ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Учет радиационного распада уровней из "Квазистационарные распределения в кинетике" До сих пор рассматривалась сравнительно плотная плазма с преобладанием столкновительных переходов. В оптически тонкой плазме с малой электронной концентрацией наряду со столкновениями первого и второго рода атомов с электронами кинетика заселенностей возбужденных состояний будет определяться также и радиационным распадом уровней. Ниже будет показано, что в оптически тонкой водородной плазме при малых плотностях электронов за счет радиационного очищения нижнего лазерного уровня может возникнуть инверсная заселенность /40/. [c.123] Отметим, что реализация механизма релаксации за счет радиационной очистки нижнего уровня мало интересна, так как для пренебрежения обратными процессами поглощения квантов требуется условие малой оптической толщины плазмы и, следовательно, малые обьемы активной среды. Гораздо более интересным является столкновительный механизм создания инверсной заселенности, позволяющий использовать большие объемы активной среды. Такой механизм может реализоваться в сложных атомах в результате ветвления рекомбинационного потока. [c.125] Вернуться к основной статье