Решетка цинковой обманки

Рис. 55. Решетка цинковой обманки

Рис. 76. Кристаллическая решетка цинковой обманки

Фиг. Е.2. Решетка цинковой обманки ZnS.

Решетку, несколько отличающуюся от решетки цинковой обманки, но в которой атомы расположены тоже по тетраэдрической схеме, имеет вюр-цит ZnS — другая кристаллическая модификация сульфида цинка (см. решетку в разделе Цинк ). Решетка вюрцита встречается также у сульфидов dS и HgS, у окиси цинка ZnO, у карбида кремния Si и у нитрида алюминия A1N. [c.119]

Н. А. Горюнова (см. стр. 96 наст, сб.) и другие весьма успешно изучили свойства веществ со структурой цинковой обманки. Если взять элемент IV группы и бинарные соединения элементов, равноотстоящих в периодической системе от IV группы А В , А В >, А В ч, то в некоторых случаях все такие соединения кристаллизуются в решетке цинковой обманки с одним и тем же параметром решетки. В этих рядах от центрального элемента к А В ч закономерно возрастает ширина запрещенной зоны, возрастает доля ионной связи, закономерно изменяются другие электрические свойства. Естественно ожидать и закономерного изменения каталитических свойств. [c.118]

Рпс. 3. Схематическая картина зонной структуры цинковой обманки а) решетка цинковой обманки без учета спина б) решетка цинковой обманки с учетом спина [c.337]

При увеличении числа валентных электронов атома неметалла число вакансий в подрешетке металла растет, подобно тому как это имеет место в решетках цинковой обманки и плавикового шпата. [c.159]

Атомные и молекулярные решетки. Решетка алмаза совпа дает с решеткой цинковой обманки (рис. 65), если в последней оба сорта ионов заменить одинаковыми атомами углерода. Как указывалось, в такой решетке каждый атом окружен правильным тетраэдром из соседних атомов, в полном согласии с стерео-химическими представлениями о тетраэдрическом направлении четырех валентностей углерода. Атомы углерода в этой решетке связаны между собой мощными силами химической ковалентной [c.165]

Решетка цинковой обманки (ZnS) представляет пример третьего характерного для ряда соединении АБ типа структуры. В ее элементарной ячейке (рис. ХИ-4) содержится также восемь ионов, но расположенных иначе, чем у Na l. Координационное число решеток этого типа равно четырем d — 0,433iia ). [c.380]

Расстояние между атомами Zn — S в решетке обманки равно 2,35 А. В решетке цинковой обманки атомы серы образуют плотную кубическую упаковку, в которой различают три идентичных слоя, кристаллографически различно расположенных в порядке [c.785]

Между тем в структуре А В каждый атом А" валентно связан с четырьмя атомами В и наоборот. Поэтому правильная трактовка природы химической связи в А Ш должна основываться на кристаллохимических особенностях этих соединений. Это значит, что А и В обязательно должны проявлять валентность, равную 4, в соответствии с их координационным числом. Причем эти четыре связи будут ковалентными, так как они обладают пространственной направленностью, что наблюдается в решетке цинковой обманки. [c.130]

Фосфид бора имеет решетку цинковой обманки с периодом 4,54 А. Расстояние между атомами бора и фосфора 1,96 А. [c.150]

Соединения же А г В обладают природными дефектами, обусловленными особенностями их кристаллохимии. Большинство из них кристаллизуется в решетке цинковой обманки или вюртцита, в которой 1/3 позиций для атомов А вакантна. Атомы A i распределяются в структуре статистически, занимая лишь 2/3 мест в элементарной ячейке, которые предназначены для них. В результате каждый третий узел в подрешетке катионообразователя является вакантным. Это видно из сравнения общих формул A bJ (А В ) и А В у соединений А В не хватает 1/3 атомов А в той же структуре цинковой обманки или другой тетраэдрической структуре вюртцита. Существование этих вакансий и их концентрация определяются кристалло- [c.198]

Нитрид алюминия A1N получают при нагревании алюминия в атмосфере азота до красно-белого каления или из окиси алюминия, угля и азота также прп высокой температуре в электрической печи. Вещество имеет очень устойчивую кристаллическую решетку вюрцита (стр. 698), в которой атомы, соединенные друг с другом ковалентными связями, образуют тетраэдр. При нагревании при атмосферном давлении нитрид азота разрушается при температуре несколько ниже температуры плавления в закрытом сосуде примерно при 4 атм температура плавления равна 2200°. При нагревании в автоклаве с едким натром он образует алюминат натрия и аммиак. Фосфид алюминия А1Р — также ковалентное соединение, которое кристаллизуется в решетке цинковой обманки. (Карбид алюминия, имеющий ионную структуру, описан на стр. 501.) [c.571]

Фторид, хлорид II бромид серебра кристаллизуются в решетке хлорида натрия. Иодид серебра встречается в двух модификациях одна из них — -модификация гексагональной системы с решеткой вюрцита, устойчивая при температуре до 146°, а другая — а-модификация кубической системы с решеткой цинковой обманки, устойчивая при более высоких температурах. Переход одной модификации в другую при 146° происходит мгновенно и обратимо. Устойчивая форма при высокой температуре характеризуется исключительно высокой электропроводностью, которая оказалась ионного характера. При 146° электропроводность а-формы составляет 1,3 ом -см , тогда как электропроводность -формы при той же температуре равна лишь 0,00034 ом -см - (ср. [c.689]

Сульфид ртути HgS — диморфное соединение. В природе встречаются обе модификации. Красная модификация, киноварь, является обычным минералом ртути и кристаллизуется в решетке гексагональной системы черная форма, метациннабарит, встречающаяся гораздо реже, кристаллизуется в решетке цинковой обманки. Обе модификации связаны между собой монотропными превращениями красная форма устойчива при любой температуре (см. стр. 130). [c.705]

Кристобалит относится к правильной системе. Его кристаллическая решетка также отличается от решетки тридимита, как решетка цинковой обманки от решетки вюртцита. Атомы кремния образуют решетку типа алмаза (рис. 83, стр. 412) с а = 7,12 А каждый атом кремния окружен четырьмя атомами кислорода, расположенными в виде почти правильного тетраэдра на примерном расстоянии 1,63 А. Следовательно, группировка атомов О вокруг атомов Si в кварце, тридимита и кристобалите по существу одна и та же. [c.476]

В настоящей и следующей главах мы перейдем от чисто ковалентных криоталлоБ к наиболее близкому им классу частячно ковалентных кристаллов — тетраэдрическим кристаллам А В с решеткой цинковой обманки (сфалерита). Одной из наших главных задач будет исследовать те качественные особенности, которые вносит частичная понность кристалла в структуру энергетических зон. При этом мы, как и раньше (и по тем же мотивам) рассмотрим сначала валентную зону, структура которой отражает общие свойства всех тетраэдрических частично ионных кристаллов. [c.157]

Поскольку вокруг каждого атома имеется 8 тетраэдрических дырок и в свою очередь каждая дырка приходится на 4 атома, число тетраэдрических дырок вдвое больше числа атомов. Если построить плотнейшую упаковку из положительных ионов с зарядом -f-2 в виде гранецентрированной кубической структуры, то отрицательные ионы могут разместиться в тетраэдрических дырках с образованием электронейтрального кристалла. Предположим, например, что в гранецентрированной решетке положительными являются ионы Са , а отрицательными — ионы F". Тогда, чтобы получить электро-нейтральный кристалл, необходимо заполнить все тетраэдрические дырки. Оказывается, что именно так построена решетка флюорита Сар2 (рис. 8.42, а). С другой стороны, предположим, что положительными являются ионы Zn " , а отрицательными — ионы Тогда, для того чтобы получить нейтральный кристалл, нужно заполнить только половину имеющихся тетраэдрических дырок. Если ионы Zn " располагаются по типу гранецентрированной плотнейшей упаковки, а половину тетраэдрических дырок (через одну) заполняют ионы возникает одна из форм сульфида цинка (рис. 8.41, б) — решетка цинковой обманки. Подобным же образом, если ионы расположены по типу гексагональной плотнейшей упаковки и каждая вторая тетраэдрическая дырка заполнена ионами возникает вторая форма. сульфида цинка, структура вюртцита (рис. 8.41, в). [c.296]

При сплавлении индия с селеном или теллуром получаются соединения ХпгЗез я ХпгТез- Селенид индия имеет сложную структуру и обладает в отличие от сульфида и теллурида мягкостью графита. Теллурид, который, так же как и сульфид, тверд и хрупок, кристаллизуется подобно 03283, 082863 и GaaTea в решетке, которая ьшо-дится из решетки цинковой обманки таким образом, что в ней остается незаполнеивыми 1/з мест, принадлежащих атомам металла, причем распределение этих незанятых мест не упорядочено. . [c.417]

Если ограниченное число тетраэдров [8104] не образует кольца, то возникают структурные группы общей формулы [Si Oa j ]( -Ы)2-. Например, пять тетраэдров могут соединиться так, что один из них имеет с четырьмя другими тетраэдрами по одному общему иону 0 -. Такая группировка была доказана в цуниите А1 [Ali204(OH, F)i8l[Si50i6] l- Структуру этого сложного соединения можно вывести из относительно простой решетки цинковой обманки (см. т. II), если в ней заменить ионы и 8 на структурные группы, показанные в предыдущей формуле квадратными скобками. Ионы АР+ и I , входящие в состав соединения и компенсирующие избь1точные заряды, закономерно распределяются в пустотах решетки. [c.543]

В системах теллура с алюминием, галлием и индием наблюдается образование соединений тнпа А В с кристаллическими решетками цинковой обманки или вюрцита, в которых 1/3 позиций для атомов Аш вакантна. Образующиеся стехиометрические вакансии рассматриваются как структурный компонент кристалла. Электрофизические характеристики соединений типа A bJ устойчивы к воздействию ионизирующего излучения. Наряду с соединениями АгВз теллур образует с металлами III группы полупроводниковые соединения эквиатомного состава Ai"BVi. [c.365]

Однако отклонения некоторых констант соединений А в7 от промежуточных значений у соединений А В и А Щ в некоторых случаях велики, и это указывает на то, что большинство характеристик соединений А Вз не имеет значений, лежащих между соответствующими величинами соседних недефектных соединений в изоэлектронных рядах, в связи с чем отнесение соединений А 2 Вз к этим рядам является условным [58]. Палатник ]56] также не считает эти соединения принадлежащими изо-электронным рядам. Особенностью дефектных соединений состава А В является образование твердых растворов с нормальными тетраэдрическими фазами в широком интервале концентраций. Эти твердые растворы кристаллизуются в решетке цинковой обманки, что подтверждает общность природы химической связи веществ, образующих гомогенные фазы и подтверждает принадлежность соединений А Вз к семейству тетраэдрических алмазоподобных веществ. Образование гомогенных фаз между различными типами нормальных и дефектных соединений — двойных и тройных — открывает большие перспективы для получения полупроводниковых веществ с широким набором свойств. [c.204]

Решетка цинковой обманки (ZnS) представляет пример третьего характерного для ряда типа структуры. В ее элементарной ячейке (рис. ся также восемь ионов, но расположенных Na l. Координационное число решеток этого четырем. [c.358]

Коэфициент перед корнем зависит от типа решепш. Он равен 550 для решетки хлористого цезия и 512 для решетки цинковой обманки. Для соединений типа АВг он значительно выше (1595 для решетки флюорита, 1507 для решетки рутила и т. д.). [c.173]

Третий тип решетки цинковой обманки (ZnS) получается, как и решетка Na l, комбинацией двух простых гранецентрированных решеток (рис. 65Ь) одна из ионов Zn++ и другая из ионов S—, однако эти решетки сдвинуты одна относительно другой на четверть диагонали куба (рис. 65е, где для простоты изображены лишь 4 иона второй решетки). Такая решетка, кроме цинковой обманки, характерна для u l, uBr, uJ, AgJ, HgS и т. д. В ней [c.198]

Структура хлористого натрия характерна для всех галогенидов шелочных металлов за исключением низкотемпературных модификаций хлористого, бромистого и иодистого цезия, кристаллизующихся в решетке типа s l. Многие окислы, сульфиды, селе-ниды и теллуриды двухвалентных металлов также имеют решетку хлористого натрия, хотя ряд из них кристаллизуется в решетке цинковой обманки и вюрцита. [c.19]

Этот тип тетраэдрических фаз имеет немного представителей. Первое такое соединение со структурой цинковой обманки, т. е. со статистическим распределением атомов меди и германия по узлам решетки цинковой обманки, СиОегРз, было найдено авторами работ [279, 343]. В дальнейших опытах было обнаружено, что большая часть аналогов этого типа не существует в индивидуальном состоянии [22]. [c.138]

В кристаллической решетке цинковой обманки (рис. 34), которая относится к кубической системе, атомы цинка чередуются с атомами серы, а именно каждый атом цинка тетраэдрически окружен четырьмя атолгами серы, и наоборот. [c.784]

Рентгеноструктурным анализом было установлено, что фаза состава InAsTe обладает решеткой цинковой обманки с параметром 6,13 А. [c.251]

Соединения типа А В кристаллизуются в решетке цинковой обманки или сфалерита. Одни атомы (безразлично А 1 или В ) занимают вершины и центры граней куба, а другие—центры четырех (из восьми) ма- Q-атокыВ лых кубов (рис. 56). Значит, структура А " В аналогична структуре алма- Рис. 56. Сфалеритная структура за С ТОЙ только разницей, что центры Ani v [c.129]

Халькогениды ртути. Из халькогенидов ртути HgS как полупроводник исследован плохо. Сульфид ртути отличается от селенида и теллурида ширина запрещенной зоны у HgS больше, а подвижность электронов значительно меньше, чем у HgSe и HgTe. Если температуры плавления селенида и теллурида ртути не очень сильно разнятся между собой (799 и 670°С), то сульфид ртути плавится под давлением собственных паров лишь при 1450°С. Однако все три вещества кристаллизуются в кубической решетке цинковой обманки. Сульфид ртути имеет также низкотемпературную модификацию со структурой киновари, характеризующейся тригональной ячейкой. Температура полиморфного превращения киновари в сфалерит 345°С. Киноварь обладает электронной проводимостью и термической шириной запретной зоны 1,8 эв. [c.181]

Решетка цинковой обманки (ZnS) представляет пример третьего характерного для ряда соединений АБ тина структуры. В ее элементарной ячейке (см. рис. XII-11) содержится также восемь иоиов, но расположенных иначе, чем в ячейке Na l. Координационное число решеток этого типа равно четырем. Расстояние между центрами противоположно заряженных ионов d=0,A33aa. Для ZnS имеем аш 5,39 и [c.283]

Цинковая обманка, кристаллизующаяся в кубической системе, и вюрцит, кристаллизующийся в гексагональной системе, являются интересными примерами полиморфизма. В обоих модификациях непосредственные соседи атомов одни и те же (как и у Si02, стр. 510) каждый атом цинка окружен тетраэдрически четырьмя атомами серы и каждый атом серы также четырьмя атомами цинка (рис. 186). Расстояние Zn — S в обоих модификациях равно 2,35 А. Плотность цинковой обманки в пределах ошибок опытов равна плотности вюрцита (4,09). Различие между решетками цинковой обманки и вюрцита состоит в расположении слоев атомов. В решетке цинковой обманки атомы серы имеют плотную кубическую упаковку, в которой имеются три одинаковых слоя, кристаллографически по-разному расположенных в порядке 1,2,3, 1,2,3 (стр. 127) атомы [c.699]

Сульфид кад.иия dS редко встречается в природе (минерал гринокит), но легко получается в виде осадка темно-желтого цвета путем пропускания сероводорода в раствор соли кадмия. Этот осажденный сульфид имеет решетку цинковой обманки при прокаливании в отсутствие кислорода он переходит в модификацию с решеткой вюрцита. Сульфид кадмия не растворяется в разбавленной С0Л.1Н0Й кислоте, но растворим в теплой разбавленной азотной кислоте, а также и в концентрированных кислотах. Ёвоей растворимостью [c.700]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология