ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Симметрия растущего кристалла может быть существенно изменена путем сознательного выбора условий кристаллизации. С одной стороны, процесс кристаллизации можно вести так, чтобы симметрия растущего кристалла определялась главным образом симметрией столба расплава и теплового поля. С другой — возможно такое ведение процесса кристаллизации, при котором сильнее проявляются кристаллографическая природа, анизотропия скорости роста. Ниже приводятся результаты исследований по совместному влиянию формы столба расплава, теплового поля, кристаллографической симметрии затравки на реальную форму и структуру выращиваемых профилированных монокристаллов.