ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Выращивание кристаллов и легирование из "Химия несовершенных кристаллов" При таком превращении образуются атомы определенного вида. Однако здесь возникают осложнения, связанные с тем, что атомы примеси не всегда занимают нормальное положение в кристаллической решетке отдача при бомбардировке может привести к переходу атомов в междоузлия. [c.29] При легировании кристаллов в процессе их выращивания основная проблема состоит в том, чтобы получить кристаллы с однородным распределением примесей, т. е. предотвратить сегрегацию. Способы решения указанной проблемы зависят от методов выращивания кристаллов. [c.29] В данном разделе проблема выращивания кристаллов рассматривается с практической стороны. Теоретические вопросы зародышеобразования, роста по дислокационному механизму и др. не затрагиваются, поскольку по ним имеется обширная литература [99, 100]. [c.29] В зависимости от фазы, из которой выращивают кристалл, различают четыре метода приготовления кристаллов [100, 101] 1) из пара 2) из жидкой фазы 3) из гидротермального раствора 4) с помощью реакций в твердой фазе. [c.29] Вернуться к основной статье