Теллурид индия

Другие теллуриды индия мало изучены. [c.295]

Селениды и теллуриды индия получают из стехиометрических количеств элементов по методике, описанной для GaS (см. выше). Реакции происходят уже при нагревании на горелке и сопровождаются свечением реакционной массы [1]. [c.943]

В отличие от сероводорода, НгЗе и НгТе образуют в растворах ацетата индия коричневые осадки [451]. Осажденные селенид и теллурид индия окисляются во влажном состоянии с выделением селена и теллура. [c.43]

Окислы индия арсенид, стибид, теллурид индия [c.297]

В таб.л. 16 приведены некоторые свойства теллуридов индия. [c.141]

ТЕПЛОТЫ, ЭНТРОПИИ и ИЗОБАРНЫЕ ПОТЕНЦИАЛЫ ОБРАЗОВАНИЯ ТЕЛЛУРИДОВ индия, по ДАННЫМ ГЕРАСИМОВА И ДР. [119, 120], [c.97]

Таблица 153 ТЕПЛОТЫ ОБРАЗОВАНИЯ ТЕЛЛУРИДОВ ИНДИЯ

Эти данные по давлению пара теллуридов индия являются единственными. [c.274]

Система образует непрерывный ряд твердых растворов (первый тип Розебума). Постоянные решетки меняются с составом приблизительно линейно. Кривая микротвердости имеет максимум при содержании в растворе 25 мол. % теллурида индия. [c.254]

Теллуриды. Индий образует с теллуром большое число соединений. Кроме шести соединений, приведенных на диаграмме состояния (рис. 64), в литературе указывалось на существование 1пзТе2, 1пдТе,, ПдТе,, 1пТез [58]. Синтезируются все теллуриды путем сплавления компонентов. [c.294]

Соединения со структурой типа структуры селенида таллия TISe, в которой кроме TISe кристаллизуются теллурид индия и сульфид таллия. [c.176]

ХпзТе. Теллурид индия 1п2Те — темно-серое твердое вещество, легко возгоняется без разложения. Впервые это соединение описано Тилем и сотр. [2, 3], которые получали его сплавлением элементов. Позже Клемм и Фогель [7] при изучении сплавов системы 1п—Те сравнением рентгенограмм различных составов теллуридов индия и химическим анализом подтвердили существование ПаТе. [c.126]

Тиль и Люкман [3] получали ТпзЗе при пропускании газообразного теллуроводорода в раствор галогенида индия. Состав осадка соответствовал 1п Те. Б ряде работ синтез ТпаТе осуществлялся сплавлением компонентов с последующей термической обработкой для получения однофазных образцов. Мезон и Кук [103] применили зонную очистку и кристаллизацию для ряда перитектических теллуридов индия, в том числе и для ТпзТе, на основе разработанных ранее условий приготовления перитектических соединений [102]. [c.126]

Исследован процесс испарения фосфида алюминия [207], РзМ [208], теллурида кремния [209] определено парциальное давление Зег в парах селена [210] и состав пара систем РЬТе—ОеТе, 5пТе—РЬ5е [211, 212], ОеЗг—СеЗег [213]. Найдены энергии диссоциации молекул иы [214] и иАи [215], АиВ [216], Рег [217], Уг, Т1г [218], а также газообразных моносульфидов редкоземельных металлов [219], найдена энергия диссоциации сульфида, селенида и теллурида индия [220]. Изучена реакция паров алюминия с Зг (газ), Зе2 и Тег [c.325]

Термохимические данные по теллуридам индия противоречивы. Впервые их термохимические свойства исследовались Герасимовым и др. [119, 120] при 300—420° С методом измерения э. д. с. электрохимических ячеек. In и Те в этом исследовании имели чистоту 99,99%. Авторами были рассчитаны термохимические величины для реакций образования различных теллуридов индия из твердого теллура и жидкого индия (табл. 152). Эти значения существенно расходятся скалориметрическими данными, приведенными в табл. 153. Калориметрические данные по InTe в свою очередь также расходятся между собой. Предпочтение следует отдать данным Хана и Бурова [106], рекомендованным также в справочниках Кубашевского [27] и Вагмана [123]. [c.97]

На кривой температурного хода электропроводности стехиометрического состава а-ТпзТез отсутствует область примесной проводимости (рис. 95). Угловой коэффициент графической зависимости проводимости от обратной температуры не изменяется вплоть до температуры плавления. Это указывает на наличие собственной проводимости и что ширина запрещенной зоны обеих модификаций теллурида индия одинакова. Термическая ширина запрещенной зоны равна [c.200]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология