ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Характер зависимости коэффициента поглощения от длины волны определяет в известной мере выбор излучения при структурном исследовании того или иного кристалла. Сильное поглощение в кристалле значительно уменьшает интенсивности дифрагированных кристаллом лучей (а следовательно, увеличивает экспозицию при съемке на фотопленку); кроме того, излучение флюоресценции, распространяющееся от кристалла во все стороны, вуалирует пленку, затрудняя оценку интенсивностей дифракций. Поэтому работать при длинах волн, несколько меньших Хкр, невыгодно; следует избегать такого положения, когда длина волны лучей немного меньше длины волны края поглощения любого из элементов, входящих в состав исследуемого соединения.