ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Полупроводниковые триоды (транзисторы) из "Физика и химия твердого состояния" Транзистор — это наиболее распространенный в микроэлектронике. прибор с р— -переходом. В основе его работы лежит рассмотренная выше инжекция носителей. Плоскостные транзисторы могут быть р— —р- и —р— -типов. В качестве примера рассмотрим транзистор п—р— -типа. Он состоит из монокристалла германия или другого полупроводника, имеющего узкую центральную область р-типа, ограниченную с обеих сторон материалом -типа [17]. Напряжение подводится к трем металлическим электродам так, что один —р-переход (эмиттер) смещен в прямом направлении, в то время как другой переход (коллектор) смещен в обратном направлении. Область, разделяющая эмиттер и коллектор, называется базой (рис. 190). [c.462] Поскольку п—р-переход эмиттер—база смещен в прямом направлении (энергетический барьер понижен на еУ ), из эмиттера в базовую область течет заметный электронный ток электроны эмиттируются (инжектируются) в базу — отсюда и название. [c.462] Работающий по такой схеме транзистор во многих отношениях подобен вакуумному триоду, причем эмиттер играет роль катода, база — роль сетки, а коллектор работает как анод. Однако транзистор, несмотря на то, что он состоит из трех основных частей, работает скорее не как триод, а как пентод с очень большим импедансом коллектора (анода), что позволяет снимать бол ьшие напряжения. [c.463] При а 10 см и яй 10 см р = 0,9999. Это означает, что в реальных транзисторах фактически все электроны, инжектированные в базовую р-область, действительно достигают коллектора. [c.464] Мы кратко рассмотрели принцип действия р—п-перехода в гомогенном по составу полупроводнике. Дальнейшие исследования [20, с. 61 ] показали, что многие свойства полупроводниковых приборов можно улучшить, используя так называемые гетеропереходы — контакты двух различных по химическому составу полупроводников. Энергетическая зонная модель и инжекционные свойства гетероперехода, а также область применения его определяются опять же условиями изготовления. Успехи в этой области связаны прежде всего с успехами физико-химии и технологии эпитаксиального выращивания кристаллов. Среди большого числа различных методов эпитаксиального роста полупроводниковых кристаллов широкое распространение получил метод жидкостной эпитаксии [21 ]. Он стал основным при изготовлении многих важных полупроводниковых приборов [20, с. 61 и 92]. [c.464] Вернуться к основной статье