Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

[<< Стр.]    [Стр. >>]

Оба вида точечных дефектов имеют решающее значение для процесса перемещения ионов частиц в решетке; они обеспечивают возможность переноса вещества при химической реакции и электрическую проводимость ион-«ой решетки. Концентрация дефектов, устанавливающаяся в обратимом тепловом равновесии, однозначно определяется температурой (экспоненциально растет с температурой); соответственно при охлаждении устанавливается более низкое равновесное значение концентрации дефектов. Например, в решетке! AgBr при 300 °С 0,4% всех ионов Ag+ занимают места вне узлов решетки. Причиной появления несовершенств в кристаллической решетке чистого вещества являются колебания элементов кристаллической решетки, энергия которых зависит от температуры.

[<< Стр.]    [Стр. >>]


[Выходные данные]

ПОИСК





Оба вида точечных дефектов имеют решающее значение для процесса перемещения ионов частиц в решетке; они обеспечивают возможность переноса вещества при химической реакции и электрическую проводимость ион-«ой решетки. Концентрация дефектов, устанавливающаяся в обратимом тепловом равновесии, однозначно определяется температурой (экспоненциально растет с температурой); соответственно при охлаждении устанавливается более низкое равновесное значение концентрации дефектов. Например, в решетке! AgBr при 300 °С 0,4% всех ионов Ag+ занимают места вне узлов решетки. Причиной появления несовершенств в кристаллической решетке чистого вещества являются колебания элементов кристаллической решетки, энергия которых зависит от температуры.


© 2024 chem21.info Реклама на сайте