ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы 2) когда растворителем служит один из компонентов выращиваемого соединения (GaAs + Ga, InP + Р). В первом варианте выращенные кристаллы содержат в качестве примесей все компоненты раствора, включая и остаточные примеси растворителя. Поэтому большое значение имеет электрическая активность примесей, попадающих в кристалл из раствора. Во втором варианте посторонние вещества отсутствуют, и чистота кристалла определяется чистотой компонентов соединения и условиями проведения процесса. Возможность применения этого метода определяется типом диаграммы состояния выращиваемого соединения. Большое распространение он получил для выращивания монокристаллов соединений типаА ”В , так как растворимость в них компонентов в твердой фазе ничтожно мала. Иногда, несмотря на применение растворителя, упругость пара летучего компонента над раствором остается значительной, и процесс необходимо проводить под давлением его пара (в двухтемпературном варианте).