Кристаллические атомная

Твердые растворы замещения образуются в том случае, если кристаллические решетки компонентов однотипны и размеры частиц компонентов близки. Необходимым условием образования твердых растворов является также и известная близость химических свойств веществ (одинаковый тип химической связи). Так, в кристалле КС1 ионы хлора могут быть постепенно замещены ионами брома, т. е. можно осуществить практически непрерывный переход вещества от состава КС1 к составу КВг без заметного изменения устойчивости кристаллической решетки. Свойства образующихся твердых растворов непрерывно меняются от КС1 к КВг. Ниже приведены примеры ионных, атомных, молекулярных и металлических твердых растворов замещения. [c.134]

По строению вещества Молекула, молекулярная или атомная решетка Ионный кристалл (ионная кристаллическая решетка) Кристалл металла (металлическая решетка) [c.57]

В узлах атомных кристаллических решеток находятся нейтральные атомы, соединенные друг с другом ковалентными связями. Веществ, обладающих атомной решеткой, сравнительно немного. К ним относятся алмаз, кремний, некоторые соединения элементов с углеродом и кремнием — карбиды и силициды. [c.144]

Все твердые атомные соединения, как кристаллические, так и аморфные, имеют единую электронную структуру. Однако между электронными структурами этих двух типов атомных соединений имеется существенное различие. Так, энергетические состояния валентных электронов в кристаллических атомных соединениях группируются в квазинепрерывные зоны, тогда как для структур аморфного типа характерно локализованное состояние валентных электронов /68/. [c.109]

Неметаллы, как правило, являются диэлектриками. При смычных условиях они находятся либо в виде двухатомных (галогены, водород, азот, кислород) и одноатомных молекул (благородные газы), либо в виде атомных кристаллов (сера, фосфор, углерод, селен). Промежуточное положение между металлами и неметаллами занимают полуметаллы (бор, кремний, германий, мышьяк, сурьма, теллур). Для них характерны свойства металлов и неметаллов. Как правило, они имеют кристаллические атомные решетки с ковалентной связью. Многие из них являются проводниками. [c.246]

Полупроводниковыми свойствами могут обладать как кристаллические вещества, так и некоторые стекла. Полупроводниковые кристаллы могут состоять из частиц, связанных ковалентной связью (германий, кремний, карборунд и др.), т. е, обладать атомной кристаллической решеткой, В настоящее время эта группа полупроводниковых материалов привлекает наибольшее внимание. Однако полупроводниковыми свойствами могут обладать в определенных условиях также и многие кристаллы с ионной или молекулярной решеткой (неорганические и органические). [c.145]

Исследования Н. И. Кобозева и др. [333, стр. 86] показали, что кристаллическая фаза железных катализаторов является каталитически недеятельной. Активные центры представляют собой до-кристаллические атомные образования, причем на 2000 атомов же леза приходится один каталитически активный центр. Поскольку плотность (вернее, насыпная плотность) карбонильного железа почти в 2 раза выше плотности обычного железного катализатора (4,5 вместо 2,5), число активных центров в 1 см катализатора у него больше. Так, если для железа это число равно 1,35 10 , то для карбонильного железа оно возрастает до 2,43 10 . [c.157]

Развитие стереохимии на протяжении последнего столетия может быть отмечено тремя особенно важными этапами 1874 г. можно считать годом основания стереохимии органических соединений Ле Белем и Вант-Гоффом, между 1891 и 1905 гг. Альфред Вернер разработал вопросы строения неорганических комплексных соединений, с 1916 по 1941 г. координационное учение было распространено на кристаллические соединения и разработана общая геометрия молекулярных и кристаллических атомных конфигураций. [c.11]

Оксид ВеО имеет структуру типа вюрцита (см. рис. 194), отличается высокой энергией кристаллической решетки и высокой энергией Гиббса образования (АО/ = —582 кДи[c.472]

В соответствии с природой составляющих частиц кристаллические решетки могут быть ионными, атомными (ковалентными или металлическими) и молекулярными. [c.101]

Таким образом, в периодической системе при переходе от р-элементов Vin группы к s-элементам 1 группы уменьшение числа валентных электронов обусловливает закономерный переход от неметаллов с молекулярными кристаллическими решетками (Аг, lj, Р4) к неметаллам с атомно-цепной (S ), атомно-слоистой (Р ос) и атомно-коорди-национной структурами и далее к металлическим координа- [c.233]

Как уже указывалось, образованию твердых растворов благоприятствуют близость химических свойств, атомных радиусов и типов кристаллической структуры исходных веществ (с. 134). Несоблюдение одного из этих условий приводит к тому, что твердые растворы между компонентами образуются лишь в ограниченных пределах концентраций или же не образуются вообще. Например, предельная растворимость ряда металлов в никеле г =0,124 нм) выражается в виде следующего ряда [c.254]

Преимущества определения положения атомных плоскостей при помощи индексов (/г, к, /), а не осевых отрезков, отсекаемых плоскостями на осях координат, будут очевидны, если учесть, что они всегда являются простыми целыми числами и величина их не зависит от внешних влияний (температура, растяжение, сжатие и т. п.), чего не наблюдается у осевых отрезков. Кроме того, индексы (й, к, I) наиболее просто определяют положение атомных плоскостей в кристаллической решетке. [c.111]

Большое число веществ с атомной кристаллической решеткой, в частности некоторые нитриды, фосфиды, карбиды, силициды и бориды, приобрели большое значение в разных областях повой техники благодаря присущей им термостойкости, тугоплавкости, высокой твердости (и при высоких температурах) или другим ценным свойствам. [c.133]

Энергия кристаллической решетки Е для атомных и молекулярных кристаллов может быть определена по уравнению [c.142]

Уравнение Вульфа—Брегга. Русский физик Г. В. Вульф дал наглядное объяснение отклонению рентгеновских лучей при прохождении их через кристаллическое вещество. Он показал, что рассеивание рентгеновских лучей атомами можно рассматривать как отражение рентгеновских лучей от параллельных атомных плоскостей кристалла. [c.112]

Совокупность атомов, удерживаемых вместе химическими связями, называется молекулой. Обычно (хотя далеко не всегда) образование связей в молекуле можно объяснить существованием электронных пар, каждая из которых связывает между собой два атома. Такая связь, образуемая электронной парой, называется ковалентной связью. Сумма атомных масс всех атомов в молекуле дает ее молекулярную массу. Хотя атомы, относящиеся к различным молекулам, непосредственно не связываются друг с другом, все молекулы обладают некоторой липкостью и притягиваются к другим молекулам. Эти вандерваальсовы силы притяжения заставляют молекулы газа слипаться друг с другом, образуя жидкость, если температура становится достаточно низкой под действием тех же сил молекулы жидкости выстраиваются в правильную кристаллическую решетку, когда температура вещества понижается еще больше. Температуры, при которых происходят два указанных перехода, называются соответственно температурой кипения (7 п) и температурой плавления (7 ,). [c.52]

Наиболее высокими температурами плавления обладают некоторые группы кристаллов с атомной решеткой. Сюда относятся многие карбиды, силициды, нитриды и бориды метал юв. Плавление кристаллов происходит при той температуре, при которой тепловое движение частиц, усиливающееся при нагревании, становится способным в той или другой степени преодолевать взаимное притяжение частиц. Здесь речь идет о колебательном движении частиц, образующих кристаллическую решетку, и о взаимном притяжении между этими частицами. [c.151]

Во избежание существенного уменьщения точности результатов при расчете теплового эффекта реакции по теплотам образования компонентов необходимо, чтобы все эти данные относились к одинаковому состоянию веществ (одинаковое агрегатное состояние, кристаллическая форма, температура), и чтобы при расчете всех этих данных были использованы одинаковые значения различных вспомогательных величин, одинаковые значения физических постоянных, атомных весов и т. д. Таким образом, для получения более точных результатов все значения теплот образования, применяемые для расчета теплового эффекта какой-нибудь данной реакции, должны быть приведены в одну систему значений и обладать необходимой внутренней согласованностью. [c.55]

Реакционная способность углеродистых материалов зависит прежде всего от их молекулярной и кристаллической структуры, а затем от степени их пористости и содержания минеральных веществ [1, 2, 106, 212, 266]. По современным научным воззрениям, процесс сгорания углеводородов, углеродистых материалов и даже алмаза проходит в две стадии вначале разрываются все атомные связи, а затем каждый атом сгорает в отдельности. Это означает, что чем меньше требуется энергии на разрыв межатомных связей в молекуле данного соединения, тем больше его реакционная способность. [c.219]

По характеру частиц, находящихся в узлах кристаллической решетки, и ио характеру связи между ними кристаллические решетки подразделяются на следующие типы ионный, молекулярный, атомный и металлический. [c.69]

По современным воззрениям, электронная струюура кристаллического атомного вещества представляет собой квантовую систему периодической структуры, электроны которой неразличимы и каждый из них взаимодействует сразу со всей системой в целом. Трехмерная непрерывная сеть межатомных связей в твердом теле периодического строения является системой волноводов для волн электронного газа, состоящего из валентных электронов, уровни энергии которых тесно сгруппированы в квазинепрерывные зоны. Наличие свободных, не связанных с определенными атомами, электронов, способных перемещаться по всему объему тела, определяет металлическое состояние этих веществ. Наиболее характерными представите- ями этого типа твердых веществ являются металлы. Обобществленные электроны, обеспечивающие металлическую связь в кристаллических твердых веществах, в отличие от электронов обычной ковалентной связи, существенно слабее связаны с определенным атомом. Поэтому работа выхода электрона, характеризующая прочность связи электронов со всей системой, для кристаллических атомных веществ имеет обычно малые значения. Так, для металлов значение ее лежит в пределах от 1,9 э6 для цезия, до 5,3 эб-для платины, тогда как потенциал ионизации для соединений с обычной кова- [c.109]

Адсорбционная теория не может объяснить процесс запарафинирования, когда материалом подложки являются кристаллические атомные вещества, в частности, металлы, в которых благодаря металлическим связям имеются обобществленные, не связанные с конкретными атомами и способные перемещаться по всему объему тела наружные электроны. [c.111]

В этом случае более соответствует экспериментальным фактам электрическая теория адгезии /58/, которая позволяет следующим образом объяснять механизм процесса. Согласно этой теории, при тесном соприкосновений диэлектрика, каковым являются парафиновые дисперсные частицы, и кристаллического атомного тела, благодаря разности давлений электронного газа, часть электронов подложки переходит в парафиновую частицу, обра (уя двойной электрический слой между поверхностями. В результате парафиновые частицы заряжаются отрицательно, а металлическая поверхность подложки приобретает положительный заряд. По этой теории работа разрушения адгезионной связи, т.е. преодоления возникающих между поверхностями электрических сил, будет определяться формулой /56/ [c.111]

Во-вторых, нанесение полимерного защитного покрытия резко меняет природу материала подложки место кристаллического атомного соединения - металла - занимает аморфное атомное соединение - полимер, т.е. происходит замена типа электронной структуры материала подложки. Замена кристаллического атомного соединения, у которого каждый электрон взаимодействует сразу со всей системой в целом, на аморфное атомное соединение, электронная структура которого представляет собой набор дискретных уровней, разделенных высокими потенциальными барьерами, препятствующими распределению электронных волн за границу каждой данной межатомной связи, меняет механизм взаимодействия подложки с такими типичными молекулярными твердыми соединениями, какими являются кристаллические парафиновые частицы. В результате такой замены более интенсивная адгезионная связь, основанная на образовании двойного электрического слоя, возникающего в результате контактной электризации поверхностей металла и парафиновой частицы, с энергией более 65 кДж/моль /56/, сменяется адгезионной связью, определяемой ван-дер-ваальсовыми силами, энергия которых не превышает 50 кДж/моль. Поэтому смена металлической поверхности на полимерную уже сама по себе должна привести к ослаблению адгезионной связи. Действительно, как бьшо показано экспериментально /30/, сила прилипания парафина к поверхности такого наиболее интенсивно парафинирующегося полимера, как полиэтилен, в 2,3 раза ниже, чем у стали. [c.143]

На основе всесторонних исследований оптического муара с помощью растров (сеток) А. В. Шубников предсказал возможность получения муара при наложении кристаллических атомных решеток (1926 г.). Его идея была реализована в 1957 г. с помощью электронного микроскопа, а затем в 1965—1968 гг.— с помощью рентгеновской дифракции. Рентгенодифракционный муар кристаллических атомных решеток в 10 раза более чувствительный, чем электронно-микроскопический, и соответственно и его возможности намного шире, особенно при исследованиях реальной структуры высокосовершенных кристаллов. По геометрии легко определяется характер искажения решетки (сжатие — растяжение решеток) — дилатацистшый муар или (поворот решетки) — ротационный муар. С помощью рентгеновского муара можно измерить искажения решетки Аё/с1 К)- и повороты решетки в 10- рад. Еще более расширяются возможности измереш я рентгенодифракционного муара при использовании трехкристального интерферометра. Здесь появляются новые возможности измерения абсолютных величин периодов решетки, длин рентгеновских волн, перемещений в 10- сл и углов поворота 10 рай и т. д. [c.403]

Атомно - металлические кристаллы вследствие не-локализованностн металлической связи хара1 теризуются высокими координационными числами. Для них наиболее характерны три типа кристаллических решеток (рис. 65) кубическая гранецентрирован-ная (к. ч. 12), гексагональная (к. ч. 12) и кубическая объемноцентри-рованная (к. ч. 8). Кубическую гранецентрированную решетку имеет, например, медь, кубическую объемноцентрированную — железо, гексагональную — магний. [c.101]

Если газ, образующийся в результате возгонки, состоит из тех же частиц, что и сам кристалл, то энергия кристаллической решетки совпадает со значением энергии возгонки (сублима 1,ии). Это относится к молекулярным, атомно-ковалентным и атомно-металлическим кристаллам. Таким образом, в этом случае энергию кристаллической решетки можно определить экспериментально. [c.166]

Алмаз — кристаллическое вещество с атомной координационной кубической решеткой (рис. 166). Вследствие5/7 -гибридизации каждый атом в алмазе образует равноценные прочные о-связи с четырьмя [c.392]

Эта задача была решена Н. И. Кобозевым в 1939 г. в созданной им теории активных ансамблей, основное исходное положение которой заключается в следующем носителем каталитической активности является находящаяся на поверхности атомная (докристаллическая) фаза катализатора относитель-. но которой поверхность носителя (или кристаллическая фаза самого катализатора) выполняет функцию инертной подкладки., Для каждого же данного процесса активным центром является ансамбль из определенного числа п атомов катализатора. [c.355]

Пластичность металлов также объясняется специфическими свойствами металлической связи. При мехаиическом воздействии на твердое тело отдельные слои его кристаллической решетки смещаются отиосительнс друг друга. В кристаллах с атомной структурой это приводит к разрыву ковалентных связей между атомами, принадлежащими различным слоям, и кристалл разрущается. В кристаллах с ионной структурой при взаимном смещении слоев неизбежно создается такое положение, при котором рядом оказы-вйются одноименно заряженные ионы при этом возникают силы Е ле.- лростатнческого отталкивания и кристалл также разрушается. В случае же металла при смещении отдельных с. юев его кристаллической решетки происходит лишь некоторое перераспределение электронного газа, связывающего друг с другом атомы металла, но разрыва химических сг,язей не происходит—металл деформируется, пе разрушаясь. [c.534]

Естественно, что теория кристаллического поля, исходящая из ионной модели, требует видоизменения при рассмотрении комплексов, в которых имеется заметная доля ковалентной связи. Когда эта доля сравнительно невелика, используется теория прля лигандов, по которой наличие ковалентной связи учитывается введением определенных поправок в расчеты, проводимые методами теории кристаллического поля. При рассмотрении комплексных соединений со значительной долей ковалентной связи применяется метод молекулярных орбиталей, учитывающий, так же как и теория кристаллического поля, особенности симметрии атомных орби талей (такой метод часто также называют теорией поля-лигандов) [c.121]

Уникальная, среди металлов кристаллическая решетка Ga, состоящая из атомных пар Ga >, обусловливает необычные свойства металлического галлия — мииимал-ьную температуру плавления в ряду металлов подгруппы IIIA, меньшую плотность кристаллов по сравнению с жидкостью, соответственно 5,9037 и 6,0947 г/см [c.344]

При действии на уран избытка Рг образуется гексафторид иРб—бесцветное, легко возгоняющееся кристаллическое вещество (давление его пара достигает 101 кПа при 56,5 °С). Это единственное соединение урана, существующее в газообразном состоянии при низкой температуре, что имеет большое практическое значение, поскольку необходимое для получения атомной энергии разделение изотопов и осуществляют с помощью различных процессов, протекающих в газовой фазе. При растворении в воде ирб гидролизуется, образуя иОгр2 и НР. Тетрафторид ир4 получают действием НР на иОз- С хлором уран образует [c.609]

Большой интерес представляют насыщенные пары при высоких температурах, Процесс испарения жидкости или сублимации твердого тела при любых температурах происходит в результате того, что тепловое движение преодолевает связи между частицами. Однако при обычных или более низких температурах тепловое движение может преодолевать лишь сравнительно слабые силы межмолекулярного взаимодействия, а при высоких — оно способно разрывать и достаточно прочные связи, в частности химические связи между атомами в кристаллах с атомной решеткой. Поэтому в парах при высоких температурах могут содержаться свободные атомы или группы атомов с ненасыщенной валентностью (свободные радикалы). Так, кристаллические полуторные окислы некоторых металлов (АЬОз, ЬааОз, РгаОа и др.) при образовании паров в области 2000° К претерпевают химическое разложение по реакциям [c.239]

Особый интерес представляют условия образования твердых растворов замещения, в которых железо играет роль растворителя. И. И. Корнилов установил связь между растворимостью элементов в железе и их ионными диаметрами атомный диаметр растворимого элемента должен отличаться от атомного диамет)ра железа не более чем на 8—15%. Только при этих условиях не происходит значительной деформации кристаллической решетки растворителя и изменения характера связи. Если это ра.зличие не превышает 8%, то образуются непрерывные твердые растворы если различие составляет 8—15%, то образуются ограниченные твердые растворы. Так, например, хром, с атомным диаметром, отличающимся от железа не более чем на 1,5%, дает с ним непрерывный ряд твердых растворов молибден, отличающийся от железа по атомному диаметру на 10%, ограниченно растворяется в железе еще меньше растворяется вольфрам и т. д. Отмеченные закономерности в отношении растворимости элементов в железе распространяются и на некоторые другие элементы. [c.123]

Твердые растворы внедрения. Б кристаллической решетке твердых растворов внедрения атомы растворенного элемента не замещают атомы растворителя, а располагаются между атомами в узлах решетки. Чаще всего твердые растворы внедрения образуются при растворенин в металлах переходных групп неметаллов с малыми атомными диаметрами, таких, например, как водород, азот, углерод, бор. В частности, твердый раствор углерода в у-железе (аустенит) является твердым раствором внедрения. Твердые растворы внедрения чаще всего образуют металлы, имеющие гранецентрированную кубическую решетку. [c.123]

В. И. Клименкова и Ю. Н. Алексеенко [104] опубликовали работу по изменению свойств искусственного графита под действием быстрых нейтронов в условиях атомного реактора, где графит является замедлителем. При этом происходит значиг тельное нарушение (разупорядочение) кристаллической решетки графита с одновременным изменением ряда свойств. Увеличивается почти в 2 раза модуль Юнга, повышается твердость, удельное электросопротивление возрастает примерно в 3 раза, удельный объем увеличивается на несколько процентов и теплопроводность графита уменьшается в 20 раз. Графит теряет свои обычные свойства и приобретает качества, характерные для кокса, прокаленного при 1300—1400°С. [c.205]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология