ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Так как полупроводниковые соединения, как правило, имеют температуру плавления, значительно превышающую температуры плавления составляющих их элементов, при кристаллизации они частично разлагаются с выделением летучих компонентов. В результате возникает пористость, а избыточные (по отношению к сте-хиометрическому составу) компоненты ведут себя как примеси, ухудшая структуру материала. Зонную перекристаллизацию разлагающихся соединений часто проводят в запаянных кварцевых трубках; образующийся при диссоциации насыщенный пар препятствует дальнейшей диссоциации соединения. Температура стенок ампулы должна быть выше температуры конденсации летучих компонентов. Для более точного регулирования давления пара в системе в один из участков ампулы помещают избыток летучего компонента и поддерживают этот участок при температуре, соответствующей давлению пара компонента над соединением; эта те.мпература должна быть наинизшей во всей замкнутой системе. Зонную перекристаллизацию при давлении компонента значительно ниже атмосферного проводят в потоке инертного газа, содержащего диссоциирующее летучее соединение этого компонента.