ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Особенности механизмов плазмоактивированных процессов ХОГФ из "Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы" Электроны и ионы бомбардируют поверхность подложки в процессе поступления на нее ХАЧ. Энергия электронов определяется амплитудой ВЧ напряжения, а энергия ионов — возникающим у поверхности подложки за счет разной подвижности электронов и ионов напряжением автосмещения (D bias) [23]. Активирующее (создание активных центров адсорбции) и распыляющее (удаление поверхностных атомов) воздействие ионов на поверхность значительно больше, чем у электронов, за счет большей массы. [c.94] При низких скоростях потоков исходных реагентов мощность плазменного разряда обеспечивает полную диссоциацию молекул поступающих реагентов, и в таком режиме скорость осаждения сильно зависит от скорости потоков исходных реагентов. При больших расходах исходных реагентов мощности плазменного разряда не хватает для полной диссоциации реагентов, и при таком режиме скорость осаждения сильно зависит от мощности плазменного разряда. [c.95] Так как осаждение пленки происходит только в области плазмы, чтобы минимизировать осаждение на внутренние стенки реактора, зону плазмы обычно ограничивают. Универсальный планарный реактор ПА ХОГФ с плоскопараллельными электродами, холодной стенкой и индивидуальной обработкой пластин эффективно концентрирует плазму, а следовательно, и процессы осаждения в области расположения пластины, а также имеет возможность плазменной самоочистки. [c.95] Концентрация примесей в осаждаемых пленках зависит от скорости подачи реагента, содержащего примесь, энергии и интенсивности ионной бомбардировки подложки и температуры подложки в процессе осаждения. Для уменьшения концентрации примесей следует снизить расход реагента, содержащего примесь, увеличить расходы сопутствующих газов, повысить мощность плазменного разряда (ВЧ мощность) и температуру осаждения (температуру подложки в процессе осаждения). [c.95] В этих процессах покрытие и заполнение рельефа контролируется физическим распылением, а не используемыми химическими реагентами, которые выбираются только из условия обеспечения минимального уровня загрязнения (примеси) осаждаемой пленки. [c.97] Основным ограничением процессов ПА ХОГФ является электрический заряд, вносимый в осаждаемую пленку, и эффекты зарядки структур ИМС, которые могут приводить к пробою тонких пленок подзатворных диэлектриков и деградации характеристик МОП транзисторов. По этой причине, чем ближе обработка находится к транзисторной структуре, тем более осторожно в технологии ИМС используются процессы ПА ХОГФ [5-8]. [c.98] Вернуться к основной статье