Галогеноводороды ионизация

Еще одним чрезвычайно важным фактором, позволяющим судить о наличии у вещества НХ кислотных свойств, является прочность связи Н—X. Чем прочнее связь, тем труднее идет ее разрыв, который необходим для ионизации вещества. Этот фактор играет решающую роль в случае галогеноводородов. Если Х-атом галогена, то из всех связей Н—X наиболее полярна связь Н—Р. Если бы мы ограничились только первым из рассматриваемых правил, то на этом основании можно было бы ожидать, что НР будет очень сильной кислотой. Однако энергия, необходимая для диссоциации НЕ на атомы Н и Р, намного больше, чем для других галогеноводородов, как это видно по данным табл. 7.3. В результате НР оказывается слабой кислотой, тогда как все остальные галогеноводороды в водных растворах ведут себя как сильные кислоты. [c.96]

Далее, гидратация молекул НГ приводит к их разрыву, причем образуются свободные гидратированные катионы Н и анионы Г (процесс ионизации) НГ Н +- Г. Поэтому водные растворы галогеноводородов обладают кислотными свойствами НС1, НВг и HJ — сильные кислоты, а HF — кислота средней силы. [c.520]

Степень протолиза галогеноводородов в воде растет в ряду НР-> ->НС1->НВг- Н1 и одновременно увеличивается степень электролитической ионизации. В табл. И приведен расчет энергии Гиббса процесса электролитической ионизации НГ в воде. [c.367]

Нарастание силы кислоты в указанном ряду НГ обусловлено уменьшением прочности химической связи молекул галогеноводородов (1-я строка табл. И). Этот фактор является определяющим в закономерном возрастании отрицательных значений энергии Гиббса ионизации НГ в воде от НР и НТ (результирующая строка табл. 11). [c.367]

Растворы галогеноводородов в нитрилах. Для изучения свойств растворов галогеноводородов в нитрилах использованы полярографический и криоскопический методы исследования Однако ввиду сравнительно лёгкой ионизации галогеноводородов в нитрилах наиболее подробно исследована их электропроводность 7 28, 35-38 [c.40]

Ионизация ацилгалогенида и отщепление галогеноводорода происходит при воздействии сильных органических оснований, например третичных аминов. [c.569]

Все эти взятые вместе соображения убедительно показывают, что эффект Бекера — Натана не обусловлен сверхсопряжением. Они являются также серьезным аргументом в пользу механизма, предложенного Шубертом. Во всяком случае, нет никаких оснований полагать, что сверхсопряжение, даже если бы оно играло существенную роль, может объяснить эффект Бекера — Натана. Нельзя дать сколько-либо разумную оценку относительной роли сверхсопряжения с СН и СС и нет даже уверенности в направлении смещения заряда, обусловленного сверхсопряжением. Первоначальное предположение Бекера и Натана не имеет теоретического обоснования. Их представления базировались на курьезной ошибке, а именно на предположении, что роль ионных структур с несвязанными Н+ или положительно заряженными алкилами определяется относительной легкостью ионизации галогеноводородов или алкилгалогенидов. Галогено-водороды легко ионизируются в полярных растворителях не потому, что легко отрываются протоны, а потому, что теплота сольватации протонов исключительно велика. Алкилгалогениды ионизируются труднее, потому что теплота сольватации карбониевых [c.144]

Так же как при реакциях замещения, вторичные галогенопроизводные могут отщеплять галогеноводород как по механизму Е 1, так и по механизму Е 2, третичные же галогенопроизводные реагируют, как правило, по механизму 1. При течении реакции по механизму Е 1 первоначальная стадия, заключающаяся в ионизации молекулы, является общей как для реакции отщепления, так и для ре. акции замещения скорость этой стадии, определяющая скорость [c.343]

Ионизация по типу (2) происходит в очень разбавленных растворах, а по типу (3) и (4) — в более концентрированных. Этими тремя уравнениями может быть описана ионизация сильных электролитов в растворах галогеноводородов Можно рассчитать и константы [c.86]

ИК-, УФ- и спектры комбинационного рассеяния растворов в жидких галогеноводородах не были изучены ни при комнатной, ни при низких температурах. В некоторых случаях спектры, как, например, УФ-спектры растворов ароматических олефинов, могли бы подтвердить предполагаемый тип ионизации [c.89]

Н НР но НВг ш Электронная конфигурация молекул НЭ, как это следует из рис. 4.19, одинакова и может быть записана так НЭ [... пр ((т )2]. В этой записи указано, что в каждой молекуле 4 электрона, размещающихся на р-подоболочке остаются почти неизменными по энергии, т. е. их МО являются несвязывающими. Эти МО имеют тг-симметрию и их следует обозначить как тг°-МО. Тогда окончательнно электронная конфигурация молекул галогенводородов будет НЭ[(тг°) ((7 )2]. Все эти вещества не имеют неспаренных электронов, поэтому они по отношению к магнитному полю являются диамагнитными (подробнее см. ниже). Энергия ионизации молекул НЭ определяется как абсолютное значение энергии высшей занятой электронами МО (сокращенно — ВЗМО). Из рис. 4.19 видно, что ВЗМО в галогенводородах являются несвязывающие МО, приблизительно совпадающие с р-АО галогена. Поэтому первые энергии ионизации молекул должны быть близки к первым энергиям ионизации атомов галогенов и одинаковым образом (симбатно) изменяться при переходе в подгруппе от фтора к йоду. Соответственно изменяется и восстановительная активность галогеноводородов — [c.126]

При применении концентрированной серной кислоты образование простого эфира может происходить также через стадию кислого алкилсульфата. Здесь наряду с другими реакциями, при которых в спиртовом растворе образуются электрон-недостаточные частицы, рассматриваются и оба указанных типа реакций. К реакциям подобного типа, кроме дегидрирования, относятся также реакции ионизации реакционноспособпых галогензамещенных соединений, реакции протонирования олефинов и некоторых карбонилсодержащих соединений, реакции разложения диазосоединений в присутствии спирта, а также довольно специфичная реакция получения а-гало-генэфиров путем присоединения спиртов к карбонильным соединениям в присутствии галогеноводородов. [c.342]

Сначала рассмотрим реакции присоединения реагентов, содержащих способный к ионизации водород галогеноводородов, серной кислоты и воды. Общепринятый механизм дается лишь в общих чертах и иллюстрируется некоторыми примерами. Подобно дегидратации спиртов, присоединение включает стадию образования карбониевого иона. Между этими двумя реакциями существует аналогия, которая доказывает, что обе реакции протекают через одну и ту же промежуточную стадию. [c.185]

Слабые кислотные свойства HF в разбавленном водном растворе резко отличаются от свойств остальных галогеноводородов этот вопрос обсуждался уже ранее (стр. 40). В 5—15 М растворах происходит ионизация до Н3О+, HF и до более сложных частиц (H.tF ", H3FJ и т. д.), и HF становится сильной кислотой. Образование этих стабильных анионов в жидком HF объясняет исключительно высокую кислотность чистого вещества. В соответствии с функцией кислотности Гаммета жидкий HF, однако, несколько менее кислотен, чем 100/о-ная H,S04. Только некоторые вещества, подобные BFg, AsFj, SbFj и SnF , являющиеся сильнейшими акцепторами фторид-иона, будут действовать как кислоты в жидком FIF, увеличивая концентрацию IT.2F+-ионов [c.226]

Пониженная растворнмость сероводорода, меньшая электропроводность и кислотность его водных растворов согласуются друг с другом и указывают, что Н5 (водн) соревнуется с водо11 за обладание протоном более успешно, чем любой из ионов галогенов молекула НгЗ более устойчива по отношению к ионизации в воде, чем молекулы галогеноводородов. Это обусловливает меньшую энергию гидратации н меньшую отрицательную величину АН, а следовательно, меньшую растворимость НгВ, Выше мы упоминали, что когда все перечисленные бинарные гидриды растворяются в воде, ее электропроводность повышается и кислотность изменяется. Вода сама обладает некоторой электропроводностью и характеризуется как кислотными, так н основными свойствами. Такие свойства воды можно объяснить ее способностью к самоионизации [c.370]

В 1976 г. Кебарле и сотр. [13] на основе экспериментальных данных, полученных методом ионного циклотронного резонанса и масс-спектрометрии высокого давления, предложили шкалу собственной кислотности молекул в газовой фазе. Эта шкала приведена в табл. 2 она, помимо СН-кислот, включает NH-и ОН-кислоты, а также галогеноводороды. В качестве меры кислотности в табл. 2 использована разность между энергией связи Н — Н и сродством к электрону радикала В- (ВН — ЕА). Эта величина отличается от протонного сродства П (см. табл. 1) на величину потенциала ионизации атома водорода. [c.7]

Однако в разбавленном водном растворе НР является очень слабой кислотой На первый взгляд слабокислый характер разбавленных водных растворов фтористоводородной кислоты представляется неожиданным, но тем не менее его следует принимать во внимание при описании кислотно-основного взаимодействия между молекулаиш. Устойчивость молекулы галогеноводорода к ионизации в водном растворе как и в газовой фазе, возрастает в квадратичной зависимости от разности электроотрицательностей галогена и водорода. Следовательно, кислотность водных растворов галогеновояородов [c.61]

Электропроводность чистых жидких галогеноводородов, за исключением фтористого водорода, несколько меньше, чем воды, но, чтобы объяснить эти значения, необходимо предпо-тожить определенный тип самоионизации. По аналогии с ионизацией воды, учитывая сольватацию ионов в растворе, процесс самоионизации галогеноводородов можно представить в виде [c.82]

Ясное представление о механизме бекмановской перегруппировки кетокси-мов [83] при каталитическом действии сильных кислот, галогеноводородов или нятихлористого фосфора можно вывести нри изучении перегруппировок, происходящих не в самих оксимах, а в их аци.льных производных, которые уже обладают необходимой способностью к ионизации. [c.616]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология