Страничная организация памяти

Ла рис.У показана в качестве примера обобщенная 01рук1ура комплекса КВА1ТГ ДП. Существенным является различие в ней оперативной классовой памяти, /очуройство массовой памяти имрет страничную организацию (длина страницы - I02 ячейки, общий объем памяти до I Мбайт) и защищается кодом Хэмминга, что обеспечивает исправление любых одиночных случайных ошибок, а также обнаружение двойных и некоторых тройных. В адресном пространстве комплекса КВАНТ ДП массовая память отображается в виде блока, запоминающего 4 кбайт непосредственно адресуемой памяти. [c.14]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология