Таллий электропроводность

Удельная электропроводность насыщенного раствора монобромида таллия при 20° С равна 2,158-10-2, удельная электропроводность использованной воды составляет 0,444-10— Ом- -м . Рассчитать растворимость монобромида таллия в граммах на литр, если мольная электропроводность при бесконечном разбавлении равна 0,0138 Ом- -м -моль . [c.357]

Кондуктометрическое титрование. Один из способов кондуктометрического титрования одновалентного таллия основан на его осаждении в виде Ти. Непосредственно титровать таллий раствором КЛ нельзя, так как подвижность ионов калия и таллия практически одинакова и замена ионов Т1+ в растворе на ионы К+ не вызывает изменения электропроводности. Поэтому таллий титруют раствором иодида натрия. Хорошие результаты получаются при титровании нитрата или сульфата таллия [769, 786]. Кривая титрования имеет хорошо выраженную точку эквивалентности. Вследствие заметной растворимости ТУ ошибка титрования может достигать 1—2%. [c.106]

Перхлорат таллия. При 266 °С происходит преобразование кристаллов этого соединения плавится оно при 501 °С Была измерена его электропроводность в нитрометане . Приведены также коэффициенты осмотического давления и активности . [c.62]

Корыта [92] показал, что значения коэффициентов диффузии ионов таллия, свинца, кадмия и цинка, вычисленные из величин диффузионных токов на струйчатом электроде, практически совпадают со значениями, вычисленными из электропроводности при бесконечном разбавлении. Исследуя зависимость диффузионного тока от скорости вытекания т и длины струи ртути, Валента [93] проверил справедливость уравнения (81). Зависимость диффузионного тока от корня квадратного из произведения т на I представляет прямую, проходящую через начало координат, как этого требует уравнение (81), а коэффициент диффузии иона таллия, вычисленный из наклона этой прямой, равен значению, полученному по уравнению Ильковича из величины [c.100]

I—плавкость Г/—давление истечения Л/—температурный коэффициент электрического сопротивления IV -электропроводность при 25° С. Заштрихованное области диаграммы соответствуют областям существования а, р и т твердых растворов висмута и таллия. [c.217]

Подвижность иона одновалентного таллия при 18° составляет 66,0, что, следовательно, только немноги л больше, чем для иона К (ср. стр. 181). Эквивалентная электропроводность соли одновалентного таллия в умеренно разбавленном растворе меньше, а в сильно разбавленном растворе больше, чем соответствующие значения для соли калия. [c.421]

Удельная электропроводность таллия [c.76]

Температурный коэффициент электропроводности таллия 2 [c.76]

Электрические и магнитные. Удельное электрическое сопротивление р и удельная электропроводность сг таллия в зависимости от температуры [c.184]

Температурный коэфициент электропроводности таллия [12, 1939 г.] [c.110]

Ряд авторов [42, 44, 45] отмечают, что теллуриды таллия как в твердом, так и в жидком состоянии — интересные термоэлектрические полупроводники с повышенным коэффициентом термо-э.д.с. и малой величиной электропроводности. В твердом и жидком состояниях сохраняется р-тип проводимости, однако в узкой области жидких составов (66—68 ат.% Те) проводимость является электронной. [c.165]

Оксиды и гидроксиды алюминия, галлия, индия амфотерны, а оксиды таллия — ТЬО и ТЬОз — характеризуются только основными свойствами. Из металлов данной подгруппы галлий и индий нмеют кристаллические решетки, обычно не свойственные металлам (галлий — ромбическую, индий — тетрагональную). При этом у галлия в узлах решетки находятся не отдельные атомы и ионы, а двухатомные молекулы Саг, Для разрушения которых нужна незначительная энергия галлий плавится при 30°С. В расплавленном состоянии двухатомные молекулы галлия частично диссоциируют, появляются и отдельные атомы и ионы, связанные друг с другом металлической связью. Поэтому электропроводность жидкого галлия выше, чем у твердого металла. [c.339]

На основании изучения поведе тия ряда бинарных систем свинца с серебром, таллием, кобальтом и золотом Кирьяков и Стендер пришли к выводу, что действие легирующих добавок связано с электрохимическими процессами, протекающими на поверхности анодного сплава под защитной пленкой. Ток распределяется между составляющими сплава неравномерно легирующая добавка, обладающая большей электропроводностью или меньшим анодным потенциалом при выделении на ней кислорода, будет брать на себя значительную долю, тока, а это уменьшает количество тока, проходящего через свинец и, следовательно, количество разрушаемого свинца. Эта теория позволяет сделать рациональный выбор легирующей добавки, но не объясняет влияния некоторых ионов, особенно катионов в электролите, на стойкость свинцового анода. [c.180]

Введение меди, серебра и таллия в селениды мышьяка, как правило, приводит к повышению их проводимости. Введение меди и серебра в стекло состава АзЗегСаода приводит к снижению электропроводности примерно на порядок при введении таллия электропроводность снижается на 2—3 порядка. [c.104]

В настоящее время известны два больших класса стекол с высокой электропроводностью (полупроводниковые). К первому классу относятся бескислородные халькогенидные стекла, состоящие из сульфидов, селепидов и теллуридов фосфора, мышьяка, сурьмы и таллия. Второй класс составляют кислородные стекла, содержащие большие количества окислов ванадия, вольфрама, молибдена, марганца, кобальта, железа, титана. Наилучшимп технологическими свойствами (хорошей химической стойкостью, высокой температуро1 5 размягчения обладают силикатные стекла с окислами железа и титана. [c.327]

Способ 2 [2]. Гладкий и плотный осадок металлического таллия высокого качества образуется при электролизе раствора перхлората таллия, содержащего крезол, и в качестве анодного деполяризатора — пептон. Плотность тока не должна превышать 5—18 мА/см . TI IO4 хорошо растворим в воде, раствор обладает значительной электропроводностью и устойчив на воздухе. При низких плотностях тока ( 5 мА/см ) из растворов, содержащих некоторый избыток H IO4 (10 г/л), образуются плотные осадки металла. В присутствии пептона выпадает желтый осадок, не оказывающий влияния на основной процесс. Для получения осадков металла хорошего качества при более высоких плотностях тока (9—18 мА/см ) необходимы более высокие концентрации свободной H IO4 — до 60 г/л. [c.945]

Несоответствие исправленного уравнения данным эксперимента объясняется тем, что истинные значения коэффициентов диффузии меньше величин, вычисленных из данных по электропроводности при бесконечном разбавлении. Хотя различие в коэффициентах диффузии играет существенную роль, все же, по-видимому, оно не является решающим. Так, например, коэффициент диффузии Т1+ вО,1 н. КС1 на 10% меньше [41] по сравнению с его значением при бесконечном разбавлении. Сила тока пропорциональна корню квадратному из коэффициента диффузии, поэтому разница в значениях вычисленной силы тока [уравнение (62)] будет составлять лишь 5%, тем не менее экспериментальное значение все же остается на 9% меньше рассчитанного. Новейшие исследования [42] показывают, что наблюдаемые расхождения между опытными и теоретически вычисленными значениями среднего диффузионного тока при работе с вертикальным капилляром обусловлены обеднением раствора у поверхности электрода, вызываемым предшествующей поляризацией. Эта точка зрения была наглядно подтверждена следующим опытом. Снимались [42, 43] средние значения диффузионных токов раствора таллия с применением капилляра, согнутого на конце почти на 180° этот капилляр был применен в двух положениях устьем вниз и устьем вверх, причем скорость вытекания ртути в обоих случаях была одинакова и капилляр во втором положении был несколько наклонен таким образом, что его период капания оставался неизменным. В том случае когда капилляр был помещен вертикально устьем вниз, кратковременного движения жидкости, возникающего за счет отрыва и падения капли, недостаточно, чтобы устранить обеднение раствора по деполяризатору около устья капилляра, вызванное поляризацией на предыдущей капле вследствие этого сила тока в начале роста капли существенно понижена. В том случае, когда капилляр был расположен горизонтально или устьем вверх, после отрыва капли иаблю- [c.85]

В том же 1920 г. в журнале Physi al Review появилась статья Кейса, который обнаружил, что электропроводность одного из соединений таллия (его оксисульфида) изменяется под действием света. Вскоре были изготовлены первые фотоэлементы, рабочим телом которых было именно это вещество. Особо чувствительными они оказались к инфракрасным лучам. [c.258]

Из измерений Денхама и Марриса [3] вычислено, что рй, равен 9 или менее, но эта величина, несомненно, слишком низка, так как гидроокись таллия (I) известна как сильное-основание почти с нормальным коэффициентом удельной электропроводности (см. [4] ), [c.77]

Объяснение результатов измерений Жоба образованием не-диссоциированной гидроокиси таллия в сильноосновных растворах , по мнению автора, исключается, так как легко растворимая гидроокись таллия известна как сильное основание с почти нормальным коэффициентом электропроводности. Предполагаемый порядок величины константы гидролиза для иона таллия (I) приведен в табл, 9, стр. 77, где эта величина сравнивается со значением первой константы устойчивости амминов таллия (I), полученным Жобом. [c.183]

Таким образом, концентрация электронов или дырок па новерхпости полупроводника регулирует адсорбционную способность катализатора и реакционную способность хе-мосорбированных частиц. Число носителей тока на поверхности определяется их содержанием в объеме. Поэтому должна существовать связь между электропроводностью, определяющейся концентрацие электроно1в в объеме, II каталитической активностью. Когда в окись цинка вводится окисел лития (Ь гО), электроироводность системы уменьшается, а в присутствии окисла галлия (ОагОз) — увеличивается. На этих катализаторах окисляли окись углерода до углекислого газа, оказалось, что скорость в присутствии добавок изменяется на смеси окиси цинка с окислом лития скорость реакции была ниже, чем на образце, содержащем окисел таллия. [c.86]

Получение высокочистых селена и теллура в настоящее время является важной проблемой в связи со все растущей потребностью народного хозяйства в этих металлах. Элементарный селен широко используется для изготовления выпрямителей, фотоэлементов, в электронографии. Селениды и теллуриды нашли применение в качестве фотосопротивлений, люминофоров, кристаллических счетчиков. На основе селена и теллура получены сплавы с высокими термо- и фотоэлектрическими характеристиками. Однако микропримеси различных металлов, а также кислорода и галогенов оказывают большое влияние на свойства получаемых на основе селена и теллура. полупроводниковых материалов. Так, мйк-ропримеси кадмия изменяют электропроводность селена. Таллий очень сильно влияет на кристаллизацию селена. Чем больше таллия, тем более крупнозернистым получается селен. Наличие таллия также сказывается на тепло- и электропроводности селена. Примеси кислорода в селене в количествах 10 — 10- % изменяют проводимость селена. Также сильное влияние оказывают следы влаги. Известно, что галогены изменяют электрические свойства металлического селена при содержании 10 — [c.445]

Гидрид и дейтерид урана имеют кубическую решетку. Плотность гидрида урана составляет 10,92 г/сж . Гидрид имеет металлический блеск и высокую электропроводность, близкую к электропроводности чистого металлического урана. При нагревании свыше 200° С гидрид урана начинает разлагаться, причем уже при 436° С давление водорода достигает атмосферного (рис. 48) — гидрид нацело разлагается. Этим свойством широко пользуются для получения порошка чистого урана и для отделения металлического урана от его сплавов так как гидрид урана очень хрупок и его образование сопровождается разрушением компактного талла, то образовавшийся порошок можно отсеять от негидрирующейся части металла, т. е. от сплавов урана [622]. [c.353]

Шпеккер и др. [67] использовали метод кондуктометрического экстракционного титрования. Метод применим, если используется экстрагент с относительно высокой диэлектрической проницаемостью. В этом случае можно с достаточной степенью точности регистрировать изменения электропроводности органической фазы после добавления в водную фазу различного количества кислоты НХ или ее соли. На графиках, характеризующих зависимость электропроводности от количества прибавленного галогенид-иона, наблюдаются изломы, соответствующие стехиометрическому составу экстрагирующихся соединений. Этот метод применяли для определения состава галогенидных и роданидных комплексов галлия, индия и таллия, извлекаемых ЦГН, МИБК и ТБФ. [c.34]

Электропроводность металлического войлока в 4 раза ниже, чем у ме- ( таллов в обычной форме (кусках, проволоке и т. д.), что дает возмож- ность использовать его при сваривании, например меди со сталью. Бла- I. годаря высокому отношению прочности к пористости, металлический войлок применяют в авиации (в антиобледенительных системах, в ка- честве теплоизоляционного материала и т. д.). Кроме того, он хорошо иоглощает звуки и снижает механическую вибрацию нрн работе тур- бин и ракетных двигателей. [c.392]

Фотолитическое разложение твердых веществ с ионной решеткой привлекает внимание потому, что в результате исследования процессов этого рода в принципе можно установить связь между уровнями электронной энергии в зонной схеме твердого тела, находимых из спектров оптического поглощения и измерений электропроводности, с одной стороны, и кинетическими характеристиками термического разложения, с другой. Мы ограничимся главным образом фотолизом, происходящим под действием квантов с низкой энергией, а результаты из области радиационной химии будем использовать только там, где это представляется уместным. Ввиду этого число соединений, представляющих интерес, невелико. Мы не рассматриваем фотолиз оксалатов, стифнатов и фульминатов, поскольку недостаточно обоснованные здесь предположения не ведут к углублению наших знаний. Разложение нитратов представляет особый вопрос. В результате остаются только азиды, для которых, если исследование их физических свойств не завершено [1], можно использовать аналогии в свойствах азидов с соответствующими соединениями галогенов. Так, сходство между электронными свойствами азидов серебра и таллия и соответствующих соединений галогенов совершенно поразительно. Точно также ясно, что для многих целей о свойствах азидов калия и натрия можно судить на основе данных, имеющихся для хлорида калия. [c.131]

Следует иметь в виду, что этот метод дает фактически ионную концентрацию насыщенного раствора, которая совпадает с растворимостью лишь в том случае, если диссоциация соли является полной. Это обстоятельство можно проиллюстрировать результатами для хлористого таллия его растворимость при 18°, вычисленная из данных Кольрауша для электропроводности, равняется 1,28-зквив /л, между тем как значение, полученное путем непосредственного определения растворимости, составляет 1,32-10" эквив л. Это расхождение, величина которого в данном случае незначительна, объясняется, повидимому, неполной диссоциацией соли в насыщенном растворе степень диссоциаций равняется, очевидно, 128 132, т. е. 0,97. [c.111]

Хохберг и Соминский [11] исследовали термоэлектрические свойства сернистого таллия TljS, который они получали плавлением в атмосфере СО продукта, осажденного из раствора сероводородом. Образцы были двух типов — с электронным и с дырочным типом проводимости. Удельная электропроводность полученных образцов TljS при комнатной температуре составляла от 10- до 10- при этом они показывали высокий коэффициент термо-э.д.с. [c.151]

Р1 По данным работы [12], TljS обладает высокими фотоэлектрическими свойствами. Отклонение от стехиометрии в составе соединения резко влияет на механизм электропроводности TlgS избыток таллия приводит к электронной проводимости, избыток серы — к дырочной. Ширина запрещенной зоны Eg = IA эв в зависимости от преобладания того или иного компонента удельная электронроводность лежит в пределах от 10- до 10- коэффициент термо-э.д.с. в отдельных образцах может достигать 1000 мкв/град. [c.151]

Филдинг и сотр. [23] проводили измерения удельной электропроводности, коэффициента Холла и изучение оптических свойств кристаллов соединений А В , в том числе и TlSe, полученного сплавлением таллия и селена. От поликристаллического образца отделялись небольшие ориентированные пластинки, удобные для изучения свойств. Во всех электрических измерениях ток пропус- [c.155]

В обоих системах при переходе от сплавов с большим содержанием серы и селена к сплавам с высокой концентрацией таллия изменяется тип связи от ионной к ионнометаллической. Значения электропроводности расплавов [c.161]

Кручеапу и др. [41] также исследовали электропроводность теллурида таллия и установили, что в жидком состоянии сохраняется полупроводниковый характер проводимости TlaTe. Ширина запрещенной зоны, по данным измерения электропроводности соединения, равна 0,5 эв. [c.164]

Интересно, что TlgS, а также изоструктурные селенид и теллурид таллия TlgSe и TlgTe сохраняют полупроводниковый ход электропроводности и имеют высокие коэффициенты термо-э.д.с. в расплавленном состоянии. Высокая электропроводность при значительном коэффициенте термо-э.д.с. в жидком состоянии имеет практическое значение нри использовании этих соединений в качестве жидких термоэлектрических материалов. [c.208]

Свойства алюминия, галлия, индкя и таллия. Алюминий, галлий, индий п таллий — серебристо-белые, сравнительно мягкие и пластичные металлы. Плотность пх возрастает от алюминия к таллию. Галлий в рассматриваемой подгруппе имеет самую низкую температуру плавления (30 °С) и наибольшую твердость. Наибольшей электропроводностью отличается алюминий. В химическом отношении алюминий, галлий и индий пмеют значительное сходство. Все они покрываются на воздухе плотной оксидной пленкой. Высокая химическая активность этих металлов особенно проявляется после удаления пленки. Они взаимодействуют с неметаллами (с галогенами, с серой), образуя соединения со степенью окисления элемента 3- -. Галлий, наиример, реагирует на холоду со всеми галогенами, кроме иода [c.339]

Стабильные ионы, образуемые элементами первых групп периодической системы, содержат во внешней квантовой группе 8 или 18 электронов (соответственно в случае элементов подгрупп А и В). Ионы переходных элементов содержат во внешних оболочках промежуточное число электронов. Однако некоторые наиболее тяжелые элементы подгрупп В, кроме нормальных ионов, например Т1 + (2, 8, 18, 32, 18), образуют также ионы типа Тк (2, 8, 18, 32, 18, 2) это можно рассматривать как доказательство инертности двух 5-электронов. Доказательство существования этих ионов ни в коем случае нельзя считать окончательным. О существовании ионов можно сделать заключение из свойств соединения в растворе или в расплавленном состоянии, или исходя из характера кристаллической структуры данного соединения. В связи с этим мы должны в первую очередь рассмотреть элементы группы 111 В — галлий, индий и таллий (образование одноатомного пара ртути можно интерпретировать как доказательство инертности двух 5-электронов, приводящей к сходству с инертными газами). Мы не имеем доказательств существования иона Оа+, а существование иона 1п+ является сомнительным. Индий образует хлориды 1пС1, 1пС12 и пС , из которых первые два разлагаются водой с образованием 1п + + 1п. Плотность паров всех трех хлоридов нормальна. Структура кристаллического 1пС1 неизвестна, и, вероятно, единственным доказательством существования иона 1п+ следует считать небольшую электропроводность расплавлен- [c.586]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология