ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Микросхемы с импульсными источниками из "Основы тепло- и массообмена" Модель микросхемы. Пусть элемент 3 расположен на некоторой плате 2 и окружен слоем материала 1 (см. рис. 1.24, б) вся поверхность элемента является источником теплоты и в течение времени Ти действия импульса рассеивает hotok Ф. Будем считать, что скважность импульсов велика и за время между импульсами температура элемента успевает возвращаться к исходному состоянию. Определим среднюю температуру ta элемента, полагая, что его температурное поле равномерно. [c.57] Найдем 01 и 02 с помощью выражений (1.118), (1.123) — (1.125) в зависимости от формы источника, площадь которого обозначим А, а толщину б. [c.57] Напомним, что полученные зависимости (1.127) п (1.128) справедливы, если выполняются условия (1.120) и (1.121). [c.58] Формула (1.130) справедлива, если толщины йь йг областей 1 я 2 (см. рис. 1.24, а) превышают зону л прогрева, определяемую пср формуле (1.120). [c.58] По формуле (1.129) оцениваем, при каких длительностях т,, можно пренебречь аккумуляцией теплоты в резисторе т 3-2-4.10- /(7.610- ) =Ю.017 с. т- е. при меньших длительностях импульса пренебрегать аккумуляцией теплоты иельзя. [c.59] Радиодеталь в массиве. Радиодеталь радиусом г = 0.5 мм и высотой 0 = 0,2 мм прикреплена к керамической плате (Xi=2 Вт/(м-К) ai = =7,6-10- м /с), толщина платы fti = l мм, а толщина компаундного заполнителя ( 2=0,3 Вт/(м-К) 02=2,5-10-7 м /с) иад деталью /i2=2 мм. Радиодеталь является импульсным источником энергии, длительность импульса Ти = 0,1 с, тепловая мощность в импульсе Ф=0,1 Вт. Найти температуру детали к концу действия импульса, теплоемкостью детали пренебречь. [c.59] Вернуться к основной статье