Родий фосфиды

В настоящее время изучается обширная группа полупроводниковых материалов, представляющих собой химические (большей частью бинарные ) соединения. Интересно отметить, что среди этих соединений хорошими проводниковыми свойствами обладают соединения элементов, равноотстоящих от середины таблицы Менделеева, например вещества состава A i , где А — элемент III группы, а В — элемент V группы. Примеры полупроводников подобного рода фосфиды галлия и индия (GaP, InP), арсениды тех же метал- [c.458]

Такого же рода изломы наблюдаются на кривых термодинамических и физических характеристик полупроводниковых соединений типа (рис, 53). Так, температуры плавления нитридов намного превышают температуры плавления фосфидов. Характерный излом отмечается для температур плавления арсенидов. Аналогичные изломы для свойств соединений А1 В наблюдаются на кривых микротвердости и ширины запреш енной зоны в зависимости < т атомного номера аниона. Так характеристики полупроводниковых соединений отражают немонотонность изменения ковалентных радиусов (см. рис. 47), обусловленную в свою очередь различиями строения внутренних электронных оболочек атомов. [c.139]

Механизм гидроформилирования с использованием комплекса родия, модифицированного фосфинами, исследовали во многих лабораториях, используя ИК-, ПМР- и Ф-ЯМР-спектроско-пию. Эти обширные исследования рассмотрены в обзоре [14]. Хотя детальный механизм не вполне понятен, можно записать вероятный каталитический цикл (рис. 12.1). Отношение L/Rh (где L —третичный фосфид) и стадия, определяющая скорость, различны при разных условиях реакции. Для простоты на рис. 12.1 изображено отношение L/Rh, равное 2 1, но, несомненно, другие комплексы также вносят вклад в общую реакцию. На рисунке приведен только главный линейный алкильный комплекс. [c.106]

Окислы, фосфиды, нитриды, сульфиды металлов от II до VIII группы периодической системы элементов, например, молибдена, вольфрама, хрома, ванадия, марганца, кобальта, никеля, железа, цинка, родия, урана, олова [c.282]

Обнаружено, что и литий, и медь быстро диффундируют во многие из этих полупроводников — как и в большинство твердых тел. О равновесии в GaAs с медью, выступающей в начале в качестве поверхностной фазы, сообщалось в работе [37]. Результаты показывают, что в арсениде галлия, подобно случаю меди в германии или кремнии, атомы меди перемещаются как по узлам, так и по междоузлиям. Однако, как видно из рис. 15, равновесная растворимость в GaAs значительно больше. Вызвано ли это образованием пар из атомов меди в узлах и междоузлиях, как это, по-видимому, имеет место в PbS, не известно. Поскольку известно, что кристалл содержал приблизительно 10 доноров и акцепторов (компенсация), то, возможно, происходит образование пар или реакция между Си или Си - и присутствующими донорами, что также приводит к увеличению растворимости меди. Доказательство того, что реакции такого рода действительно имеют место, получено в опытах с арсенидом галлия, легированным серой, и с фосфидом галлия, содержащим неизвестные доноры. В обоих случаях добавление меди приводило к компенсации образцов вплоть до температур примерно 700°, что было показано измерениями эффекта Холла и инфракрасного поглощения. В подобных же опытах, когда литий взаимодействовал с акцепторами в антимониде галлия, наблюдалось полное исчезновение поглощения свободными дыр- ками [38]. [c.282]

Мышьяк, сурьма и висмут дают соединения с металлами, водородом, галогенами, серой и кислородом. Образование соединений с металлами для них менее характерно, чем для азота и фосфора. Однако известны такого рода соединения, аналогичные нитридам и фосфидам, которые называют арсенидами, антимонидами и висмутидами Примерами таких соединений могут служить арсенид магния MgзAs2, антимонид магния MgзSbг и висмутид магния М зВ1г. [c.334]

Полупроводниками называют кристаллические вещества, электропроводность которых характеризуется следующими особенностями 1) при повышении температуры проводимость их возрастает 2) для каждого полупроводника существует некоторый высший предел температуры, ниже которого величина его проводимости зависит от присутствия в нем примесей и различного рода нарушений периодичности его решетки. Полупроводниками являются некоторые элементы и многочисленные соединения. Наиболее изученные и распространенные материалы среди получивших промышленное применение — германий и кремний. Весьма перспективными для производства новых видов приборов являются арсепиды галлия и индия, фосфиды галлия и индия, сульфиды, селениды и теллуриды кадмия и некоторые другие. Известно несколько сотен полупроводников. [c.7]

Согласно Ю. М. Голутвину [10], для соединений подобного рода теплота образования из атомов (Q) иропорциональ-на общему числу (п) валентных электронов. Для фосфидов [c.552]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология