Таллий теллурид

Т Те (таллия теллурид, таллий(1) теллуристый) 25 6,31 Ю" 90,28 39,20 [c.337]

Таллий металли- ческий Сульфид таллия Теллурид таллия Селенид таллия [c.173]

Как показали опыты, металлический таллий практически полностью растворяется в этиловом спирте за три часа. При тех же условиях сульфид таллия растворяется на 0,02%, селенид—на 0,05% и теллурид — на 0,09%. Опыты со смесью этих солей с металлическим таллием подтвердили полную растворимость в выбранных условиях металлического таллия и очень -незначительную сульфида, селенида и теллурида таллия. [c.173]

Результаты определения металлического таллия, сульфида, селенида и теллурида таллия методом добавок [c.173]

Сульфид, селенид и теллурид таллия можно перевести в раствор, применяя соответствующий окислитель, например азотную кислоту. Смесь солей или минералов, которые полностью растворимы в водных растворах солей, кислот или оснований и [c.174]

Из рис. 1 видно, что скорости растворения сульфида и теллурида таллия постепенно уменьшаются, по-видимому, вследствие уменьшения количества, а следовательно, и поверхности растворяемого вещества. Скорость растворения селенида таллия (рис. 2) некоторое время возрастает, а затем уменьшается. Очевидно, в первый период растворения поверхность соли уменьшается незначительно, а в процессе растворения образуется селенистая кислота, катализирующая растворение. [c.175]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Ряд авторов [42, 44, 45] отмечают, что теллуриды таллия как в твердом, так и в жидком состоянии — интересные термоэлектрические полупроводники с повышенным коэффициентом термо-э.д.с. и малой величиной электропроводности. В твердом и жидком состояниях сохраняется р-тип проводимости, однако в узкой области жидких составов (66—68 ат.% Те) проводимость является электронной. [c.165]

Ман [48] сообщила о новом ромбоэдрическом теллуриде таллия, полученном методом дифракции электронов. Периоды ячейки составляют а= 9,00 0,03 A с= 2,90 + 0,08 А пространственная группа ЯЪт, межатомные расстояния (в А) следующие 2,72—2,85 (Т1—Те), 2,87— [c.166]

В настоящее время известны два больших класса стекол с высокой электропроводностью (полупроводниковые). К первому классу относятся бескислородные халькогенидные стекла, состоящие из сульфидов, селепидов и теллуридов фосфора, мышьяка, сурьмы и таллия. Второй класс составляют кислородные стекла, содержащие большие количества окислов ванадия, вольфрама, молибдена, марганца, кобальта, железа, титана. Наилучшимп технологическими свойствами (хорошей химической стойкостью, высокой температуро1 5 размягчения обладают силикатные стекла с окислами железа и титана. [c.327]

В фотосопротивлениях используют таллофид (смесь таллия, серы и кислорода) с максимумом чувствительности в области около 1 мкм, теллурид свинца с максимумом в области 4,5 мкм, селенид кадмия с максимумом в области 0,75 мкм, сульфид свинца с максимумом в области 2,4 мкм, сульфид висмута с максимумом в области 0,7 мкм. Таким образом, большинство фотосопротивлений пригодно для работы в ИК-области спектра. Только фотосопротивления из сульфида кадмия имеют максимум чувствительности в видимой области и пригодны для работы в этом участке спектра. [c.243]

Ферроцианиды. Нормальный ферроцианид Т14[Ре(СМ)в]- 2НгО мало растворим в воде. Может быть осажден из растворов солей таллия (I) действием ферроцианнда калия. Еще менее растворимы двойные ферроцианиды с тяжелыми металлами, например Tl2 u,4[Fe( N)e]2[56]. Таллий (III) восстанавливается ионами [Fe( N)el Халькогениды. Халькогениды таллия сильно отличаются по свойствам от халькогенидов галлия и индия. Это сравнительно легкоплавкие соединения. Большей устойчивостью отличаются соединения низшей валентности. Из полуторных халькогенидов устойчив при нормальных условиях только теллурид, а TI2S3, возможно, вообще не [c.334]

Получение свободных щелочных металлов (1009). Очистка лочных металлов (1014). Гидриды щелочных металлов (И Моноксиды щелочных металлов (1025). Диоксиды (перокс щелочных металлов (1030). Диоксиды (надпероксиды) ще ных металлов (1031). Гидроксиды щелочных металлов (И Сульфиды, селениды и теллуриды щелочных металлов (К Нитрид лития (1035). Фосфиды, арсениды, антимониды и мутиды щелочных металлов (1036). Фосфиды щелочных таллов (1036). Арсениды щелочных металлов (1037). Ант ниды щелочных металлов (1040). Висмутиды щелочных ме лов (1041). Двухзамещенные ацетилиды (карбиды) щело металлов (1042). Однозамещенные ацетилиды щелочных таллов (1043). Фениллитий (1045). Силициды и герма щелочных металлов (1046). [c.1056]

Получение высокочистых селена и теллура в настоящее время является важной проблемой в связи со все растущей потребностью народного хозяйства в этих металлах. Элементарный селен широко используется для изготовления выпрямителей, фотоэлементов, в электронографии. Селениды и теллуриды нашли применение в качестве фотосопротивлений, люминофоров, кристаллических счетчиков. На основе селена и теллура получены сплавы с высокими термо- и фотоэлектрическими характеристиками. Однако микропримеси различных металлов, а также кислорода и галогенов оказывают большое влияние на свойства получаемых на основе селена и теллура. полупроводниковых материалов. Так, мйк-ропримеси кадмия изменяют электропроводность селена. Таллий очень сильно влияет на кристаллизацию селена. Чем больше таллия, тем более крупнозернистым получается селен. Наличие таллия также сказывается на тепло- и электропроводности селена. Примеси кислорода в селене в количествах 10 — 10- % изменяют проводимость селена. Также сильное влияние оказывают следы влаги. Известно, что галогены изменяют электрические свойства металлического селена при содержании 10 — [c.445]

В продуктах гидрометаллургической переработки свинцовоцинковых пылей таллий может находиться в виде сульфида, се-ленида, теллурида и металлического таллия. Для выбора условий селективного разделения этих соединений были синтезированы сульфид, селенид и теллурид таллия. [c.172]

Сульфид одновалентного таллия получали осаждением из слабоуксуснокислого раствора сероводородом. Осадок отфильтровывали, промывали водой, насыщенной сероводородом, и сохраняли под водой, насыщенной сероводородом, во избежание окисления Р]. Для получения селенида и теллурида металлический таллий нагревали в пробирках до - 600°С с эквивалентными количествами элементарных селена и теллура. После окончания бурной реакции пробирки охлаждали и разбивали. Поверхность полученных веществ тщательно очищали, растирали кусочки в агатовой ступке, промывали 2%-ной H2SO4, а затем 3—4 раза водой и высушивали в течение 8 ч при 105° С. Измельченные до —200 меш селенид и теллурид таллия анализировались на содержание таллия и соответствующего аниона (табл. 1). Химический и рентгеноструктурный анализы полученных соединений показали, что содержание примесей в них ничтожно, а содержание основного вещества близко к 100%. [c.172]

Для определения скоростей растворения сульфида, селенида и теллурида таллия их обрабатывали 100 мл азотной кислоты различной молярной концентрации (0,6—6,2) при постоянном перемешивании и температуре 25—27° С. Использовали навески, содержащие не более 5 мг Т1. Через определенные промежутки ь ремени отбирали порции раствора в 1 мл для определения содержания таллия. [c.175]

При сопоставлении скоростей растворения солей в азотной кислоте были выбраны условия селективного разделения сульфида, селенида и теллурида таллия. Для отделения сульфида от селенида и теллурида следует применять 0,6-м. HNO3. При этом за 10 мин сульфид таллия полностью растворяется, селенид не растворяется, а теллурид растворяется всего на 4% отн. Для последующего отделения теллурида от селенида надо применять 3,6-м. HNO3. При постоянном перемешивании теллурил таллия за 2,5 ч полностью переходит в раствор, а селенид тал ЛИЯ не растворяется. [c.175]

Ввиду того что при разделении сульфида от селенида и теллурида условия опыта практически неудобны, 0,6-м. HNO3 была заменена на 0,01-м. раствор AgNOs. При применении этого растворителя сульфид таллия за час полностью переходит в раствор, теллурид же растворяется на 1,5%, а селенид на 3,0%. [c.175]

Навеску в 1—2 г обрабатывают в течение 3 ч 150 мл 96%-ного этилового спирта при 25—27° С и постоянном перемешивании. Нерастворимый остаток отфильтровывают и в фильтрате определяют металлический таллий по методике [3], усовершенствованной Блюм и Ульяновой [4]. Остаток обрабатывают 100 мл 0,01-м. раствора AgNOs в течение часа. Нерастворившийся остаток отфильтровывают, промывают водой и в фильтрате определяют сульфид таллия. Остаток от растворения обрабатывают в течение 2,5 ч 100 мл 3,6-м. HNO3, отфильтровывают, промывают водой и в фильтрате определяют теллурид таллия. Остаток от этой операции обрабатывают 60 мл царской водки при (кипячении в течение 40 мин, затем отфильтровывают я в фильтрате определяют соленид таллия. [c.175]

Кручеапу и др. [41] также исследовали электропроводность теллурида таллия и установили, что в жидком состоянии сохраняется полупроводниковый характер проводимости TlaTe. Ширина запрещенной зоны, по данным измерения электропроводности соединения, равна 0,5 эв. [c.164]

В работе [43] проведено исследование электрических свойств теллуридов таллия в твердом и жидком состояниях. Были получены крупные монокристаллы у-фазы. Удельное электросопротивление монокристаллов при комнатной температуре составляет 8,3-10- ом-см, а поликристаллических образцов — около 15-10- ом-см. Температурный коэффициент электросопротивления ноложителен. В жидком состоянии у-фаза также носит металлический характер проводимости. Сплавы с более низким содержанием таллия — полупроводники. [c.164]

Т1Те. Существование теллурида этого состава установлено во всех работах, в которых исследовалось взаимодействие таллия с теллуром. Соединение изучено мало. [c.164]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

Большая устойчивость соединений AgBg по сравнению с другими фазами в этих системах характеризуется большими теплотами образования [2] и соответственно большей прочностью химической связи. Селенид и теллурид таллия TI3X3 термически не устойчивы, плавятся инконгруэнтно. [c.174]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология