ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Температурный коэффициент линейного расширения (а). Тепловое расширение искусственного поликристаллического графита обусловлено его структурой. Тепловое расширение искусственного поликристалли-ческого графита обусловлено прежде всего перестройкой структуры кристаллической составляющей при нагревании. Методом рентгеновской дилатометрии было исследовано [57] в интервале-180- 2000 °С расширение вдоль оси с кристаллической решетки для отличающихся степенью совершенства кристаллической структуры материалов: стеклоуглерода (СУ), пироуглерода (ПУ), плотного графита (МПГ), высокосовершенного анизотропного графита с 4 % бора (РГБ), пирографита (ПГ) и природного графита (ЕГ). Для одного из них (МПГ) рассмотрено расширение вдоль слоя. Ниже приведены рентгеноструктурные характеристики: степень графитации (д), межплоскостное расстояние (<Уоо2)> высота (Lc) и диаметр (Lg) ОКР, исследованных материалов [57]: