Родий теллурид

В качестве катализаторов применяют ацетаты металлов никель, модифицированный серой смеси оксидов цин (а, меди и хрома сульфиды платины родий селениды и теллуриды кобальта сложные многокомпонентные системы, содержащие никель, кислоту и органические соединения серы. [c.122]

Целью данной работы является изучение механизма окислительного ацетоксилирования 1,3-бутадиена в присутствии модифицированных теллуридов палладия и родия, нанесенных на активированный уголь. [c.24]

СОЕДИНЕНИЯ РОДИЯ С ТЕЛЛУРОМ ТЕЛЛУРИДЫ [c.63]

Сульфиды типа Э52, а также аналогичные по составу селениды и теллуриды известны для всех платиновых металлов (может быть, кроме родия, для которого их существование сомнительно), Как правило, эти серые или черные ве- [c.404]

Очень небольшие количества палладия можно осадить с элементарным теллуром, получающимся при восстановлении теллурита хлоридом олова(П) или другим таким же сильным восстановителем. Палладий при этом, вероятно, осаждается в виде теллурида. Золото, серебро, платина и родий (частично) сопутствуют палладию. Этот метод выделения ценен тем, что позволяет отделять палладий от железа, меди, мышьяка и большинства других основных металлов. Теллур (и селен) можно отогнать из осадка при прокаливании (полезно добавить иодид аммония). Метод подробно описан на стр. 646 V [c.640]

Соединения с другими неметаллами. Характеристические летучие водородные соединения селена и теллура НгЗе и НгТе являются гомологами сероводорода. Получают селеноводород и теллуроводород разложением селенидов и теллуридов разбавленными кислотами. Селено- и теллуроводород — бесцветные газы с характерным неприятным запахом. Селеноводород более токсичен, чем Нг8. В отличие от сероводорода они эндотермичны и в отсутствие воздуха разлагаются на компоненты при незначительном нагревании. Их химическое строение аналогично сероводороду, но с утяжелением халькогена длина связи с водородом растет, а энергия уменьшается. В водных растворах селено- и теллуроводород представляют собой кислоты. От селеноводорода к теллуроводо-роду сила кислоты возрастает вследствие уменьшения прочности связи халькогена с водородом (рК1 4,2 и рА 1 3,3 соответственно). [c.447]

Разложение теллурида алюминия и очистку полученного теллуроволо-рода проводят на установке (см. рис, 65, стр. 163), описанной при получении селеноводорода. [c.168]

Очень интересно выяснить, совпадают ли структуры поверхностей расколотых кристаллов и кристаллов, очищенных с помощью ионной бомбардировки и прогрева. Такого рода эксперименты впервые были выполнены Хейнеманом [21], который рассматривал грани (0001) теллурида висмута. Результаты исследования поверхностей, приготовленных указанными способами, находились в согласии друг с другом. Однако, как отмечено выше, структура этих кристаллических граней не отклоняется от нормальной. Поэтому были поставлены более многообещающие эксперименты, позволявшие сравнивать грани (111) поверхностей германия, приготовленных двумя способами [15, 23]. Хотя для грани (111) поверхности раскола также наблюдались потоки дробного порядка, распределение интенсивности в обоих случаях заметно различалось. Кроме того, прогрев поверхности раскола приводил к резко выраженным изменениям, позволяющим предположить, что после раскалывания при комнатной температуре атомы поверхности находятся не в равновесных положениях. Было также отмечено, что поверхность, полученная методом конной бомбардировки и прогрева, значительно ближе к идеальной поверхности, образуемой набором граней (111), чем поверхность раскола. Лендер н др. [24] сравнительно недавно повторили опыты с раскалыванием кристаллов кремния и получили похожие результаты. Прогрев расколотых кристаллов также приводил к большим изменениям, согласующимся с данными для поверхностей, получаемых методом ионной бомбардировки и прогрева. Эти опыты заставляют серьезно усомниться в ценности экспериментальных данных, полученных на непрогретых поверхностях раскола. [c.329]

Из-за малой величины чисел переноса Та и Тк, затрудняющей их измерение, подобные исследования проводились редко. Рейнгольду [54] удалось показать наличие одновременной диффузии электронов и ионов в сульфиде, селениде и теллуриде серебра. По данным Гундермавна и Вагнера [55], число переноса одновалентных ионов меди в закиси меди при 1000° С получилось равным 5-10 , причем эта величина не зависела от давления. Для определения чисел переноса в жидких окислах СигО, СоО и N 0 Шраг [56] проводил измерения на жидких мостиках , образующихся между электрическими контактами. Число переноса ионов в окиси никеля при 1800° С составляло, напоимер, 3,9-Ю З, тогда как остальная часть проводимости была электронной. Измерения подобного рода были проведены и на растворах металлов или ннтерметаллидных соединениях, но они имеют для нас меньшее значение. Недостаток таких измерений состоит в том, что они, как правило, дают суммарную подвижность ионов без подразделения на относительные вклады анионов и катионов. [c.41]

Спектральный анализ. Пробы и эталоны в количестве 195мг для селенида свинца и 250 м% для теллурида свинца, смешанные с 4 М1 хлористого натрия мг серы, помещают в канал нижнего злякт-рода (анод ) и зЕлсигают дугу постоянного тока. [c.47]

Полупроводниками называют кристаллические вещества, электропроводность которых характеризуется следующими особенностями 1) при повышении температуры проводимость их возрастает 2) для каждого полупроводника существует некоторый высший предел температуры, ниже которого величина его проводимости зависит от присутствия в нем примесей и различного рода нарушений периодичности его решетки. Полупроводниками являются некоторые элементы и многочисленные соединения. Наиболее изученные и распространенные материалы среди получивших промышленное применение — германий и кремний. Весьма перспективными для производства новых видов приборов являются арсепиды галлия и индия, фосфиды галлия и индия, сульфиды, селениды и теллуриды кадмия и некоторые другие. Известно несколько сотен полупроводников. [c.7]

Такого рода процессы замещения селена или теллура на серу имеют общий характер. Так,реакцня бис (пентафторфенил) се-леиида и -теллурида с серой при 320°С приводят к количественному образованию бис (пентафторфенил) сульфида [163]. Аналогичными реакциями могут быть получены октафтордибен-зотиофен и октафтортиантрен [167] [c.346]

Изучение осаждения при температурах между 800 и 1050° показывает, что при этих условиях скорость диффузии индия пропорциональна p i . Атом индия может диффундировать только тогда, когда он находится вблизи вакансии, и это может быть использовано для определения концентрации ассоциатов атом индия — вакансия (см. разд. VIII. 1). Такого рода зависимость концентрации от давления кислорода имеет ассоциат (InznVzn), образованный Inin и Vzn. Отсюда, между прочим, следует, что Vzn, так же как V d в теллуриде кадмия, может связывать два электрона. [c.494]

Незначительные количества платины можно отделить почти от всех неблагородных металлов при осаждении ее хлоридом олова(П) из солянокислых растворов, содержащих немного (<С 1 мг) теллура в виде теллу-рита . Платина (вероятно, в виде теллурида) очень эффективно осаждается с образующимся при этом осадком теллура. Золото, серебро, палладий и родий соосаждаются вместе с платиной три первых элемента обычно осаждаются количественно, родий пенолиостью, но в больших количествах. Соосаждение иридия, по-видимому, очень неполное. В табл. 89 указаны типичные данные по отделению платины от основных металлов. [c.649]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология