ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Существуют и другие способы уменьшения вмороженного поля. Если в процессе сверхпроводящего перехода во внешнем магнитном поле экран вращать с частотой около 1 Гц, то удается получить остаточное поле внутри экрана, в 100 раз меньшее внешнего [107]. Это объясняется, во-первых, тем, что снижается вероятность захвата магнитного потока на структурных дефектах сверхпроводника, так как поле на нем переодически меняет знак, а во-вторых, влиянием индукционных токов, наводимых в проводнике, движущемся в магнитном поле, причем поле этих токов направлено противоположно внешнему.