Полупроводники высокотемпературные

Накачка Л. Создание в активном в-ве инверсии населенности производится разными способами. Чаще всего используют воздействие на в-во электромагн. излучения (оптич. накачка), электрич. разряда, пучка электронов с энергией от неск. десятков эВ до МэВ (электронный удар), высокотемпературный нагрев в-ва с послед, быстрым охлаждением (тепловая накачка), экзотермич. хим. р-ции в в-ве, инжекцию носителей заряда в область />-л-перехода в полупроводнике под действие.м электрич. поля. Рассмотрим нек-рые способы накачки. [c.562]

Нитрид кремния используется в качестве компонента жаростойких и химически устойчивых композиционных материалов. Он нашел также применение в микроэлектронике в качестве диэлектрика и высокотемпературного полупроводника. Карбид кремния — абразивный материал для шлифовальных кругов, матрица для порошковой металлургии, компонент для огнеупоров. К тому же карбид кремния является основой полупроводниковых диодов и фотодиодов. [c.214]

ВР и BAs (т, пл. выше 2000°С)-высокотемпературные полупроводники. [c.300]

Следует отметить, что возникающие под действием радиации дефекты в твердых телах обычно исчезают в результате повьппения температуры ( отжига ). Повышение температуры обычно нейтрализует влияние облучения, так как энергия активации для устранения таких дефектов может быть весьма низкой — менее 1 эв [33]. Это явление имеет важное значение при использовании облучения в каталитических процессах. Создание остаточных дефектов в катализаторах, применяемых для высокотемпературных процессов, обычно встречает большие трудности. В твердых веществах с высокой подвижностью электронов, например в металлических проводниках, электронные дефекты эффективно устраняются простым отжигом. В полупроводниках или изоляционных материалах подобные дефекты сохраняются более длительное время. Как правило, дефекты решетки, вызываемые облучением, будут сохраняться тем дольше, чем больше энергия решетки твердого вещества или чем выше твердость этого вещества. [c.121]

В развитии элементной базы вычислительной техники тесно переплетались возможности монокристаллических и пленочных материалов. В основу технологии изготовления интегральных микросхем (ИМС) были положены следующие методы 1) возможность локальной диффузии донорных и акцепторных примесей в монокристаллический полупроводник — кремний, с использованием в качестве защитного слоя пленки из оксида кремния (IV), выращенной на поверхности кремния при высокотемпературной обработке в окислительной среде (термическое окисление) 2) применение метода фотолитографии, позволившего создать в полупроводнике п — р-переходы малых размеров и сложной конфигурации с помощью локальной диффузии 3) использование химических методов защиты п — р-переходов от окружающей среды пленками из 5102. [c.160]

Термисторы изготовляют из смеси поликристаллических оксидов переходных металлов, например, МпО, СоО, NiO, uO легированных Ge и Si Si полупроводниковых материалов типа стеклообразных полупроводников и других материалов. По номинальному значению рабочих температур термисторы разделяют на низкотемпературные (рассчитанные на работу при температурах ниже -100 °С), среднетемпературные (-100. .. 250 °С) и высокотемпературные (свыше 250 °С). Кроме того, существуют термисторы, работающие при 4,2 К и ниже, а также при температурах 650. .. 1000 °С. Наиболее широко используются среднетемпературные термисторы с ТКС -2,4. .. -8,4 % К и номинальным сопротивлением 1. .. 10 Ом. [c.554]

С. железа. Серые кристаллы применяются в металлургии, для получения высокотемпературных полупроводников и др, [c.389]

Карбид кремния применяют также в качестве высокотемпературного полупроводника, антикоррозионного и огнеупорного материала, исходного продукта для получения элементарного кремния и оксида кремния IV высокой чистоты. [c.263]

Концентрирование с помощью методов кристаллизации из расплавов принципиально возможно при анализе самых различных веществ металлов, полупроводников, солей и жидкостей [452]. Особенно просто таким методом концентрируют примеси в легкоплавких металлах — свинце, цинке, олове, висмуте, сурьме, индии, галлии, которые достаточно инертны к обычным материалам контейнеров (кварц, графит). Высокотемпературная направленная кристаллизация из-за взаимодействия расплавов с материалом контейнера сопровождается загрязнениями концентрата. [c.259]

В физике — исследование кристаллизации веществ, структуры и однородности высокотемпературных сверхпроводников, тонких плёнок, изучение диффузии примесей в полупроводниках. [c.36]

Кристаллы SijN бесцветны, проявляют полупроводниковые свойства (Д = 3,9 эВ). Нитрид кремния используют в качестве химически стойкого и огнеупорного материала, в создании коррозионностойких и тугоплавких сплавов, в качестве высокотемпературного полупроводника. [c.420]

Si твердое, тугоплавкое вещество. Его кристаллическая решетка аналогична решетке алмаза. Так как связь Si—С слабее, чем С — С, то карборунд меисе тверд, чем алмаз. Ои является полупроводником. Карборунд интенсивно реагирует с расплавленными и1,елочаыи (в присутствии кислорода), вьпне 600 С взаимодействует с хлором, выше 1300 °С подвергается высокотемпературному гидролизу [c.375]

Почему графит - проводник, алмаз - изолятор, ни при нагревании ]о,/ у1]роиодник (высокотемпературный полупроводник) [c.103]

Нитрид кремния —высокотемпературный полупроводник. Используется он также в качестве химически стойкого и жаропрочного Б01цества, в создании коррозиоигю-стойких и тугоплав1сих сплавов. В восемь раз прочнее и вдвое легче стальных подшипников из керамических материалов на основе нитрида кремния. Они лучше выдерживают высокие температуры и меньше боятся коррозии. [c.301]

Металлический галлий — голубовато-белый металл. Имееет удивительно низкую температуру плавления — всего +29,78°С, в то время как температура его кипения равна 2237°С. Благодаря этой особенности галлий применяют для изготовления высокотемпературных термометров. Другая интересная особенность этого металла — способность его образовать сплавы со многими другими металлами — магнием, алюминием, свинцом, висмутом, цинком, индием, оловом, таллием, кадмием и др., имеющими низкие температуры плавления. Соединения галлия с мышьяком, сурьмой, фосфором являются полупроводниками. Их применяют в производстве транзисторов и солнечных батарей. [c.159]

Такая, модификация нитрида бора — огнеупорна (до 2000°С), нерастворима, мягка, как графит, но в отличие от последнего имеет белый цвет (она похожа на тальк) и называется белым графитом. Белый графит — полупроводник (Д 4 эВ). При нагревании он медленно разлагается водой, образуя Н3ВО3 и 1МНз. Белый графит применяют в качестве твердой высокотемпературной смазки. [c.290]

Кристаллизация из газовой фазы дает возможность (подвергая, например, исходное твердое вещество сублимации с последующим осаждением) получать материал высокой степени чистоты, заданной структуры и с заданными свойствами. Метод кристаллизации из газовой фазы используют для получения тонкодисперсных порошков — пигментов и усиливающих наполнителей, в частности для получения оксидов (AI2O3, TiOa и др.) путем гидролиза газообразных хлоридов или путем их высокотемпературного окисления. Осаждение из газовой фазы применяют для покрытия подложек тугоплавкими соединениями или оксидными пленками либо для металлизации. Этот метод, заключающийся в эпитаксиальном росте кристаллов, т. е. в наращивании одного вещества на другое, базируется на сходстве строения срастающихся граней. Кристаллизацией из газовой фазы получают монокристаллы и монокристаллические пленки, в частности для лазеров и приборов микроэлектротехники. Возможно прямое осаждение из газов готовых твердых изделий, например, деталей полупроводников и других деталей сложной формы. Возможно также получение гранулятов физическим или химическим осаждением вещества из газа в кипящем слое. Свойства получаемых твердых фаз зависят от условий пересыщения газовой фазы, от температуры подложки и др. [c.262]

Стеклоуглерод используется для изготовления лабораторной посуды и химической аппаратуры, технологической оснастки для высокотемпературных процессов получения особо чистых соединений, при обработке материалов полупроводников, при получении фтористых соединений, а также при зонной очистке различных металлов и соединений и вакуумном испарении металлов. Кроме того, из сте слоуглерода производится крупка и порошок различной тонины помола для применения в качестве теплоизоляционного и фильтрующего материала. Помимо вышеуказанных марок стеклоуглерода производятся марки СУ-12, СУ-20, СУ-30. Свойства этих материалов приведены в таб.л. 3.23 в сравнении со свойствами стеклоуглерода зарубежных марок. [c.63]

Галогениды Т. и их твердые р-ры применяют для изготовления линз и др. деталей приборов ИК техники, легирования кристаллов галогенидов щелочных металлов (для сцинтилляц. счетчиков), наполнения газоразрядных ламп зеленого све+а. Халькогениды Т. входят в состав разл. полупроводников, в частности стеклообразных. Сульфид Т. применяют для изготовления фотосопротивлений. Соли (нитрат, карбонат) используют в произ-ве оптич. стекла. Формиат и малонат Т.-компоненты тяжелых жидкостей (жидкость Клеричи), используемых для минералогич. исследований. Сложные оксиды, напр. Т1Ва2СазСи40ц,-высокотемпературные сверхпроводники. [c.492]

Главные направления эксперим. исследований в современной Т. заключаются в надежном установлении т. наз. ключевых термохйм. величин, на к-рых основаны дальнейшие расчеты, а также в изучении новых и малоизученных классов соед.-полупроводников, комплексных соед., орг. соединений бора, фтора, кремния, фосфора, серы и др. Интенсивно изучают высокотемпературные сверхпроводники, соед. РЗЭ. Возрастает применение Т. в исследовании поверхностных явлений, др. областей коллоидной химии, радиохим. процессов, химии полимеров, своб. радикалов и т. п. Термохйм. величины используют для установления связи между энергетич. характеристиками хим. соед. и его строением, устойчивостью и реакционной способностью в качестве базовых термодинамич. данных при проектировании и усовершенствовании хим. произ-в (в частности, для расчета макс. выхода продукта и прогнозирования оптимального режима) для составления энергетич. баланса хим. реакторов в технол. процессах, исследования и прогнозирования энергоемких структур при создании новых видов топлива. [c.548]

Галлий используют для легирования германия и кремния и для получения полупроводниковых соединений. Интерметаллические соединения галлия (ОаАз, ОаЗЬ и ОаР) сохраняют свойства полупроводников при повышенных температурах, что обеспечивает их использование в высокотемпературных термоэлементах [II16, 1117]. [c.10]

Уголь находит применение также прн производстве углеграфитовых материалов, иотребность в которых постоянно возрастает. Так, выплавка черных металлов, стали, алюминия, производство полупроводников, космическая техника и химическое машиностроение в значительной степени связаны с применением углеграфитовых материалов и изделий. К их числу следует отнести угольные и графитовые электроды, ртутные выпрямители, щетки для электрических машин, детали ядерных реакторов, футеровочные и высокотемпературные материалы и многие другие. Столь разнообразное исиользование обусловлено химической стойкостью, антифракционностью, большой прочностью, хорошей электроконтактностью этих материалов. [c.318]

Наконец, для высокотемпературных реакций не исключена всзмож-ность действия свободных электронов твердого тела. Так, по данным Хауффе и Трэпклера [31], окись кальция является электронным -.Г Лупро-водником. Сопоставление с близким окислом в побочной подгруппе II группы — типичным электронным полупроводником — окисью цинка [32J показывает близость энергии активации (в статически.х условиях 12— 16 ккал/моль на СаО, 12—13 ккал/моль — на ZnO, в адсорбционном слое 21—36 ккал/моль на СаО, 25—46 ккал/моль на ZnO) и предэкспонен-циального множителя реакции разложения изопропилового спирта на окиси цинка и окиси кальция. Интересно в связи с этим отметить, что твердые основания катализируют ряд реакций гидрирования, дегидрирования, разложения перекиси водорода и озона, которые часто относят к гемолитическим реакциям с электронным механизмом. [c.277]

Отличные высокотемпературные свойства UOa позволяют использовать ее в качестве тугоплавкого материала. Она является также полупроводником, и ее электрическое сопротивление заметно уменьшается с повы-шепием температуры- [c.111]

Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводники высокотемпературные: [c.588] [c.389] [c.305] [c.380] [c.314] [c.460] [c.33] [c.33] [c.124] [c.124] [c.248] [c.124] [c.60] [c.359] [c.807] [c.514] [c.591] [c.786] [c.91] [c.91] [c.183]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология