Кремний теллурид

Наиболее перспективными веществами для детекторов представляются кремний, теллурид кадмия и некоторые другие полупроводники с шириной запрещенной полосы более 1,2 эВ. Малая плотность кремния затрудняет его использование для регистрации у-квантов. Однако монокристаллы любого из полупроводниковых соединений в настоящее время сильно уступают по совершенству монокристаллам германия и кремния. Поэтому возможно, что в ближайшие годы детекторы из полупроводниковых соединений будут уступать по разрешающей способности германиевым и кремниевым. [c.520]

В предыдущих разделах электрические свойства полимеров рассматривались в связи с их ионной проводимостью и диэлектрической релаксацией. Однако в ряде случаев наблюдаются явления, которые не могут быть объяснены с помощью этих механизмов. К ним относятся возникновение термоэлектричества, детектирование тока и возникновение проводимости под действием радиоактивного облучения. Все перечисленные явления отрицательно влияют на свойства полимеров как изоляторов, но указывают на потенциальные возможности качественно нового применения полимеров. Поль рассмотрел результаты ряда работ, в которых исследовались полупроводниковые свойства полимеров. Он указал, что в некоторых случаях полимерные полупроводники могут успешно использоваться вместо обычных неорганических (германия, кремния, теллурида висмута). [c.166]

Типичные представители кристаллических соединений с полярной ковалентной связью между атомами — фосфиды, арсениды, стибиды, некоторые нитриды, сульфиды, селениды, теллуриды, многие оксиды, некоторые галиды (Agi и др.), карбид кремния Si . Среди них есть важные полупроводники, в частности соединения типа А" В и А"В , которые имеют решетки типа сфалерита или вюрцита. В решетках этого типа, как и в карбиде кремния, атом одного и атом другого элемента в сумме вносят на осуществление связей 8 электронов. Вокруг каждого атома образуется октет из -электронов с тетраэдрической направленностью четырех о-связей, осуществляемых перекрыванием гибридных облаков. Некоторые искажения направленности связей обусловлены большей или меньшей их полярностью. Координационное число атомов остается 4. Для полупроводников вообще характерны низкие координационные числа. [c.131]

Прямое определение Sb в сочетании с рядом других элементов производится в самых разнообразных материалах, в том числе в алюминии [54, 55, 1134, бериллии и его соединениях [305, 1297], боре [778, 11171 и фосфиде бора [26], ванадии и его окислах [234, 491, 1117], висмуте [809, 909, 1134], вольфраме и его соединениях [195, 739, 795, 1265], вольфрамовых рудах [1480], германии и его соединениях [559, 634, 905], горных породах [386, 730, 1182, 1240, 1336, 1443, 1599], графите и углероде [235, 397, 612], жаропрочных и тугоплавких сплавах [176, 177, 379, 1278, 1593], железе [425, 1134, 14411, железных рудах и минералах [198, 386, 636, 971, 1336], сталях [176, 546, 1278, 1441, 1593] и чугуне [61, 274, 546, 1250], золоте [404, 754, 909, 1095] и его сплавах [196, 389,390, 1167], индии [1168, 1308] и сплавах на его основе [814, 815, 1267], иттрии и его окислах [234, 272], алюмоиттриевом гранате [82], кадмии [598, 599, 1134] и кадмиевых сплавах [819], кобальте [60, 153, 1134], кремнии [252, 1619], кварце [154], карбиде кремния 109, 110, 288, 789, 790, 1353], кремниево-медных сплавах 594], силикатах [1586], технических стеклах [612, 1579], меди 129, 482, 964, 997, 1176, 1599, 1609, 1645, 1654], медных сплавах 96, 482, 1048, 1188, 1457,1463, 1566], окиси меди [199], продуктах медеплавильного производства [3601 и медных электролитах [1298, 1600], молибдене и его соединениях [104, 237, 308, 795, 1325, 1347, 1443], мышьяке [472, 1134], никеле и никелевых сплавах [486], ниобии и его окислах [49, 972], олове [582, 744, 782, 812, 900, 1684] и его сплавах [1210, 1494, 1495], полупроводниковых материалах [668, 678, 806, 1298, 16841, припоях [210, 1101], свинце [481, 534, 908, 1154, 1155,1193, 1543,1655], свинцовых сплавах [126, 871], рудах [53, 667, 806, 1143] и пылях [811], РЗЭ и их окислах [234, 353], селене [154, 155, 499, 747, 818, 1134], селениде ртути [715], сере [189, 1134], серебре [388, 390, 391, 909, 1598], хло- иде серебра [1362], стеклоуглероде [397], сульфидных рудах 638], тантале [237], теллуре [156, 591, 592, 1134, 1613], теллуровом баббите [1656] и теллуриде свинца [342], типографских сплавах [323], титане и двуокиси титана [288, 306, 1262], тории и его окислах [272], уране [1447], окислах урана [878, 1182, 1240] и урановых рудах [1443], ферросплавах [792, 793], фосфоритах [879], хроме [555, 729, 792] и его окислах [54, 55, 571], цинке [976] и цинковых рудах и минералах [1142], цирконии [679] и двуокиси циркония [1368], производственных растворах [205, 882, 1290, 1323, 1324, 1483], сточных и природных водах [429], азотной, серной, соляной, уксусной, фтористоводородной и бромистоводородной кислотах [111, 121, 407, 552, 574, 10081, воздушной пыли [121. [c.81]

Таким способом получают монокристаллы и пленки многих сульфидов, селенидов, теллуридов, галогенидов, полупроводниковых соединений А В и даже таких тугоплавких веществ, как карбиды. Метод возгонки — сублимации успешно использован для выращивания нитевидных кристаллов оксида магния ( пл = 2800°С) и карбида кремния (tnn = [c.377]

Основными материалами для изготовления детекторов (табл. 6.2.8) являются германий и кремний. ППД на основе теллурида кадмия, сульфида кадмия и иодида ртути считаются перспективными для регистрации у-излучения в изотопных приборах технологического контроля [12]. [c.85]

Кремния карбид Цинка теллурид + + [c.785]

Среди полимеров, содержащих кремний, мы встречаем сульфид, селенид, теллурид, нитрид, карбид, оксид и многочисленные соединения последнего с окислами других элементов. [c.343]

Обсудите типы связей, образующихся при кристаллизации. Включите в ваше обсуждение следующие вещества лед, окись магния, хлористый натрий, алмаз, медь, бензол, графит, карбид кремния, четыреххлористый углерод, окись цинка, теллурид цинка. Какие другие факторы, кроме типа связи, важны в определении кристаллической структуры конкретного вещества [c.49]

Полупроводники — довольно многочисленная группа простых веществ и соединений. К ним относятся некоторые минералы, элементарные вещества (кремний, германий, фосфор, мышьяк, селен, теллур, бор), оксиды металлов (одноокись цинка, двуокись титана, трехокиси молибдена и вольфрама), сульфиды, селениды и теллуриды металлов Ш- и ИВ-групп. [c.245]

Теллуриды кремния еще практически не используются. [c.135]

Кремний применяется в металлургии для получения специальных сталей и многих сплавов. Богатые кремнием сплавы железа используются в технике в качестве кислотоупорного материала В последнее время кремний приобрел значение как полупроводник Как показывает само название, полупроводники занимают по ве личине электропроводности промежуточное положение между про водниками и изоляторами. К полупроводникам относятся некото рые простые вещества, многие сплавы, окислы, сульфиды, селе ниды, теллуриды и другие соединения. [c.248]

Основные области применения. Большая чувствительность селена к незначительным колебаниям интенсивности света используется в фотоэлементах для сигнальных установок, фототранзисторах для телевидения, в ксерографии — сухом методе репродуцирования, в аппаратах, которые работают по принципу снятия электростатического заряда на освещенных местах барабана, покрытого слоем селена. Много селена идет на выпрямители (правда, в последние годы в этой области селен вытесняется кремнием). В термоэлектрических устройствах применяются теллуриды и частично селениды В1, 5Ь, РЬ, 5п. В солнечных батареях и детекторах радиации используется теллурид кадмия. Теллуриды свинца, олова, ртути и кадмия служат для изготовления инфракрасных излучателей и детекторов. Селениды щелочноземельных металлов, а также некоторые теллуриды применяются в качестве основы при изготовлении люминофоров. Небольшое количество теллура и селена идет на легирование полупроводников. [c.116]

Извлечение селена и теллура из медеэлектролитных шламов. Шламы электролитического рафинирования меди, помимо селена и теллура, содержат другие полезные компоненты, в первую очередь золото, серебро, медь (табл. 24). Медь находится в шламах главным образом элементарная, селен и теллур — преимущественно в составе селенидов и теллуридов благородных металлов, селенидов свинца и меди. Кроме того, в них есть сульфат, арсенат и антимонат свинца, окислы и гидраты окислов мышьяка, сурьмы, висмута, олова, кремния и другие соединения. [c.136]

Металл следует брать не в виде тонкого порошка, а в виде стружки, мелких гранул или крупки. Тогда теплота выделяется постепенно и стекло не разрушается. Щелочные и щелочноземельные металлы и некоторые другие разрушают стекло и загрязняют продукты реакции соединениями кремния. Поэтому сульфиды и их аналоги указанных металлов получать таким способом нельзя. Этим методом можно получать сульфиды, селениды, теллуриды элементов подгруппы железа, хрома, ванадия, титана, галлия, а также меди, серебра, марганца. В тех случаях, когда вещество не плавится, обычно после 1 — 2-часового нагревания при температуре, рекомендованной в прописях, оно будет неоднородно по составу. Рекомендуется ампулу разбить, вещество растереть в ступке, снова запаять в ампулу и еще прогреть его в течение 2—3 ч. Можно повторного нагревания и избежать, но процесс должен длиться 10—15 ч. [c.90]

Из аналогичных сернистым селенистых и теллуристых производных кремния описаны бесцветный SiSe2, коричневый рентгеноаморфный SiSe и красный ЗЬТез. Все они могут быть получены взаимодействием элементов при высоких температурах и неустойчивы по отношению к воде. Теллурид кремния является полупроводником р-типа с шириной запрещенной зоны 2,0 эв. [c.594]

Спектры внутреннег о отражения наблюдают, когда исследуемый образец находится в контакте с призмой из оптически менее плотного материала излучение проходит сначала через призму и ее границу с образцом под углом, превышающим критический (т.е. угол падения, при к-ром преломление света в образец прекращается), а затем проникает в образец (на глубину до 1 -2 мкм), где теряет часть своей энергии и отражается. Таким образом получаются спектры нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО). В качестве материала призм используют прозрачные в разл. областях спектра материалы в частности, кварц, оксиды цинка и магния, сапфир, кремний, фторид кальция, сульфид мышьяка, германий, GejjSejoASij, селениды мышьяка и цинка, хлориды натрия, калия и серебра, бромиды калия и серебра, теллурид кадмия, алмаз. [c.395]

Плоские панели детекторов (ПОД). Созданы ППД, которые работают на основе матриц с использованием алюрфного кремния или теллурида кадмия. Современные характеристики таких панелей размер 244 х 163 мм число элементов изображения 1920 х 1280. [c.100]

Очень интересно выяснить, совпадают ли структуры поверхностей расколотых кристаллов и кристаллов, очищенных с помощью ионной бомбардировки и прогрева. Такого рода эксперименты впервые были выполнены Хейнеманом [21], который рассматривал грани (0001) теллурида висмута. Результаты исследования поверхностей, приготовленных указанными способами, находились в согласии друг с другом. Однако, как отмечено выше, структура этих кристаллических граней не отклоняется от нормальной. Поэтому были поставлены более многообещающие эксперименты, позволявшие сравнивать грани (111) поверхностей германия, приготовленных двумя способами [15, 23]. Хотя для грани (111) поверхности раскола также наблюдались потоки дробного порядка, распределение интенсивности в обоих случаях заметно различалось. Кроме того, прогрев поверхности раскола приводил к резко выраженным изменениям, позволяющим предположить, что после раскалывания при комнатной температуре атомы поверхности находятся не в равновесных положениях. Было также отмечено, что поверхность, полученная методом конной бомбардировки и прогрева, значительно ближе к идеальной поверхности, образуемой набором граней (111), чем поверхность раскола. Лендер н др. [24] сравнительно недавно повторили опыты с раскалыванием кристаллов кремния и получили похожие результаты. Прогрев расколотых кристаллов также приводил к большим изменениям, согласующимся с данными для поверхностей, получаемых методом ионной бомбардировки и прогрева. Эти опыты заставляют серьезно усомниться в ценности экспериментальных данных, полученных на непрогретых поверхностях раскола. [c.329]

Наиболее распространёнными и высокоэффективными низкотемпературными материалами являются тройные сплавы на основе теллурида висмута Bi2Te3. Добротность таких материалов в указанном диапазоне температур составляет значение 3- 10 1/°С. Из среднетемпературных материалов в настоящее время нашли применение РЬТе (материал п-типа) и GeTe (материал р-типа) с максимальным значением Z = 1,8 10 1/°С. Из высокотемпературных термоэлектроматериалов практическое применение нашли кремний-германие-вые сплавы с максимальным значением Z = [c.269]

В работах В. Н. Вигдоровича с сотр. были исследованы периодические зависимости коэффициентов распределения примесей в металлах 1медь, серебро и золото [20], цинк и кадмий [21], алюминий [22], индий [23], таллий [24], сурьма [25], висмут [26], олово [27] и свинец [28]) (рис. 7—10), а также в элементарных полупроводниках (кремний и германий [29]) и полупроводниковых соединениях (антимонид индия [29], арсениды индия и галлия [30] и теллурид кадмия [31] (рис. 11—13). [c.21]

По предложению Трамбора [35], для оценки значений коэффициентов раонределения примесей в кремнии и германии используется их зависимость от значений тетраэдрических радиусов примесных элементов (рис. 15). Аналогичные зависимости оказались полезными и для арсенидов галлия и индия [30] (рис, 16, а и рис. 17,а) и теллурида кадмия [31] (рис. 18,а). [c.26]

В качестве материала полупроводниковой пленки чаще всего используются поликристаллические пленки сульфида и селенида кадмия, применяются также поликристаллические пленки окиси цинка, антимонида индия, теллурида кадмия, окиси олова, окиси индия, сульфида свинца и теллура. В последнее время появились сообщения о создании триодов подобного типа на монокристаллических пленках кремния, выращенных на кристаллографической плоскости сапфира или на подложках из окиси алюминия, покрытых составом окислов. [c.70]

Халькогенидными называются стекла, образованные из сульфидов, селенидов и теллуридов. Стеклообразователями в таких системах следует считать серу, селен и теллур. В сочетании с ними в состав стекол могут входить фосфор, кремний, германий, сурьма, висмут, олово, серебро, свинец, галлий, индий, таллий, цинк, кадмий, ртуть, медь, золото [62]. Такие элементы как бор и алюминий в халькогенидных системах дают стекла, легко разлагающиеся в воздухе и поэтому для синтеза устойчивых систем не при.меняются. Подробный обзор исследований и классификацию дал Б. Т. Коло-миец [8,76]. Дополнительные сведения имеются у Н. Раусона 2]. [c.56]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология