ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Образование дефектов в к.ристалл11ЧС.1АРЙ.даретке из "Курс теории коррозии и защиты металлов Изд2" Образующиеся на поверхности металлов сплошные пленки продуктов коррозии не прекращают взаимодействия металлов с окислителем, так как металл или окислитель либо и металл, и окислитель могут растворяться в пленке с одновременной их ионизацией, т. е. [c.34] Сопротивление диффузии частиц и сопротивление миграции частиц в электрическом поле имеют одну и ту же природу, что указывает на общность механизма диффузии и электропроводности и позволяет использовать данные об электропроводности при изучении и объяснении явлений диффузии. [c.34] С повышением температуры Г ионная проводимость растет (йх, йТ 0), а электронная проводимость х,. падает d яJdT 0). [c.35] В области низких температур кристаллы стехиометрического состава стремятся к идеально упорядоченному состоянию, но часто не могут достигнуть его по кинетическим причинам. При повышении температуры отклонения от упорядоченной структуры увеличиваются, т. е. возрастает число дефектов кристаллической решетки. Самый факт существования кристаллов нестехиометри-ческого состава может быть истолкован, только если допустить в них наличие разупорядоченности. [c.35] Возможны следующие механизмы образования дефектов, находящихся в термодинамическом равновесии с кристаллом продуктов химической коррозии металлов в целом. [c.35] Оба типа этих дефектов могут обусловливать перемещение электронов в одинаковой степени. [c.37] Катионы способны перемещаться по катионным вакансиям, а электроны по электронным дыркам (катионам более высокой валентности) прп этом п,, + э = 1- К этому типу относятся такие соединения, как NiO, FeO, СоО, ugO и др. [c.37] Перемещение катионов н электронов осуществляется в междоузлиях, при этом к + 1. К этому типу относятся такие соединения, как ZnO, AljO,, (при высоких температурах), iO, ВеО и др. [c.37] Перемещение анионов осуществляется по анионным вакансиям, а электронов —в междоузлиях, при этом аг, + п., -- 1. К этому типу относятся такие соединения, как а = РеаОз, Т10г и др. [c.37] В кристаллах с занятыми междоузлиями следует ожидать более высоких, а в кристаллах с вакансиями — более низких средних значений постоянной решетки, чем в кристаллах с идеалыю запо.дненной решеткой. [c.38] Вернуться к основной статье