. Именно эти разнообразные компенсированные решетки включены в табл. 5 как соединения, являющиеся производными простых структур, стремящихся iK ковалентности. [c.80] Заметно, что компенсированные решетки могут одновременно иметь характерные черты обоих механизмов полупроводимости, определенных во II гл. Так, кристаллы В1гТез в плоокости частной решетки обладают повышенной электронной подвижностью, свойственной кристаллам с преобладающей ковалентной формулой (800 см /в-сек), в то время как величина эта значительно меньше в. перпендикулярном направлении, где связи межузловой компенсирующей решетки (МКР) в основном ионные. [c.80] Миасава и др. [72] выяснили, что в ssSb появляется электролитическая проводимость (при повышенных температурах), свойственная ионным кристаллам, с отложением ионов s+ на аноде. В то же время электронная подвижность, вызванная частной решеткой (i ], по меньшей мере равна 500 см /в сек при комнатной температуре. [c.80] Вернуться к основной статье