ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Никелевые пористые проницаемые материалы из "Металлические порошки и порошковые материалы" Способ изготовления - спекание порошка в состоянии свободной насыпки в атмосфере водорода при температуре 800 20 °С. [c.394] Способ изготовления - прессование порошка при давлении 5 тс/см , спекание заготовок в атмосфере водорода при температуре 1300 °С. [c.395] Свойства порошковых материалов из коррозионностойкой стали представлены в табл. 4.92. [c.395] Масса фильтрующих элe ieнтoв 0,2-0,7 кг Габариты фильтрующих элементов типа втулки диаметр - от 12 до 102 мм, длина - до 800 мм. [c.395] Габариты и области применения фильтрующих элементов представлены в табл. 4.93. [c.395] Исходный материал - порошок никелевый карбонильный ПНК-0Т2 (ГОСТ 9722-97). [c.396] Способ изготовления - прессование порошков при давлении 3-4 тс/см , формование в гидростате при давлении 1-1,5 тс/см , спекание заготовок в атмосфере водорода при температуре 1000-1050 °С. [c.396] Свойства и области применения никелевых проницаемых порошковых материалов представлены в табл. 4.93. [c.396] Исходный материал - порошки никелевые электролитические. [c.396] Свойства порошков, используемых для производства фильтрующих элементов, представлены в табл. 4.94. [c.396] Способ изготовления фильтрующих элементов - прокатка порошков в пористую ленту (в непрерывном режиме) с последующим спеканием (табл. 4.95). [c.396] Свойства и области применения бронзовых проницаемых порошковых материалов представлены в табл. 4.89-4.91. [c.397] Свойства фильтрующих элементов, изготовленных из никелевых пористых лент УЭХК, представлены в табл. 4.96, свойства фильтров - в табл. 4.97. [c.398] Все фильтрующие элементы можно регенерировать. [c.398] Возможно изготовление фильтрующих трубок, состоящих из нескольких (до 7) элементов, соединенных аргонод товой сваркой. [c.398] Фильтры используются для фильтрования воздуха, водорода, кислорода, аргона, гелия и других газов, химически инертных к материалам фильтрующего элемента и корпуса фильтра для подготовки технологических газов в производстве микросхем с высокой степенью интеграции. [c.398] Вернуться к основной статье