Серебро монокристаллическое

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые (металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния (IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром — золото, титан — золото, молибден — золото и некоторые другие. [c.161]

Получение монокристаллических волокон в достаточном количестве и хорошего качества является по ка трудной задачей, а поэтому цены на них очень высоки они в 10 —20 раз дороже обычных поликристал-лических волокон. Однако 1 кг монокристаллов мож-ет заменить 5—10 /сг других усиливающих материалов. Монокристаллы значительно увеличивают лрочность композиционных материалов, позволяя в то же время снизить вес изделия в 5— 10 раз ло сравнению с металлическими изделиями такой же прочности. Так, при добавке всего лишь 4% монокристаллов в стеклопластики получают материал, который имеет такой же модуль упругости, как и сталь, в 5 раз прочнее ее и в 3 раза легче. Прочность серебра, усиленного 5% сапфировых монокристаллов, увеличивается в 5 раз. Добавление вольфрамовых монокристаллов в медь дает материал с прочностью 24 600 кгс см . [c.401]

Данные, полученные на монокристаллических электродах [И], показали, что на серебре наблюдается более сильное снижение дифференциальной емкости со сдвигом потенциала в отрицательную сторону, чем это наблюдалось на ртути. Возможно, что это более сильное снижение емкости, как и в случае кадмия [23], связано с более резкой зависимостью емкости плот- [c.13]

Монокристаллические волокна, получаемые из окислов и называемые усами , обладают гораздо большей прочностью, чем многие обычные металлы. Фактически их феноменальная прочность приближается к максимальной теоретической прочности материалов. В лабораторных условиях были получены монокристаллы окислов таких металлов, как олово, железо, медь, серебро а также кремния. Однако вследствие сложности процесса волокна нз этих окислов не открывают широких возможностей для про мышленного производства, как это имеет место в случае поликри сталлических волокон. [c.107]

Электронно-дырочный переход силовых кремниевых вентилей ВК состоит из сверхчистого монокристаллического кремния электронной проводимости, в который с одной стороны вставлен алюминиевый сплав, а с другой — серебряный. Слой кремния с вплавленным алюминием является анодом, слой с вплавленным серебряным сплавом — катодом. Направление от алюминия к серебру — проводящее, обратное — запирающее. Кремниевый переход заключен в металлический корпус, защищающий его от влаги. Катод припаян к медному основанию, анод — к гибкому проводу. [c.27]

Монокристаллические синтетические бромистое серебро, хлористое серебро, бромистое серебро, бромистый натр, хлористый рубидий, бромистый рубидий, фтористый кадмий, фтористый барий [c.120]

Рис. 171. Зависимость lgт образования двумерного зародыша от 1/т) при электроосаждении серебра на бездислокаци-оннои монокристаллической грани серебра

Создание условий, при которых процесс электроосаждения определяется стадией образования двумерных зародышей, оказывается еще более сложной задачей. Для этого необходимо получить бездис-локационную монокристаллическую грань того металла, электрокристаллизация которого изучается, и предотвратить возможность медленной диффузии адатомов по поверхности. Условия опыта, в которых процесс электроосаждения металла контролируется скоростью образования двумерного зародыша, были реализованы Р. Каишевым, Е. Будевским и сотр. Для этого в широкую часть стеклянной трубочки, оканчивающейся капилляром, впаивали монокристалл серебра. Затем на монокристаЛл катодно осаждали серебро так, чтобы зарастить [c.332]

Кроме подробного исследования [14],, результаты которого были рассмотрены выше, о поведении типа 1А часто сообщалось и в других работах. В частности, оно наблюдалось при сравнении влияния воздуха и вакуума (обычно 10 —10 торр) на другие суперсплавы, такие как Хастеллой-Х [15, 16], монокристаллический суперсплав [17], крупнозернистый (размер зерна 1—2 мм) Удимет-700 [18—21], а также на никель и другие разнообразные сплавы на его основе [22—30], магниевые срлавы [31] и серебро, содержащее следы примесей [32, 33]. Хотя в качестве слабоокисли- [c.15]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

Эти данные для (111) эпитаксии серебра можно сопоставить с результатами работы Йегера [41], который исследовал серебро, напыленное на расщепленную грань (100) поваренной соли с последующим отжигом при 670 К, и получил довольно совершенную эпитаксиальную монокристаллическую (100) пленку серебра с такой же или несколько большей плотностью дислокаций, дефектов упаковки и когерентных границ двойников, чем у эпитаксиальных (111) пленок на слюде. Выход дефектов упаковки на поверхность приводил к появлению углублений [41]. [c.148]

Бирн и Роджерс сравнили размеры электродов (золотых, палладиевых и платиновых) с площадью, занимаемой одноатомным слоем серебра, и показали, что первая величина превосходит вторую, когда система подчиняется уравнению (1,41). Обратное соотношение наблюдается, когда систему можно описать, используя -сокращенную форму уравнения Нернста площади соизмеримы в промежуточном случае. По мнению авторов, серебро на платине, палладии и золоте в начале осаждения образует монослой. При электрохимическом выделении висмута и свинца на серебряных и золотых о 5з электродах возникает многослойный осадок на первых выделившихся атомах. В этом случае система даже при частично покрытых осадком электродах описывается сокращенным уравнением Нернста, что противоречит представлениям Роджерса и Стени. Ртуть, железо и кадмий также выделяются на активных центрах поверхности монокристаллических платиновых электродов, затем происходит рост образовавшихся зародышей . [c.22]

Авторы работ [328, 329] исследовали возможность определения тиоспиртов прямой потенциометрией с Ag2S-мeмбpaнными электродами. Если такой электрод поместить в раствор, содержащий ионы серебра, между обеими стенками монокристаллической мембраны возникает разность потенциалов, которая определяется уравнением Нернста [c.100]

Впервые эпитаксия металла (Ag) на ионном кристалле (Na l) при конденсации из паровой фазы в вакууме наблюдалась Лассеном [71]. Он обнаружил, что тонкие пленки металла обладают преимущественной ориентировкой, а иногда оказываются монокристаллическими. Воспроизводимых результатов, однако, получить не удалось. Условие образования монокристал-лических пленок серебра было найдено позже [72]. Оказалось, что при увеличении температуры конденсации совершенство ориентации увеличивается и при Г,,-> 100° С образуется монокри-сталлический слой. Была определена взаимная ориентация металла и соли (100) [001] Ag Ц (100) [001] Na l и установлено, что зародыши серебра образуются непосредственно на поверхности соли. Авторы обнаружили, что нагрев подложки необходим только на первой стадии конденсации и что ориентированное нарастание серебра на собственном монокристалле происходит при комнатной температуре. Наблюдаемой экспериментально параллельной ориентации Ag/Na l соответствовало значите Л = -27,5%. [c.116]

Образовавшиеся избыточные дефекты вообще быстро рекомбинируют в случае монокристалла Na l за время в несколько минут они образуют нейтральные комплексы типа (Na+ l ], скорость образования которых определяется подвижностью вакантного узла Na+. В случае кристаллов галогенидов серебра подобные одиночные дефекты решетки должны исчезать еще быстрее вследствие большей подвижности ионов серебра. Действительно, опыты Джонстона [3] по определению увеличения электропроводности монокристаллических и поликристаллических образцов бромида серебра под влиянием пластической деформации по результатам очень с.хожи с опытами А. В. Степанова и Дьюлая, но увеличение электропроводности не превышало при этом двукратного значения для недеформированного образца, что, видимо, связано с быстрой рекомбинацией избыточных дефектов. [c.94]

I. Основу мембраны составляет смесь AgXnAg2S [43, гл. 2] (электроды этого типа выпускают многие фирмы). Как уже отмечалось, такой состав мембран устраняет недостатки монокристаллических Ag I- и AgBr-электродов и, что особенно важно, позволяет получить Agl-электрод, так как мембраны из чистого Agi механически неустойчивы и легко растрескиваются. Это обусловлено тем, что твердый Agi в зависимости от температуры и давления может находиться в различных модификациях. Иодид серебра [c.101]

Представляло интерес выяснить, удаляется ли добавка только с поверхности таблетки или из всего ее объема. С этой целью с таблетки срезали слои толщиной 0,2 мм, после чего измерялась ее радиоактивность. Измерения показали, что галоген удаляется по всему объему таблетки. Опыты по прогреву модифицированного серебра в водороде и этилене позволили установить, что на поверхности катализатора протекает реакция восстановления галогенида серебра и образуются НС1 и Н, которые удалось определить в отходящих газах. Энергия активации процесса восстановления хлор-иона в серебре этилено-воздушной смесью, рассчитанная по начальным скоростям процесса, составляла 15 ккал моль. Полученные результаты относятся к пористому серебру представляло интерес проследить миграцию галогена в монокристаллическом образце серебра. [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология