ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Подвижность и проводимость из "Физика и химия твердого состояния" Как мы видели выше, концентрация носителей заряда в полупроводнике представляет собой обычно чувствительную функцию температуры и чистоты материала, что резко отличает полупроводник от металла. Именно это обстоятельство заставляет исследователей сосредоточить внимание на подвижности и, а не на проводимости сг. Подвижность представляет собой во многих отношениях более фундаментальную характеристику, чем проводимость, величина которой может изменяться на много порядков от образца к образцу вместе с изменением концентрации носителей заряда. Конечно, если известна подвижность и, можно непосредственно найти и а [см. (368)]. [c.248] В полупроводниковых кристаллах, имеющих долю ионной связи, электроны проводимости (дырки) гораздо сильнее взаимодействуют с оптическими колебаниями, чем с акустическими. Это связано с тем, что электрон (дырка) сильно взаимодействует с диполями, возникающими в кристаллической решетке при оптических колебаниях (см. гл. И, 3) разноименно заряженных ионов. [c.250] Следовательно, и в этом случае и (Т) 7 . [c.250] Рассеяние на дефектах. В области низких температур в рассеянии носителей заряда могут играть роль также и точечные дефекты решетки. Расчет для стандартной зоны [6] дает т — Т . т. е. такой же результат, как и в случае рассеяния на акустических фононах (446). Следовательно, и температурная зависимость подвижности и Т) будет определяться законом Т Ь. [c.251] Путем сравнения времен релаксации тд и Тф [см. (395)] можно показать, что этот механизм Дает незначительный вклад при комнатной температуре, но зато он может быть существенным при низких температурах. [c.251] В реальных полупроводниках имеют место все виды нарушения строгой периодичности поля решетки, поэтому рассеяние носителей носит сложный хврак-тер. Если считать, что все механизмы рассеяния независимы, то полное время релаксации можно определить по формуле (391). [c.251] В примесном полупроводнике, как следует из рис. 104, при достаточно высоких температурах проводимость полупроводника является собственной, а при низких температурах — примесной. В области истощения примеси концентрация основных носителей остается постоянной и проводимость меняется вследствие изменения подвижности с температурой. [c.252] Вернуться к основной статье