ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Оптические свойства из "Физика и химия твердого состояния" Оптические свойства тонких пленок изучаются уже в течение нескольких столетий. Первые исследования проведены, по-видимому, в XVII в., исследование же оптических свойств НК начато сравнительно недавно, поэтому работ, посвященных этому вопросу, очень мало [6]. [c.500] Подробно изучали люминесцентные свойства НК Na l Лидер, Бережкова и Рожанский (1963 г.). Они установили, что при росте из раствора активирующая примесь (Ag) входит в кристалл неравномерно и создает отдельные яркие области свечения. Из-за малого объема интенсивность свечения отдельных кристаллов была очень слабой, поэтому спектры люминесценции снимали в группы НК, собранных в пучок. [c.501] Известно, что щелочногалоидные кристаллы обладают радиационной памятью, обусловленной запасанием энергии ионизирующей радиации на F-центрах. Эта память сочетается с удобством считывания информации о запасенной энергии простыми оптическими методами. Тем не менее способность массивных монокристаллов запасать энергию на. электронных центрах не используют, на практике в дозиметрических целях, поскольку а) накопление F-центров в широком диапазоне температур происходит по сложному закону б) для интервалов доз, при которых накопление происходит по линейному закону, наблюдается нелинейная зависимость скорости накопления от интенсивности радиации. Мелик-Гайказян и др. (1970 г.) показали, что оба недостатка макрокристаллов щелочногалоидных кристаллов отсутствуют у НК КВг, в связи с чем их можно использовать в качестве дозиметра. [c.501] Изучение оптических свойств НК несомненно имеет важное значение и для фундаментальных, и для прикладных исследований. [c.501] Тонкие пленки. Они получили гораздо большее распространение в науке и технике. Помимо широкого использования в оптических устройствах (покрытие зеркал, различные интерференционные я поглощающие фильтры, просветляющие покрытия, защитные покрытия, предотвращающие окисление и повреждение оптических поверхностей, и др.), тонкие пленки в настоящее время применяют для контроля температуры космических объектов, а также в качестве приемников видимого и инфракрасного излучения. Во всех перечисленных случаях весьма важно иметь точные данные об оптических свойствах пленок и прежде всего данные о коэффициентах отражения, пропускания и поглощения света в однослойных или многослойных системах пленок. [c.502] Овербек (1933 г.) изучал цвета тонй1Х пленок олова, распыленных на воздухе или в кислороде, и пришел к заключению, что цвет покрытия обусловлен интерференционными явлениями [9]. Кроме того, он провел несколько процессов распыления в азоте. Полученные пленки были темно-коричневого цвета, но становились прозрачными при последующем отжиге на воздухе. [c.502] Измерениями оптического поглощения можно получить весьма полную информацию об электронной структуре тонких полупроводниковых пленок. На рис. 199 приведены результаты измерений Панка и Дэви (1966 г.) на пленках GaAs вблизи края основного поглощения. Избыточное поглощение непосредственно за краем полосы (в сторону более длинных волн, меньших энергий) обусловлено мелкими примесями, а также структурным несовершенством, проявляющимся в виде возмущений зонной структуры, приводящих к появлению хвоста состояний в запрещенной зоне. Дискретные пороги поглощения при энергиях, меньших 8g, обычно непосредственно связываются с дискретными уровнями в запрещенной зоне, обусловленными определенными примесями или несовершенствами. [c.503] Поглощение, обусловленное несовершенствами, может в принципе наблюдаться (и в действительности наблюдается) при любых длинах волн, превосходящих край основной полосы. Однако в инфракрасной области спектра наблюдают еще и характеристическое поглощение, определяемое химическими связями, например типа Si—О или Si—С, в кремнии, содержащем кислород или углерод, а также поглощение на колебаниях решетки и так называемое поглощение свободными носителями, обусловленное переходами носителей между соседними состояниями в пределах зоны проводимости или валентной зоны. Наблюдаются также различные переходы свободных носителей заряда. Рассмотренные выше явления в микрообъектах представляют лишь незначительную часть всех известных размерных эффектов. Более полное представление об исследованных размерных эффектах читатель может получить из монографий и обзоров [2, 3, 7—9]. [c.503] Вернуться к основной статье