ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Оба вида точечных дефектов имеют решающее значение для процесса перемещения ионов частиц в решетке; они обеспечивают возможность переноса вещества при химической реакции и электрическую проводимость ион-«ой решетки. Концентрация дефектов, устанавливающаяся в обратимом тепловом равновесии, однозначно определяется температурой (экспоненциально растет с температурой); соответственно при охлаждении устанавливается более низкое равновесное значение концентрации дефектов. Например, в решетке! AgBr при 300 °С 0,4% всех ионов Ag+ занимают места вне узлов решетки. Причиной появления несовершенств в кристаллической решетке чистого вещества являются колебания элементов кристаллической решетки, энергия которых зависит от температуры.