Теллур диаграмма состояния

Рис. 78. Диаграмма состояния сплавов системы сера — теллур

Рис. 27. Диаграмма состояния системы индий — теллур

Рис. 1-9. Диаграмма состояния системы сера — селен — теллур (цифры на рисунке — температура, °С).

Для материалов / -типа концентрационное переохлаждение, связанное с диаграммой состояния В12Тез-8Ь2Тез (рис. 14), не возникает, так как при рабочих составах в области упорядочения в слоях В1, 8Ь линии ликвидуса и солидуса пересекаются, т. е. коэффициент распределения равен единице. Но здесь может возникнуть концентрационное переохлаждение, связанное с избытком теллура в расплаве, который вводят для компенсации избытка висмута и сурьмы в твердой фазе. Например, на диаграмме состояния Bi,Sb-Te в области соединения (В1, 8Ь)гТез (рис. 15) так же, как на рассмотренной выше диаграмме В1-Те, область гомогенности (на рис. 8, 15 заштрихована) сдвинута в сторону больших концентраций В1 и 8Ь, но, в отличие от диаграммы В1-Те, в данном случае вертикаль, соответствующая стехиометрическому составу, не пересекает область гомогенности, а кривая солидуса с правой стороны имеет выпукло-вогнутую форму. Избыток теллура, который надо вводить для того, чтобы получить нужную концентрацию дырок, может вызвать концентрационное переохлаждение. [c.52]

Радиусы атомов рутения (1,30), родия (1,34) и палладия (1,37) больше, чем металлов подгруппы железа, что создает геометрические предпосылки для образования более сложных силицидов. Строение электронных оболочек этих металлов характеризуется заканчивающимся заполнением Л 4с -слоя и началом заполнения (кроме палладия) ОдЗ-слоя. Следующие за ними пять элементов (серебро, кадмий, индий, олово, сурьма) не образуют силицидов, а теллур и йод дают лишь малостойкие соединения с кремнием. Можно предполагать, что теплоты образования и температуры плавления силицидов рассматриваемых металлов должны понижаться от рутения к палладию. Отсутствие соответствующих термодинамических данных о силицидах металлов группы палладия и диаграмм состояния систем Ки—51 и КЬ—51 лишают возможности более подробно выявить имеющиеся здесь закономерности. Судя по диаграмме состояния системы Рс1—51, температуры плавления силицидов рутения и родия должны быть относительно невысокими (едва ли выше 1400—1500°). Все изученные силициды рутения, родия и палладия образуются с уменьшением объема (см. табл. 2). [c.205]

Наиболее благоприятны для очистки диаграммы состояний с эвтектиками и с очень узкой областью гомогенности твердых растворов примеси в основном веществе, например индия в германии (как на рис. 52). Чем меньше единицы коэффициент распределения /(=Ств/Сж, тем лучше. Гораздо менее благоприятные условия создаются, когда примесь образует непрерывный ряд твердых растворов с основным веществом (как на рис. 6). Для примесей первого рода К=Стп/С-д,>1 (например, для бора в германии /(=17,3), а для примесей второго рода /(<1. Например, для алюминия и галлия в германии /( = 0,01, для индия /( = 0,001, для теллура и висмута /( = 4-10- и т. д. Чем К<, тем легче очищается вещество от этой примеси. Для примесей с К> метод мало эффективен, а при /С=1 очистка совсем не происходит. Например, таким образом нельзя удалить бор из кремния, так как Этим методом не достигают однородности химического состава слитка и совершенство структуры. [c.323]

Сплавы серы с теллуром. Диаграмма состояния системы Те—5 (рис. 71), которая приведена в обзоре 247 ], по данным работ [690—693], указывает на полную смешиваемость теллура и серы в жидком состоянии. На диаграмме нет соединений теллура с серой, которые можно получить препаративным путем. Сплавам теллура с серой посвящена монография Д. М. Чижикова и В. П. Счастливого [694]. [c.267]

Теллуриды. С теллуром галлий образует больше соединений, чем с селеном и серой (рис. 45), причем диаграмма состояния этой системы еще установлена не окончательно. Остается открытым вопрос о [c.235]

В последние годы интересной группе полупроводниковых соединений индия с серой, селеном и теллуром исследователи уделяют большое внимание. Это устойчивые на воздухе вещества, обладающие фотоэлектрическими, термоэлектрическими, оптическими и другими свойствами. Соединений и фаз индия с серой, селеном и теллуром значительно больше, чем соединений в системах других элемен-тов-аналогов. Известны диаграммы состояния таких систем 1п—8 (в пределах концентраций от О до 60 ат.%. 8) 1п—Зе и 1п—Те (в пределах всего интервала концентраций). [c.83]

На величину Ъ может 5ш e твeннo влиять выбор легирующей примеси. На диаграмме состояния висмут-теллур (рис. 8) в области соединения В12ТеЗ сингулярная точка (в которой твердая и жидкая фазы имеют одинаковый состав), смещена относительно стехиометрического соотношения в сторону избытка висмута. Поэтому при кристаллизации расплава син1улярного состава твердая фаза имеет р-тип проводимости из-за акцепторного действия избыточных атомов висмута, которые образуют в подрешетке теллура антиструктурные [c.46]

Диаграммы состояния систем из веществ, образующих химические соединения. Примером такой системы является I —Те-иод и теллур образуют устойчивое соединение Те . Если при сплавлении веществ между ними образуется соединение, то на диаграмме появляется максимум, отвечающий его составу. Такие диаграммы (рис. 2.36) представляют собой как бы сочетание двух диаграмм вида рис. 2.35. Здесь две эвтектики и 2 области под кривыми Е С и сЕ2 — области сосуществования кристаллов, химического соединения А Вт (в данном случае ТеЦ) с растворами, насыщенными им. [c.291]

Диафаммы состояния систем, состоящих из веществ, образующих химические соединения. Примером такой системы является 1-Те иод и теллур образуют устойчивое соединение ТеЬ. Если при сплавлении веществ между ними образуется химическое соединение, то на диаграмме состояния появляется максимум, отвечающий его составу. Такие диаграммы (рис. 2.34, вариант I) представляют собой как бы сочетание двух диаграмм вида, представленного на рис. 2.33. Как наглядно видно из общей диаграммы (вверху рисунка), в такой системе образуются две эвтектики Ei и Ег площади под кривыми Ei и сЕг - области сосуществования кристаллов химического соединения А Вт (в данном примере ТеЬ) с растворами, насыщенными им. [c.309]

К настоящему времени исследованы диаграммы состояния бинарных систем германия с цинком, кадмием, алюминием, галлием, индием, таллием, сурьмой, висмутом, оловом, серебром, золотом, свинцом. Эти диаграммы имеют эвтектический характер в некоторых случаях эвтектика вырождена. Образо вание химических соединений установлено при взаимодействии германия с серой, селеном, теллуром, мышьяком, фосфором, магнием, марганцем, железом, кобальтом, никелем, сурьмой, литием, серебром. Диаграммы состояния систем германия с медью изучены также и в области очень малых концентраций примесей — порядка 10 смг [40]. [c.72]

Теллуриды. Индий образует с теллуром большое число соединений. Кроме шести соединений, приведенных на диаграмме состояния (рис. 64), в литературе указывалось на существование 1пзТе2, 1пдТе,, ПдТе,, 1пТез [58]. Синтезируются все теллуриды путем сплавления компонентов. [c.294]

Селениды и теллуриды. С селеном вольфрам образует диселенид WSe2 и триселенид WSej, с теллуром — дителлурид WTeg. Полные диаграммы состояний W—Se и W—Те не исследованы. Ди-соединения образуются прямым синтезом [c.238]

Соединения с относительно большим содержанием теллура получаются в описанных условиях гомогенными (иногда после 2 нед нагревания). Для получения гомогенных фаз, обедненных теллуром, после нагревания при 800—1000 °С негомогенное вещество вынимают из кварцевой ампулы и в потоке выоокочистого аргона помещают в закрытый крышкой тигель из тантала, молибдена или борида титана и доводят температуру до 1400—1800°С, лучше в индукционной печи. Температуры плавления фаз можно определить по соответствующим диаграммам состояния [1]. Для малых количеств веществ рекомендуется второе нагревание проводить в маленькой танталовой трубочке, сплющенной с концов и нагреваемой электрическим током. [c.1192]

Металлические системы, одним из компонентов которых является осмий, изучены сравнительно мало. Среди платиновых металлов осмий образует наиболее простые диаграммы состояния с наименьшим числом химических соединений. Непрерывные ряды твердых растворов осмий дает с рутением, технецием и рением. В жидком состоянии осмий сплавляется почти со всеми металлами за исключением золота и серебра. В твердом состоянии в осмии наиболее активно [до 50 /о (ат.)] растворяются переходные металлы. Иттрий с осмием не образует твердых расгворов, а диаграммы состояния с другими РЗМ не построены, о-фаза образуется в системах осмия с ниобием, танталом, молибденом и вольфрамом Лавес-фаза — с иттрием, скандием, гафнием Х Ф за — с ниобием соединения типа OSR2 с решеткой пирита — с серой селеном и теллуром соединения с решеткой s l — с гафнием и т. д. С оловом н цинком осмий соединений не дает. Влияние легирующих элементов на физико-механпчёские свойства осмия практически не изучено. [c.512]

Двойные соединения алюминия с серой, селеном и теллуром, так же как и соединения бора, мало устойчивы на воздухе. Они жадно поглощают влагу и быстро гидролизуются с выделением халькогеноводорода и гидроокиси алюминия. Диаграммы состояния систем А1—8, А1—8е и А1—Те хотя и исследованы, однако не являются достаточно надежными. Исследователи изучали только свойства отдельных фаз, их кристаллическую структуру, термическую устойчивость и т. д. Практического значения эти соединения пока не получили. [c.23]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

Достоинством рассматриваемого метода является возможность с помощью относительно простой аппаратуры получать кристаллы, насыщенные выбранным компонентом при заданной температуре и имеющие форму и размеры, удобные для проведения дальнейши анализов. Кроме того, методом ЗПГТ можно выращивать кристаллы, характеризующиеся весьма широким диапазоном изменения концентраций компонентов. Например, этот метод был использован для построения участка линии солидуса диаграммы состояния системы висмут — теллур в интервале 46—60% (ат.) Те (рис. 60), причем на одном образце было получено соединение, образующееся по перитектической реакции [р-фаза, 58,1% (ат.) Те], и конгруэнтно плавящееся соединение В1гТез [138]. [c.133]

Соединения индия с теллуром стали объектами исследования сравнительно недавно. В 1934 г. была опубликована диаграмма состояния Гп—Те [7], которая была включена в справочник Хансена и Андерко [5]. В эт >м вариате системы даны следующие химические соединения Хп Те, 1пТе, ХпзТед и ХпаТвв, состав которых установлен на основании данных термического и рентгенографического ис- [c.124]

Для проведения технологических операций нужно иметь подробную диаграмму состояния Р—Т—X. Имеются двумерные диаграммы Т—X и Р—Т, которые представлены на рис. 10.13. и и 10.14. Равновесное давление паров над расплавом в конгруэнтной точке плавления (Гпл= 1098° С) составляет P d = 0,9 ат, Ртв2 = 0,4 ат. При указанных давлениях паров компонентов состав кристалла, соответствующий конгруэнтной точке плавления, по-видимому, не совпадает со стехиометрическим. Как видно из диаграммы Р—Т состава твердого теллурида кадмия, его температура плавления понижается как при увеличении, так и при понижении давления паров кадмия. Однако в области давлений паров кадмия, которые необходимы для управления типом и величиной проводимости чистого dTe, эти изменения температуры плавления составляют всего несколько градусов На этой же диаграмм-е пунктирными линиями обозначены давления паров чистого кадмия и чистого теллура (давления паров теллура пересчитаны по уравнению = onst в соответствующие значения P d). [c.497]

Одной из наиболее важных донорных примесей в полупроводниковых соединениях типа А В , в частности 1пАз, является теллур. В связи с этим исследование диаграммы состояния 1п — Аз — Те представляет интерес для практики легирования арсенида индия. [c.248]

Разрез InAs — Те. Диаграмма состояния разреза InAs — Те, показанная на рис. 1, была построена по данным термического и микроструктурного анализов. Растворимость теллура в арсениде индия, определенная микроструктурным методом, составляет при комнатной температуре менее [c.250]

Диаграммы состояния систем элементов подгруппы германия с халькогенами изучены лучше и полнее по сравнению с системами А —В -. Объясняется это прежде всего тем, что соединения AIVBVI характеризуются более низкими температурами плавления по сравнению с А В . Теллур с элементами подгруппы германия образует только зкви-атомарные соединения А Те — монотеллуриды. Из-за небольшой электроотрицательности теллура он не может окислить германий, олово и свинец до более высоких степеней окисления, чем -f2. [c.184]

Как видно из диаграммы состояния системы Bi — Те вблизи соединения BiaTes (рис. 93), максимум температуры плавления смещен в сторону избытка висмута по сравнению со стехиометрическим составом. Поэтому кристаллы теллурида висмута, выращенные из расплава стехиометрического состава, содержат избыток атомов висмута, что и обусловливает дырочную проводимость. Образцы BigTes стехиометрического состава находятся в равновесии с расплавом, содержащим 63 ат. % Те, и имеют /г-тип проводимости. Сплавы, полученные из расплавов, более богатых теллуром, также обладают электронной проводимостью. Таким образом, в теллуриде висмута избыток висмута создает акцепторные уровни, а избыточный теллур — донорные. Иод в теллуриде висмута также является донорной примесью. Подобное поведение теллурида висмута и, по-видимому, других соединений AJbJ сближает их с полупроводниковыми соединениями Л" В . Это указывает на ковалентный характер химических связей в рассматриваемых соединениях, в частности в теллуриде висмута. [c.196]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология