ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Об основных допущениях теории длительного свечения кристаллофосфоров Элементарный закон затухания длительного свечения кристаллофосфоров. Рассмотрение возбуждения и затухания фосфоресценции и оптической вспышки фосфоров с глубокими уровнями локализации Фосфоры типа сернистого цинка из "Фотолюминесценция жидких и твердых веществ" Как указывалось выше, экспоненциальный ход затз хания может наблюдаться в некоторых случаях и нри рекомбинационном процессе. Поэтому экспонех1циальпый ход затухания не устраняет ещё возможности рекомбинационного характера процесса, гиперболический же ход затухания является важным доводом в пользу рекомбинационного характера свечения. [c.324] Подобные н е опыты в Солее расширепно.м интервале интенсивностей возбул дающего спета были повторены с помощью фосфороскопа М. В. Новичковой и автором [305]. Здесь интенсивность возбуждения менялась в 200 раз, а интенсивность свечения на первых стадиях затухания, соответственно, в 40 ООО раз (рис. 189). [c.324] Квадратичная зависимость между интенсин-иостью возбуждения Е и начальной яркостью свечеиия при малых интенсивностях возбуждения для двух образцов ZnS Си-фосфора. Возбуждение импульсное. [c.324] Квадратичная зависимость меж у интенсивностью возбуждения Е и начальной яркостью свечения t7o при больших интенсивностях возбуждения (ZnS Gu-фосфоры). [c.325] Рис 190. Совпадение спектрального положения мест гелективного фотоэффекта (сплошная кривая) и мест максимального возбуждения длительного свечения aS Bi-a-фосфора (заштрихованные кривые), нормальный фотоэффект—пунктирная кривая. [c.326] Заштрихованными кривыми внизу отмечены области спектра, особенно сильно возбуждающие длительное свечение. [c.326] На рис. 191 изобрангена величина тока проводимости, рассчитанная на единицу энергии падающего на фосфор света [156], Кривые сняты при различной напряжённости (от 6400 до 16 ООО ej M) приложенного к фосфору внешнего электрического поля. [c.326] Рис 191, Совпадение спектрального положения мест максимального возбуждения длительного свечения СаВ-В1,Ма-фосфоров (( -максимумы) и спектральных участков максимального увеличения электропроводности фосфоров при освещении. [c.326] Включив фосфор в цепь чувствительного баллистического гальванометра, МОЖНО установить прямую пропорциональность между количеством электричества, протеютего в цепи, и величиной излучённой фосфором световой суммы. Опыт проводился при сильной вариации величины световых сумм, излучавшихся при различном возбуждении фосфора, или при неполном его высвечивании, регулировавшемся нагреванием. [c.327] В опытах Д. В. Гуревич, Н. А. Толстого и П. П. Феофилова [182] на монокристаллах сернистого кадмия производилось сравнение нелинейной фотопроводимости Да и фосфоресценции ]. [c.327] По виду функциональной зависимости S совпадает с Дз (3.7). Возбуждение dS производилось двумя участками спектра ртутной лампы — длинноволновой областью . = 578 и 546. Wfi, и коротковолновой Х = 436 405 366 и 334 м ).. [c.327] Таким образом, правые части равенств (3.8) и (3.9) тождественно равны при длинноволновом возбуждении кинетика изменения световой суммы dS полностью совпадает с кинетикой фотопроводимости. Полученный результат в свою очередь указывает на то, что число электронов тг л. вызывающих фотопроводимость, у dS пропорционально наличной световой сумме S = Иопт. т. е. [c.327] При коротковолновом возбуждении изменение фотопроводимости идёт также по гиперболическому закону, однако а — 1 р. [c.327] Опыты с электропроводностью п с внешним фотоэлектрическим эффектом заставляют связывать возбуждение фосфоресценции с полным отделением электрона от центра, поглотившего свет. [c.328] Вернуться к основной статье