ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Квантовое магнитное туннелирование из "Физико-химия нанокластеров наноструктур и наноматериалов" Петля гистерезиса состоит из вертикальных и плоских участков. На плоских участках гистерезисной петли время релаксации магнитного момента больше времени измерения (1т 600 с). На наклонных участках время релаксации близко ко времени измерения, что приводит к ряду минимумов на кривой зависимости времени суперпарамагнитной релаксации т от величины внешнего магнитного поля (рис. 16.14 а). [c.542] Время релаксации осциллирует по отношению к приложенному полю с минимумами, соответствующими ступеням на петле гистерезиса. На рис. 16.145 приведены экспериментальные значения, полученные для разных значений Щ, которые отвечают минимумам на кривой т = /(Я) (рис. 16.14 о), при этом величина Щ меняется от О до 2,64 Тл с шагом Нп+ - Я = ДЯ = 0,44 Тл и в этих точках происходит скачкообразно изменение т. Эти эффекты могут быть поняты на основе электронного строения и туннельных переходов между электронными уровнями молекулярного кластера Мп)2 (рис. 16.15) [16]. [c.543] Уменьшение времени релаксации с повышением температуры (рис. 16.145) связано с туннелированием электрона через возбужденные уровни с меньшим больцмановским заселением. При этом вероятность туннелирования зависит от ширины и высоты барьера и каждый минимум времени релаксации соответствует резонансному туннелированию с данного уровня со временем порядка времени измерения. [c.544] Такие кластеры рассматриваются как молекулярные магниты, которые могут применяться для хранения и реализации информации, но с колоссальной плотностью записи. Использование многоуровневого туннелирования позволяет использовать подобные наноустройства в квантовых компьютерах, позволяющих сушественно продвинутся в области емкости памяти и быстродействия устройств. [c.544] Вернуться к основной статье