ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Вторичные фосфоресценции и число повторных локализаций у щёлочноземельных фосфоров из "Фотолюминесценция жидких и твердых веществ" Как указывалось, механизм вторичной фосфоресценции состоит в том, что при поднятии в полосу проводимости электронов, локализованных на уровнях вспышки, часть из них не рекомбинирует, а претерпевает повторную локализацию на мелких уровнях фосфоресценции, с которых в дальнейшем освобождается термическим путём, создавая свечение вторичной фосфоресценции. Энергия повторных фосфоресценций черпается из энергии соответствующей вспышки и определяется её величиной. Так как яркость вспышки зависит от величины аккумулированной световой суммы и от распределения электронов по уровням локализации, то и вторичные фосфоресценции будут зависеть от этих величин. В частности, величины световых сумм вторичных фосфоресценций, возникающих при повторных вспышках (рис. 186), должны дать в зависимости от аккумулировапных фосфором световых сумм такой же ряд кривых, какой получается для самих интенсивностей вспышек. [c.406] Опыт подтвердил это заключение. Величины световых сумм повторных фосфоресценций 5ф для предварительно различно возбуждённых фосфоров нанесены на рис. 272 в зависимости от заключённых в фосфоре световых сумм 1. в вспышек. Различные кривые соответствуют различным величинам первоначального возбуждения. Каждая кривая даёт изменение световой суммы повторной фосфоресценции с изменением световой суммы вспышки. Кривые рис. 272 очень сходны с кривыми Зв рис. 186, стр. 318. Здесь так же, как и на рис. 186, имеется параболическая зависимость световых сумм первых повторных фосфоресценций от световых сумм, локализованных на глубоких уровнях. В таблице 54 приводятся соответствующие числовые данные. [c.406] Явление переноса электронов с глубоких уровней иа мелкие под влиянием инфракрасных лучей у щёлочноземельных фосфоров довольно распространено. Так, например, оно наблюдается в весьма отчётливой форме медленного разгорания свечения при длительном облучении инфракрасными лучами предварительно возбуждённых и уже затухших 8г8-В1-фос-форов. [c.407] Основным выводом из описанной серии опытов с вторичной фосфоресценцией, помимо доказательства раздельного существования уровней вспышки и уровней фосфоресценции, является также вывод о малом влия-Еви повторных локализаций иа высвечивание Са8-8г8-Се, 8ш, Ва-фосфора и относительно малом числе таких локализаций у. отого типа фосфоров. [c.407] Вернуться к основной статье